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The Effect of Gas Flow Rate on Radio-Frequency Hollow Cathode Discharge Characteristics 被引量:1
1
作者 赵国明 孙倩 +2 位作者 赵书霞 高书侠 张连珠 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第7期669-676,共8页
It is known that gas flow rate is a key factor in controlling industrial plasma processing. In this paper, a 2D PIC/MCC model is developed for an rf hollow cathode discharge with an axial nitrogen gas flow. The effect... It is known that gas flow rate is a key factor in controlling industrial plasma processing. In this paper, a 2D PIC/MCC model is developed for an rf hollow cathode discharge with an axial nitrogen gas flow. The effects of the gas flow rate on the plasma parameters are calculated and the results show that: with an increasing flow rate, the total ion(N+2, N+) density decreases, the mean sheath thickness becomes wider, the radial electric field in the sheath and the axial electric field show an increase, and the energies of both kinds of nitrogen ions increase;and, as the axial ion current density that is moving toward the ground electrode increases, the ion current density near the ground electrode increases. The simulation results will provide a useful reference for plasma jet technology involving rf hollow cathode discharges in N2. 展开更多
关键词 gas flow rate rf hollow cathode discharge PIC/MCC simulation n2 plasma
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N2流量对TiN镀层组织结构与力学性能的影响 被引量:2
2
作者 胡鹏飞 李洪涛 《热加工工艺》 北大核心 2020年第16期102-105,108,共5页
基于磁控溅射离子镀技术,通过改变N2流量在M2高速钢及单晶硅片上制备TiN镀层,研究N2流量对Ti N镀层组织结构与力学性能的影响。结果表明:在试验条件可控范围内,随着N2流量减小,镀层表面形状由棱锥状结构转变为近似于球的等轴形突起,并... 基于磁控溅射离子镀技术,通过改变N2流量在M2高速钢及单晶硅片上制备TiN镀层,研究N2流量对Ti N镀层组织结构与力学性能的影响。结果表明:在试验条件可控范围内,随着N2流量减小,镀层表面形状由棱锥状结构转变为近似于球的等轴形突起,并且镀层表面颗粒直径明显减小,镀层厚度逐渐增加,截面形貌由典型的柱状晶结构转变为纤维状结构,排列整齐致密,且晶粒明显细化;同时,TiN镀层晶粒生长时的择优生长取向会发生一定的变化,镀层整体的晶化率有变大的趋势,镀层硬度及膜基结合强度都逐渐增加,但镀层韧性逐渐变差。 展开更多
关键词 磁控溅射 n2流量 TIN镀层 组织 力学性能
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气体流量对磁控溅射氮化镍薄膜对电极性能的影响
3
作者 何万霞 时方晓 《浙江化工》 CAS 2024年第3期6-11,共6页
