基于波段优选的改进N-FINDR端元提取算法

为了解决传统N-FINDR算法光谱信息利用不足,出现重复提取端元的问题,提出基于波段优选的改进N-FINDR端元提取算法。通过对高光谱数据各波段之间的相关性进行分析,保留相关性较弱的波段,去除相关性强的冗余波段,从而高效利用高光谱图像的光谱信息,对高光谱数据进行波段优选。通过实际高光谱数据和模拟数据进行实验分析,并与现有算法进行对比,实验结果表明,基于波段优选的改进N-FINDR端元提取算法在保证算法效率的同时,端元提取的覆盖率达到100%,算法提取的端元光谱与实际地物光谱具有较高的相似性。

一种用于射频前端的谐波整形低功耗N通道滤波器

针对传统射频前端N通道滤波器功耗高,不能根据应用要求选择通过或抑制信号的高次谐波等问题,设计了一款谐波整形低功耗N通道滤波器。该滤波器通过添加具有适当权重的额外路径,可实现谐波抑制和整形的功能。同时,将本振Local Oscillator(LO)信号的n次谐波信号作为时钟信号,降低LO信号频率,时钟信号发生器的动态功耗降低到原来的1/n。SMIC 180 nm CMOS工艺的后仿真结果表明,10通道带通滤波器的中心频率在0.1~6.0 GHz可调,增益为0~5 dB,噪声系数小于4.6 dB,功耗为3.5~6.0 mW,输入三阶交调点(Input 3rd-order Intermodulation Point,IIP3)大于10 dBm,3次和5次谐波抑制分别大于65、90 dB,表明该滤波器具有谐波抑制和谐波整形的功能,且具有较低的功耗。

一种抗噪声折叠宽范围低杂散小数分频锁相环

由于电荷泵的电流失配,小数分频锁相环反馈路径上经整形的量化噪声会被折叠回低频偏处,恶化带内相位噪声的性能。文章提出一种自适应的抗噪声折叠技术,根据工作频率产生合适脉宽的电流以线性化环路,在全频带内避免噪声折叠的同时不恶化参考杂散性能;设计基于TSMC 130 nm CMOS工艺,锁相环覆盖的输出频率范围为0.6~2.7 GHz。仿真结果显示:当输出频率为2.0 GHz时,环路功耗为16 mW,积分抖动为1.98 ps,品质因数为-222 dB;在电荷泵中引入8%的失配后,提出的技术改善带内相位噪声达到7 dB。

REBCO高温超导长带临界电流连续化测量及其均匀性表征

由于具有高临界转变温度(Tc)、高临界电流密度(Jc)和高上临界磁场(Bc2)等优点,第二代高温超导体(REBCO,RE=稀土元素)得到广泛应用,临界电流(Ic)及其沿长度方向均匀性和n-值是重要的关键参数。文章综述了高温超导长带临界电流及其沿长度方向均匀性以及n-值的测量方法,综合比较了各种测量方法的优缺点,并讨论了各种方法的适用范围、测量条件以及测试数据等,旨在为高温超导长带测量方案提供依据,为后续测量标准的制定提供参考。

SrSnO_(3)作为透明导电氧化物的第一性原理研究

SrSnO_(3)是一种钙钛矿结构的宽带隙半导体,透明性高、无毒且价格低廉,是一种有前景的透明导电氧化物的候选者.本文通过第一性原理计算,获得了SrSnO_(3)的电子结构,着重讨论了SrSnO_(3)的本征缺陷、外界元素掺杂的缺陷形成能及过渡能级,筛选出适宜的掺杂元素并指出了对应的实验制备环境,进一步根据带边能量位置对其电导性能机制进行了探讨.计算结果表明,SrSnO_(3)是一种基础带隙为3.55 eV、光学带隙为4.10 eV的间接带隙半导体,具有良好的透明性,电子的有效质量轻,利于n型电导.在富金属贫氧条件下,As,Sb掺杂SrSnO_(3)可以提升n型电导率;SrSnO_(3)的价带顶位于-7.5 eV处,导带底位于-4.0 eV处,其价带顶和导带底的能量位置均相对较低,解释了其易于n型掺杂而难于p型掺杂,符合宽带隙半导体材料的掺杂规律,最后,Sb掺杂SrSnO_(3)被提出为有前景的廉价n型透明导电材料.

