功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET

MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

6AN沟道MOSFET栅极驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出LTC4441新的高可靠性（MP级）版本，该器件是一款6AN沟道MOSFET栅极驱动器，在-55℃至125℃的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加DC／DC控制器的输出功率及效率，从而使其能够驱动高功率N沟道MOSFET或多个并联的MOSFET。

安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容

推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）,针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。 这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS（on）值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。

结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件

FDZ3N513ZT结合了一个30V集成式N沟道MOSFET和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值45pF）和总体栅极电荷（1nC），占位面积仅为1mm×1mm。FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件，用以驱动串联白光LED，为智能电话的显示屏（以及按键，如果有键盘）提供照明。该解决方案对各种动态特性做出仔细精确的优化，实现很低的开关损耗，从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。

30V N沟道MOSFET

该器件采用了N沟道OptiMOS3工艺制造，采用SuperS08封装，最大额定导通电阻仅为1．6mΩ。它具有很低的门极电荷。易于驱动，可以使用成本较低的驱动器。此外。优值系数（FOM）的提高使得驱动器的负荷降低30％，大大降低了驱动器工作温度。

用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET

SiHx28N60EF和NSiHx33N60EF是两款600VEF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET，具有低向恢复电荷和导通电阻，能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性，节约能源。

具备大电流能力的100V N沟道MOSFET

该系列N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载导致过渡电压应力的设计。特性包括：导通阻抗低至13mΩ，电流能力高达76A，经过100％雪崩测试，通过AEC—Q101标准认证。这些功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源（UPS）中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射（DGI）。

具有极低通态电阻的N沟道MOSFET系列

采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET具有极低的通态电阻，40V系列具备最低1．8mΩ的通态电阻，60V系列具备最低2．8mΩ的通态电阻，80V系列具备最低4．7mΩ的通态电阻。这些器件的FOM（品质系数）与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%，能够更快速实现开关，同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗，提高功率密度，降低驱动器散热量。

采用热增强封装的150V N沟道MOSFET

SiA446DJ是一款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150V N沟道M0SFET，其占位面积为2mm×2mm，在10VF具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。

安森美半导体中压N沟道MOSFET

安森美半导体(ON Semiconductor)针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on)值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至2164p F的门极电容(Ciss),确保保持尽可能低的驱动损耗。

飞兆半导体N沟道MOSFET系列产品——FDS881XNZ 为笔记本电脑和便携式电池组保护设计提供90%更高的ESD性能

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出全新的高效N沟道MOSFET系列．提供高达8kV的ESD（HBM）电压保护，较市场现有器件高出90％。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用（如笔记本电脑和手机）的最新架构。

飞兆半导体推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件-FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16m)特性，

Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET

2014年12月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件——SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay SiliconixSiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。

安森美推出全新6款N沟道MOSFET

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它们经过设计及优化,提供领先业界能效,优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOS-FET极适合用作服务器、网络设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件,或者用于配合负载点(POL)模块中的同步整流。这些器件提供包含及不包含集成一个肖特基二极管的不同版本,能帮助工程师提供更高能效。

凌力尔特推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器LTC4440A-5,该器件能以高达80 V的输入电压工作,在高达100 V瞬态时可连续工作。该驱动器可与功率MOSFET以及凌力尔特众多DC/DC控制器选择中相结合,构成完整的电源。LTC4440A-5可在4 V至15 V的栅极驱动电压范围内工作。该器件为驱动逻辑电平MOSFET而优化,包括一个欠压闭锁电路,该电路启动时。

安森美推出全新的中压N沟道MOSFET阵容

安森美半导体(ON Semiconductor)针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on)值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至2164皮法(pF)的门极电容(Ciss),确保保持尽可能低的驱动损耗。安森美半导体新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT和NTMFS5C442NLT MOSFET额定击穿电压为40伏,最大导通电阻值(Vgs为10V时)分别为0.74mΩ、0.9mΩ和2.8mΩ,连续漏电流分别为352A、315A和127A。与这些器件相辅相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和NT-

凌力尔特推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7001

近日,亚德诺半导体旗下凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7001,该器件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,使其能够保持无限期接通。LTC7001强大的1Ω栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和35ns传播延迟,非常方便地驱动栅极电容很大的MOSFET,因此很适合高频开关和静态开关应用。

凌力尔特推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7004

9月初,亚德诺半导体（Analog Devices,Inc.,简称ADI）旗下凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7004,该器件用高达60V的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。