目的:开发性能卓越、成本经济的对电极,优化氮化镍薄膜制备工艺。方法:使用直流磁控反应溅射技术探究气体(氮气、氩气)流量对薄膜对电极的性能及组装成染料敏化太阳能电池的光电转化效率的影响。利用X射线衍射仪分析薄膜物相组成、紫外... 目的:开发性能卓越、成本经济的对电极,优化氮化镍薄膜制备工艺。方法:使用直流磁控反应溅射技术探究气体(氮气、氩气)流量对薄膜对电极的性能及组装成染料敏化太阳能电池的光电转化效率的影响。利用X射线衍射仪分析薄膜物相组成、紫外-可见分光光度计对薄膜透光度进行分析、太阳光模拟器和数字源表测定电池的光电转换效率。结果:氮化镍薄膜为四方相Ni2N物质,在通入固定Ar流量(16 mL·min^(-1))的条件下,电池光电转换效率随N2通入量的增加而增加;在通入固定N2流量(10 mL·min^(-1))的条件下,电池光电转换效率随Ar通入量的增加而减小,未通入Ar时为最优(η=2.87%),这与Ar流量为16 mL·min^(-1)、N2流量为10 mL·min^(-1)条件下的电池光电转换效率非常接近,但制备成本更低。此时薄膜透光率接近40%,满足将其作为半透明光伏窗以实现绿色低碳建筑的要求。结论:半透明光伏窗不仅具备窗户的采光功能,还能通过光伏组件发电以降低能耗,为染料敏化太阳能电池和光伏建筑一体化技术相结合提供了可能性,具备较大的节能潜力。 展开更多
关键词 过渡金属氮化物 对电极 磁控溅射 光电转化效率 Ar流量 n2流量
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N2流量对磁控溅射制备NiTiC电阻涂层结构和电性能的影响
4
作者 张晓斌 李海生 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期109-112,152,共5页
为了提高电子设备用NiTiC电阻涂层的导电性能,采用磁控溅射技术在VLP电解铜箔基底上制备NiTiC电阻涂层,通过试验测试研究了N2流量对其组织和电性能的影响。结果表明:随着N2流量提高,在涂层表面形成尺寸更大的颗粒,并且分布形态也更加均... 为了提高电子设备用NiTiC电阻涂层的导电性能,采用磁控溅射技术在VLP电解铜箔基底上制备NiTiC电阻涂层,通过试验测试研究了N2流量对其组织和电性能的影响。结果表明:随着N2流量提高,在涂层表面形成尺寸更大的颗粒,并且分布形态也更加均匀,获得了具有致密组织的涂层。提高N2流量至20 mL/min,沉积颗粒无法充分填补涂层中微孔,导致涂层表面形成大颗粒并发生部分团聚。随着N2流量提高,Ti和N发生更剧烈的反应,沉积速率逐渐变小,使得涂层内Ti原子比例减小。提高N2流量后,N元素在涂层内的比例不断增大,N2进入真空反应室后基本发生了反应溅射过程。逐渐提高N2流量后,得到了负的电阻温度系数,最低电阻温度系数出现在N2流量为15 mL/min时,此时涂层达到了最低内应力。涂层厚度先增大再降低,电阻率则呈现不断增大的变化趋势。 展开更多
关键词 NiTiC涂层 磁控溅射 n2流量 微观组织 电性能
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N2流量对刀具硬质合金表面磁控溅射TiAlSiN涂层组织和摩擦性的影响 被引量:2
5
作者 田伟华 张松锋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期427-431,共5页
运用脉冲直流磁控溅射的方法在刀具硬质合金表面制备TiAlSiN复合涂层,实验测试N2流量对刀具硬质合金表面磁控溅射TiAlSiN涂层组织和摩擦性的影响。研究结果表明:TiAlSiN涂层出现TiSiN和AlN衍射峰。当N2浓度很高时,可以对晶粒生长起到阻... 运用脉冲直流磁控溅射的方法在刀具硬质合金表面制备TiAlSiN复合涂层,实验测试N2流量对刀具硬质合金表面磁控溅射TiAlSiN涂层组织和摩擦性的影响。研究结果表明:TiAlSiN涂层出现TiSiN和AlN衍射峰。当N2浓度很高时,可以对晶粒生长起到阻碍作用,从而获得更加致密的组织结构。当设定较小N2流量时,涂层获得了最高硬度;当N2流量到达100 mL/min时,硬度提高到25.2 GPa,弹性模量保持稳定。随着N2流量的增加,涂层残余应力表现出增加,涂层结合力表现为先增大后减小。随着N2流量的增加,涂层摩擦系数表现出增加,磨损率表现出减小。在N2流量100 mL/min条件下,摩擦系数到达最大值0.55,磨损率到达最小值2.12。设定较低的N2流量,生成许多磨屑,形成犁沟;设定更高的N2流量,表现出更好的耐摩擦磨损性能。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 TiAlSiN涂层 n2流量 摩擦系数 磨损率