基于基板塑封工艺的小型化宽带电调衰减器

为满足自动增益控制(AGC)电路中对电调衰减器小型化的需求,采用4个P型-本征-N型(PIN)二极管构成的对称式Π型衰减网络,通过电路设计和基板塑封工艺,实现了一种小型化宽带电调衰减器。电调衰减器采用2.7 V电源供电,采用1.0~5.0 V控制电压。测试结果表明,在工作频带为30~1000 MHz时,电调衰减器的最小插入损耗的绝对值小于2.9 dB,其最大衰减量的绝对值大于35.0 dB,其回波损耗小于-10 dB。器件封装尺寸为3.8 mm×3.8 mm×1.0 mm,单只器件质量为38 mg。该电调衰减器满足宽频带、低插损的要求,具有小型化、高集成、轻量化的特点。

人类染色体8q24.1带特异性微小卫星DNA的筛选

本研究运用人类高分辨染色体显微切割、ＰＣＲ技术获得的８ｑ２４．１带特异性探针池，构建了该区带的ｐＵＣ１９文库，从中筛选出４８个含ＣＡ重复顺序的微小卫星ＤＮＡ的克隆，已完成１２个克隆的序列分析，发现了一个世界上至今未曾报道过的、在正常人群中已检出１１个等位片段的、杂合度在中国汉族人群和美国盎格鲁撤克逊族人群中分别达０．８４和０．８３的高度多态的微小卫星ＤＮＡ（编号：Ｄ８Ｓ７Ｆ），经ＰＣＲ检测人鼠杂种细胞系列，证实其来源于人８号染色体。

1B/1R易位系——“84059-4-2”的细胞学鉴定

利用 C-分带和 N-分带对普通小麦选系“84059-4-2”的根尖细胞染色体进行分析,发现其中的1B 染色体发生了变异。经带型比较,确定该变异染色体由小麦的1B 和黑麦的1R 易位而来,它包括1B 长臂及其着丝粒和1R 短臂。在中国春双端二体1B 与“84059-4-2”的杂种 F_1植株中,发现95.83%的花粉母细胞出现一个异型二价体和一个游离的短臂端体,未观察到异型三价体的形成,说明该选系中的1B 短臂确实被黑麦染色体所代换,与分带分析结果相一致。“84059-4-2”的花粉母细胞配对正常,农艺性状较好,并对白粉病表现高抗,具有一定的育种利用价值。

小麦和彭梯卡偃麦草杂种及其衍生后代的细胞遗传学研究——Ⅰ.彭梯卡偃麦草及其与普通小麦和硬粒小麦杂种F_1的染色体配对

花粉母细胞中期Ⅰ染色体配对观察发现,长穗偃麦草平均染色体配对构型为:27.65Ⅱ(20—35)+1.15Ⅲ(0—4)+1.22IⅤ(0—4)+0.42Ⅴ(0—2)+0.43Ⅵ(0—2)+0.20Ⅶ(0—1)+0.06Ⅷ(0—1)+0.021Ⅹ(0—1)+0.75Ⅰ(0—5)。大量多价体的出现说明在Th.ponticum中必然存在着染色体组重复。小麦和长穗偃麦草杂种F_1根尖细胞及花粉母细胞染色体醋酸洋红N-带分析发现在Th.ponticum中并无B染色体组存在,并且在杂种F_1花粉母细胞中显带的B组染色体很少参与配对。普通小麦品种Fukuho和“中国春”与Th.ponticum杂种F_1的染色体配对构型分别为:16.40Ⅱ(6—12)+2.78Ⅲ(0—6)+0.55Ⅳ(0—3)+0.25Ⅴ(O—3)+10.87Ⅰ(5—19)和14.73Ⅱ(7—20)+3.12Ⅲ(0—6)+0.67Ⅳ(0—2)+0.63Ⅴ(0—5)+11.19Ⅰ(4—17)。综合两个小麦品种与Th.ponticum杂种染色体配对资料发现20.5%的花粉母细胞中单价体数小于7,表明在Th.ponticum中有与小麦极为相近的染色体组。硬粒小麦品系DR147和该偃麦草杂种F_1花粉母细胞染色体配对构型为:11.92Ⅱ(5—18)+2.14Ⅲ(0—5)+0.54Ⅳ(0—3)+0.41Ⅴ(0—2)+14.93Ⅰ(9—25)。T.aestivum×Th.ponticum F_1由于比T.durum×Th.ponticum F_1多了一个D染色体组,使前者配对染色体数比后者增加了约11条,表明Th.

