飞兆半导体推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件-FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16m)特性，

飞兆推出80VN沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。

新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET仿真研究

电能在转化与运用过程中会不可避免地出现能量的损耗,而电力控制和电能转换过程中最核心部分即为电力电子器件。GaN基准垂直MOSFET器件具有高输入阻抗、开关速率快以及对表面态陷阱不太敏感等优点,从而成为目前研究的热点,但由于沟道载流子的迁移率较低造成导通电阻与损耗较大。通过对再生长沟道GaN基准垂直MOSFET进行仿真,证明该结构可以有效解决沟道载流子的迁移率过低的问题。在再生长沟道GaN基准垂直MOSFET的基础上进行了结构改进,主要针对器件在源极区域与漂移区域的载流子分布进行了优化。其中,源极区域通过对源电极金属帽子下方Al_(2)O_(3)进行刻蚀,使得器件源极区域的电流导通路径得到了有效的缩短;而漂移区域通过在栅极下方插入一层载流子分布层,使得漂移区内载流子分布更加均匀。最终设计出了阈值电压为2.3V的新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET,器件的导通电阻低至1.8mΩ·cm^(2),击穿电压高达1053V。

1200V沟槽型SiC MOSEET器件研制

碳作为宽禁带半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)功率器件具有高压,高频、高温,大容量等独特优势,在新能源汽车、光伏逆变、智能电网,雷达通信等领域有着乐观的应用前景。主流SiC MOSFET器件包括平面型和沟槽型,前者受限于较低的沟道迁移率和较大的元胞尺寸,难以充分发挥SiC器件的材料优势,后者将导电沟道由横向改为纵向,既明显改善了沟道迁移率,又大幅提升了沟道密度,使得器件导通电阻显著降低,代表着SiCMOSFET的未来发展方向。

Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列

Vishay Intertechnology，Inc宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600mr／，将最高电流等级扩展至7-73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件

FDZ3N513ZT结合了一个30V集成式N沟道MOSFET和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值45pF）和总体栅极电荷（1nC），占位面积仅为1mm×1mm。FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件，用以驱动串联白光LED，为智能电话的显示屏（以及按键，如果有键盘）提供照明。该解决方案对各种动态特性做出仔细精确的优化，实现很低的开关损耗，从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。

80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用SO—8封装的80V K沟道MOSFET器件FDS3572。FDS3572提供7.5nC Miller电荷(Qgd)．比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16mΩ)特性，其品质因数(FOM=RDS(on)x Qgd)为120．比最接近的竞争产品低33％之多。FDS3572还具有最佳的总门电荷(在VGS=10V为31nC)，

飞兆半导体公司推出N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572,其具备综合性能优势,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7. 5 nC Miller电荷(Qgd),比相同RDS(on)级别的产品低38%。

短沟道MOSFET器件特性的理论研究

通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性.给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据.

超深亚微米n沟道Si-MOSFET中栅介质的击穿

通过改变Si-MOSFET的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度等参数,分析和求解栅介质下载流子迁移率、沟道内电流密度、电场、雪崩产生密度以及隧穿电流的变化,得出当源、漏偏压分别为0.5V和1.0V时,增大栅极电压到18V时,栅氧化层(3nm)被永久性击穿;而在栅、源、漏偏压分别为5V、0.5V、1.0V不变时,减薄栅氧化层到0.335nm时,栅氧化层被永久性击穿。

功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET

MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族

日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新丞件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30－600mΩ，将最高电流等级扩大为6－105A。

Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA436DJ。该器件采用占位面积2x2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。

Vishay的Si7655DN-20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之最佳产品奖

VishayIntertechnology,Inc．宣布其Si7655DN一20VP沟道GenIII功率MOSFET荣获EDNChina2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。

采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。

采用PowerPAK 1212-8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出采用PowerPAK1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET—Si7625DN。在这种电压等级和3．3mm-3．3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。

Vishay Siliconix推出新款通过AEC-Q101认证的40VN沟道TrenchFET~功率MOSFET

目前，VishayIntertechnology，Inc，（NYSE）宣布，推出新款通过AEC—Q101认证的40VN沟道TrenchFET功率MOSFEp—SQM200N04-1mlL。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。

6AN沟道MOSFET栅极驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出LTC4441新的高可靠性（MP级）版本，该器件是一款6AN沟道MOSFET栅极驱动器，在-55℃至125℃的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加DC／DC控制器的输出功率及效率，从而使其能够驱动高功率N沟道MOSFET或多个并联的MOSFET。