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淬回火工艺对N-Mo合金化Cr13型耐蚀塑料模具钢组织与力学性能的影响
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作者 樊译 马党参 +2 位作者 迟宏宵 周健 谢官利 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期8-14,共7页
对N-Mo合金化Cr13型耐蚀塑料模具钢进行925~1150℃保温0.5 h的油淬处理,再分别进行150~300℃保温2 h或者350~600℃保温1 h的回火处理,研究了淬回火工艺对该钢组织与力学性能的影响。结果表明:试验钢淬火后的组织主要为淬火马氏体,随着... 对N-Mo合金化Cr13型耐蚀塑料模具钢进行925~1150℃保温0.5 h的油淬处理,再分别进行150~300℃保温2 h或者350~600℃保温1 h的回火处理,研究了淬回火工艺对该钢组织与力学性能的影响。结果表明:试验钢淬火后的组织主要为淬火马氏体,随着淬火温度的升高,晶粒长大,第二相逐渐固溶进基体,试验钢的硬度先增大后降低,当淬火温度为1050℃时,硬度达到峰值,为57.7 HRC,此时第二相基本固溶进基体,残余奥氏体体积分数仅为8.49%。随着回火温度的升高,试验钢组织由回火马氏体向索氏体转变,第二相逐渐析出并长大;硬度呈先降低后升高再迅速降低的趋势,冲击吸收能量随回火温度的变化规律与回火硬度的变化规律相反,抗拉强度的变化规律与硬度的变化规律一致,屈服强度呈先增大后降低的趋势,并在回火温度为480℃时达到最大值,为1445 MPa;在200℃以上温度回火后试验钢的塑性均保持在一个较好的水平。试验钢获得优异综合性能的热处理工艺为1050℃×0.5 h淬火+200~300℃×2 h回火,此时组织为回火马氏体,硬度为48~53 HRC,抗拉强度为1752~2050 MPa,屈服强度为1171~1223 MPa,冲击吸收能量为41~51 J,断面收缩率为42%~51%,断后伸长率为17.1%~17.7%。 展开更多
关键词 耐蚀塑料模具钢 淬回火 力学性能 n-mo合金化
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AlN-Mo复合陶瓷的导热性能研究
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作者 亢颉 《山东工业技术》 2017年第3期75-75,共1页
微波衰减材料广泛的应用在微波电真空器件和微波测量系统。国内大多数将BeO陶瓷基体的渗碳多孔陶瓷作为微波衰减材料,但因其本身具有毒性,所以安全防护很难达到要求。但是AlN无毒,AlN和BeO两种基体的热导率相近,AlN具有好的化学和热稳... 微波衰减材料广泛的应用在微波电真空器件和微波测量系统。国内大多数将BeO陶瓷基体的渗碳多孔陶瓷作为微波衰减材料,但因其本身具有毒性,所以安全防护很难达到要求。但是AlN无毒,AlN和BeO两种基体的热导率相近,AlN具有好的化学和热稳定性和很高的电阻率等。研究发现将导电颗粒Mo作为微波衰减剂,Mo和AlN具有相近的热膨胀系数和较高的热导率。本文以CaF_2、CaCO_3为烧结助剂,分别采用热压烧结和放电等离子烧结法制备了AlN-Mo复合材料,讨论烧结助剂和Mo含量对该材料热导率的影响。 展开更多
关键词 AL n-mo复合材料 热导率 性能研究
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电源调制电路在T/R组件中的应用与分析 被引量:3
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作者 葛园园 余振坤 +1 位作者 梁东东 罗川川 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2020年第2期71-74,共4页
简述了电源调制电路在T/R组件中对抑制自激和应用在氮化镓(GaN)射频放大器中的重要作用,论述了p型金属氧化物-半导体(p-MOS)场效应晶体管和n型金属氧化物-半导体(n-MOS)场效应晶体管两种调制电路的原理,对两种电路特性进行比较,n-MOS在... 简述了电源调制电路在T/R组件中对抑制自激和应用在氮化镓(GaN)射频放大器中的重要作用,论述了p型金属氧化物-半导体(p-MOS)场效应晶体管和n型金属氧化物-半导体(n-MOS)场效应晶体管两种调制电路的原理,对两种电路特性进行比较,n-MOS在调制电压、电流和速度上优于p-MOS,但由于p-MOS电路简单,其在低功率应用中也被广泛使用。最后,对调制电路中出现阻尼振荡产生的原因进行分析,得到了通过调整外围参数进行优化的方法。 展开更多
关键词 电源调制 氮化镓 p-MOS调制 n-mos调制 发射自激
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Analysis of Drain Modulation for High Voltage GaN Power Amplifier Considering Parasitics
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作者 CHEN Xiaoqing CHENG Aiqiang +2 位作者 ZHU Xinyi GU Liming TANG Shijun 《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》 EI CSCD 2022年第5期521-529,共9页
For high-voltage and high-power Gallium Nitride(GaN)power amplifiers,a drain modulation circuit with rapid rise and fall time is proposed in this paper.To decrease the rise and fall time,the high-side bootstrap drive ... For high-voltage and high-power Gallium Nitride(GaN)power amplifiers,a drain modulation circuit with rapid rise and fall time is proposed in this paper.To decrease the rise and fall time,the high-side bootstrap drive circuit with an auxiliary discharge switch is proposed.The effect of the parasitics is analyzed based on calculation and the parallel bonding is proposed.The storage capacitance of power supply is calculated quantitatively to provide large pulse current.To ensure safe operation of the power amplifier,the circuit topology with the dead-time control and sequential control is proposed.Finally,a prototype is built to verify the drain modulation circuit design.The experiments prove that the rise time and fall time of the output pulse signal are both less than 100 ns. 展开更多
关键词 drain modulation GAN high voltage power amplifier parasitic inductance n-mos driver
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噪声抑制下的语音质量评估方法研究
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作者 掌帆 《信息通信》 2019年第11期56-58,共3页
现代通信设备可能暴露在各种噪声环境中,有效量化终端的噪声抑制效果尤为重要。针对这一问题,引入了ITUT P.835建议书中的S-MOS、N-MOS、G-MOS三维评级方法,对ETSI EG 202396-3、ETSI TS 103106及ETSI TS 103281三种语音质量评估方法进... 现代通信设备可能暴露在各种噪声环境中,有效量化终端的噪声抑制效果尤为重要。针对这一问题,引入了ITUT P.835建议书中的S-MOS、N-MOS、G-MOS三维评级方法,对ETSI EG 202396-3、ETSI TS 103106及ETSI TS 103281三种语音质量评估方法进行梳理,说明了各自的应用场景,最后着重分析了三种评估方法的模型和算法差异。 展开更多
关键词 语音质量 噪声抑制 S-MOS n-mos G-MOS
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基于PID算法的电机调速系统设计
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作者 徐嘉宝 龙慧 +1 位作者 丁慧玉 欧寒芝 《今日自动化》 2021年第8期156-157,共2页
使用MK60FX512VLQ15,采用PID算法对电机进行调速控制,采用N-MOS管搭建的“H桥”电路对电机进行驱动,实验结果表明,该设计能满足不同速度要求的电机调速,可广泛应用于微型直流电机控制中。
关键词 PID算法 n-mos管驱动 直流电机
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