西藏野生大麦染色体N带带型的图象纹理自动分析

应用图象自动分析和纹理识别的原理，建立了染色体带型自动分析软件系统（ＣＨＢＡＮ．ＨＵＫ），对西藏野生黑稃大麦（Ｈｏｒｄｅｕｍ ａｇｒｉｏｃｒｉｔｈｏｎ Ａｂｅｒ Ｖａｒ．ｎｉｇｒｕｍ）Ｎ带带型进行了计算机自动分析，准确、快速地获得染色体的带型图和带型模式图。

阿拉拉特小麦染色体的C-带和N-带分析

应用C 分带和N 分带技术对阿拉拉特小麦 (TriticumararaticumJakubz ,2n =2 8,AbAbGG)的根尖细胞进行染色体构成分析 ,结果表明 :(1)C 分带和N 分带方法均可以使阿拉拉特小麦染色体显示稳定的带型 ;(2 )根据带型可以明确区分阿拉拉特小麦各条染色体 ;(3)阿拉拉特小麦A、G组染色体带型与普通小麦A、B组染色体带型差异明显 ,利用分带方法可以区分阿拉拉特小麦与普通小麦的染色体 .

层状钨基氧化物复合材料的合成与电子特性

W_2O_6·H_2O/一元烷基胺复合物[(C_nH_(2n+1)NH_2,n=4、8、12、16)嵌入层状氧化钨W_2O_6·H_2O]的XRD、IR、TG-DSC分析表明:烷基胺C_nH_(2n+1)NH_2能基于质子加合的机制嵌入W_2O_6·H_2O层间,且插层复合物之间烷基胺的插入与抽出是个可逆过程;烷基胺嵌入层间后以全反式构象双层排布,层间距d随烷基胺碳原子数的增加而线性增长,烷基链与层板的夹角为71.6°。插层复合物UV-Vis分析发现,各种复合物的禁带宽度相对半导体氧化钨的禁带宽度变宽了很多,这表明可以通过嵌入不同的物质来调节氧化钨层与层之间的电子传递能力。

氢热处理绝缘体表面对金属-绝缘体-金属开关器件I-V特性的影响

在氢气气氛下对绝缘体表面进行热处理提高金属-绝缘体-金属（MIM）器件的I-V特性曲线的对称性，简化了该器件的制作工艺，并探讨底电极掺氮对MIM器件I-V特性曲线的影响，用n-n--n能带模型对MIM器件的I-V特性曲线对称性加以解释．

顶电极对金属-绝缘体-金属器件I-V曲线对称性的影响

通过顶电极金属材料的选择，考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性．并用p-n-n能带模型进行了分析解释．结果表明，采用电负性小于1.6的金属作顶电极，并在一定温度下对该器件进行热处理，可以提高其I-V曲线的对称性．

溶胶-凝胶法制备K-N共掺ZnO薄膜的结构及光学特性

采用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上生长了K与N共掺的ZnO薄膜,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜样品的结构和光学特性进行了研究。结果表明,溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构。随着K掺杂浓度的增大,薄膜的结晶性变好,组成薄膜的颗粒变大,并表现出c轴择优生长特性,同时掺杂导致的氧空位缺陷也在增加,使得绿光发射增强,薄膜的光学带隙先增后减。