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磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究 被引量:14
6
作者 胡敏 刘莹 +2 位作者 赖珍荃 刘倩 朱秀榕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期222-225,共4页
采用反应直流磁控溅射法,在Si基底上制备TiN薄膜。研究了溅射沉积过程申溅射气压和Ar/N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响,并对试验结果进行了分析。研究发现,在Ar/N2气体流量比为15:1时,TiN薄膜的表面均方根粗糙度和... 采用反应直流磁控溅射法,在Si基底上制备TiN薄膜。研究了溅射沉积过程申溅射气压和Ar/N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响,并对试验结果进行了分析。研究发现,在Ar/N2气体流量比为15:1时,TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小。当溅射气压增大时,薄膜厚度减小。当溅射气压为0.3~0.5Pa时,薄膜表面较光滑,电阻率较小。 展开更多
关键词 TIN薄膜 磁控溅射 氩气/氮气流量比 溅射气压 电学性能
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工艺参数对直流溅射沉积CrAlN涂层结构和性能的影响 被引量:11
7
作者 郑康培 刘平 +4 位作者 李伟 马凤仓 杨丽红 刘新宽 陈小红 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期545-549,共5页
采用直流反应磁控溅射的方式,用AlCr合金靶,在高速钢(M2)上沉积CrAlN涂层。采用扫描电镜、X射线衍射、能谱和纳米压痕仪等分析和测量手段,系统研究了Ar/N2气流比、气压和基片温度等工艺参数对CrAlN涂层结构和性能的影响。研究表明,Ar/N... 采用直流反应磁控溅射的方式,用AlCr合金靶,在高速钢(M2)上沉积CrAlN涂层。采用扫描电镜、X射线衍射、能谱和纳米压痕仪等分析和测量手段,系统研究了Ar/N2气流比、气压和基片温度等工艺参数对CrAlN涂层结构和性能的影响。研究表明,Ar/N2气流比、气压和基片温度对涂层均有较大的影响,当Ar/N2气流比为1、总气压为0.2 Pa、基片温度为300℃时所得涂层性能最好,最高硬度和弹性模量分别为34.8,434.3 GPa。 展开更多
关键词 CrAlN涂层 磁控溅射 Ar/n2气流比 气压 基片温度
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聚癸二酸甘油酯的优化合成 被引量:7
8
作者 宁卓远 张青山 李云政 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期373-378,共6页
用等摩尔量甘油和癸二酸在N2流除水条件下缩聚,对N2流量和反应温度进行优化.采用FTIR、酸值、特性黏度、凝胶渗透色谱和1 H NMR对产物进行分析,得到优化反应条件.当N2流量0.1m3/h,聚合温度160℃,反应时间7.75h时,产物羧基酯化率达90.3%... 用等摩尔量甘油和癸二酸在N2流除水条件下缩聚,对N2流量和反应温度进行优化.采用FTIR、酸值、特性黏度、凝胶渗透色谱和1 H NMR对产物进行分析,得到优化反应条件.当N2流量0.1m3/h,聚合温度160℃,反应时间7.75h时,产物羧基酯化率达90.3%,特性黏度为42.0mL/g,数均相对分子质量为2 200,重均相对分子质量为249 800,相对分子质量大于10 000和3 000的组分质量分数分别为50.5%和71.5%.该方法经济性地合成了较高相对分子质量的聚癸二酸甘油酯. 展开更多
关键词 聚癸二酸甘油酯 氮气流量 羟基功能化聚酯 生物降解材料
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氮流量比对直流反应磁控溅射制备氮化铬涂层组织和性能的影响 被引量:6
9
作者 谈淑咏 张旭海 +1 位作者 吴湘君 蒋建清 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期34-37,共4页
