多层W-Si薄膜及其与GaAs衬底间的界面特性

本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。

背电极ZnO:Al薄膜与n-a-Si:H膜接触特性的研究

本文分别采用电子束蒸发和磁控溅射的方法在n型掺杂(n-Si:H)膜上沉积了不同掺杂量和不同厚度的掺Al的Zn O(Zn O:Al)薄膜。通过I-V测试仪测试了两种方法制备的Zn O:Al薄膜与n-Si:H膜的接触特性,结果显示对于电子束蒸发制备的Zn O:Al薄膜,当掺杂浓度为2.5%时n-a-Si:H/Zn O:Al的接触电阻最小,在厚度变化不大的情况下,n-a-Si:H/Zn O:Al的接触电阻随着Zn O:Al厚度的增加而增大。而磁控溅射制备的Zn O:Al薄膜,n-a-Si:H/Zn O:Al的接触电阻随着厚度的增加而不断减小。