N-Al共掺杂TiO_2电子结构及光学性质的理论研究

应用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法研究N和Al单掺杂和共掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构、能带结构、态密度及光学性质。结果表明,掺杂后TiO2的晶格常数、原子间的键长、晶胞体积都发生了不同程度的变化;单掺杂和共掺杂均使得禁带宽度减小,而且位于价带和导带之间的杂质能级能够捕获由价带跃迁至导带的电子,减少光生载流子的复合率,提高TiO2的光催化性能;与单掺杂相比,共掺杂能级分裂较明显,吸收光谱红移幅度更大。

石墨烯基碱金属离子态密度变化规律研究

应用石墨烯态简化吸附模型,研究了吸附在石墨烯上的碱金属离子与石墨烯碳原子的相互作用能V、能带宽度D以及态密度随原子满壳层数的变化规律.结果表明:1吸附在石墨烯上的碱金属离子与石墨烯碳原子的相互作用能V随满壳层数的增多而减小,其大小在0.8~2.0eV之间;而电子能带宽度随满壳层数的变化无明显规律:各元素的能带宽度都较宽(4 000~7 500eV),远大于禁带宽度Δ=4.76eV,其中钾元素的D最大,铷元素的D最小.2石墨烯的态密度随电子能量的变化关于ε=0左右对称,石墨烯中的电子处于正负能量状态的概率相同;电子能量在-100^+100eV范围时态密度严重尖锐化,而其他能量区域态密度的值和变化都很小;电子态密度所处的能量范围随着离子满壳层数的增加而减小.3吸附在石墨烯上的碱金属离子,其态密度随电子能量的变化关于ε=0左右不对称,较多的电子处于正能量状态;碱金属离子中电子处于正、负能量的态密度的差异随着满壳层数的增加而减少.

BN纳米管的结构与性质

采用CASTEP程序包 ,在密度泛函理论 (DFT)框架内 ,在较高的理论水平对BN(n ,0 ) (n =3～ 17)纳米管的几何结构进行了优化 ,优化在a×a×c的正交超原胞中进行 ,并对其结合能和电学性质进行了计算 .结果发现 ,BN(n ,0 )纳米管的结合能随着n的增大而增大 ,并趋于收敛 .BN(n ,0 )纳米管的禁带宽度随着n的增大而增大 ,并收敛于 5 .3 9eV .

N通道带阻滤波器谐波分析与抗混叠研究

N通道带阻滤波器的谐波混叠干扰是一个普遍存在的问题,因此对其抗混叠能力提出了更高要求。本文首先采用伴随网络方法,推导出输入电压到电容采样电压的传递函数,简化了谐波传递函数的计算过程。然后推导出N通道带阻滤波器的完整谐波传递函数,并采用电路仿真加以验证。在UMC110 CMOS工艺环境下,通过分析滤波器参数对谐波混叠的影响,得出适当增加通道数或增大电容值可有效抑制谐波混叠干扰的结论。仿真结果显示,当通道数为16、电容值为50 pF时,滤波器的最大谐波混叠能控制在-27 dB以下,具备良好抗混叠效果。同时提出一种N通道带阻滤波器与前置选频器件级联的设计方案以消除谐波混叠,前置器件截止频率应小于N-1倍的N通道滤波器中心频率。

S波段GaN功率放大器MMIC

基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款S波段Ga N功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。该电路采用三级拓扑放大结构,提高了放大器的增益;采用电抗匹配方式,减小了电路输出级的损耗,提高了MMIC的功率和效率。输出级有源器件的布局优化,改善了放大器芯片的温度分布特性。测试结果表明,在2.8~3.6 GHz测试频带内,在脉冲偏压28 V（脉宽100μs,占空比10%）时,峰值输出功率大于60W,功率附加效率大于45%,小信号增益大于34 d B,增益平坦度在±0.3 d B以内,输入电压驻波比在1.7以下;在稳态偏压28 V时,连续波饱和输出功率大于40 W,功率附加效率38%以上。该MMIC尺寸为4.2 mm×4.0 mm。