采用直流磁控溅射法制备氮化铬涂层,研究了氮流量比对涂层相结构、表面形貌和硬度和涂层结合力的影响。结果表明:当氮流量比在30%~100%变化时,涂层主要由CrN相构成;随氮流量比增加,涂层晶粒形貌由三角锥转变为三角锥与球状共存,涂层变... 采用直流磁控溅射法制备氮化铬涂层,研究了氮流量比对涂层相结构、表面形貌和硬度和涂层结合力的影响。结果表明:当氮流量比在30%~100%变化时,涂层主要由CrN相构成;随氮流量比增加,涂层晶粒形貌由三角锥转变为三角锥与球状共存,涂层变得致密,硬度得到提高;氮流量比对涂层结合力影响不大。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 氮流量比 氮化铬涂层
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氮气流量对非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅-SiN_x薄膜转变的影响 被引量:1
10
作者 李婷婷 周炳卿 闫泽飞 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2019年第3期230-234,共5页
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100 sccm、200 sccm、300 sccm和400 sccm四个梯度,研究非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅SiN_x薄膜材料转变的影响,并利用傅里叶红外变... 基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100 sccm、200 sccm、300 sccm和400 sccm四个梯度,研究非晶SiN_x到含有Si_3N_4晶粒的富硅SiN_x薄膜材料转变的影响,并利用傅里叶红外变换谱、紫外-可见光谱和X射线衍射谱对薄膜样品结构进行表征.结果表明,随着N_2流量的增加,SiN_x薄膜中氮原子浓度减小,Si-N键密度减小,Si-H键密度增加,薄膜中出现Si-Si键并且密度逐渐增加,非晶SiN_x逐渐向富硅SiN_x薄膜转变.同时薄膜光学带隙逐渐变大,缺陷态密度增加,微观结构的有序度减小,也说明N_2的增加对富硅SiN_x薄膜产生有促进作用.此外,薄膜内出现了Si_3N_4结晶颗粒,且晶粒尺度随着N_2流量增加而减小,进一步说明薄膜从非晶SiN_x逐渐向含Si_3N_4结晶颗粒的富硅SiN_x转变.该实验证明了采用PECVD技术制备SiN_x薄膜时,通过控制N_2流量,有助于薄膜从非晶SiN_x逐渐向含有结晶的Si_3N_4的富硅SiN_x薄膜转变. 展开更多
关键词 PECVD技术 氮气流量 Si3N4晶粒 富硅-氮化硅薄膜
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利用铁尾矿合成Si_3N_4粉
11
作者 张淑会 康志强 +2 位作者 吕庆 薛向欣 黄大威 《过程工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1153-1157,共5页
在热力学分析的基础上,以铁尾矿为主要原料,采用碳热还原氮化法合成了Si3N4粉.研究了合成温度和N2流量对反应过程的影响,利用X射线衍射法、扫描电镜等检测了产物的组成及显微结构.结果表明,随着合成温度的升高,产物中Si3N4相增多,1450℃... 在热力学分析的基础上,以铁尾矿为主要原料,采用碳热还原氮化法合成了Si3N4粉.研究了合成温度和N2流量对反应过程的影响,利用X射线衍射法、扫描电镜等检测了产物的组成及显微结构.结果表明,随着合成温度的升高,产物中Si3N4相增多,1450℃时Si3N4相最多,且晶粒多呈等轴柱状或短棒状,此温度是最佳的合成温度.N2流量增加有利于还原氮化反应进行,600mL/min较适宜.合成过程中SiO气体的挥发导致试样质量损失较大. 展开更多
关键词 铁矿石尾矿 碳热还原氮化 SI3N4 合成温度 n2流量
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伊宁煤焦水蒸气气化影响因素及动力学分析
12
作者 闫景波 张志才 陈鸿伟 《电力科学与工程》 2013年第5期56-61,共6页
研究了煤焦粒径、煤焦质量、N2流量、气化温度对伊宁煤焦水蒸气气化的影响。结果表明,随着煤焦变细、煤焦质量减小、N2流量增加、气化温度升高,煤焦的气化反应速率升高。对比了不同的气化模型,发现收缩核模型可以更好地描述气化反应,根... 研究了煤焦粒径、煤焦质量、N2流量、气化温度对伊宁煤焦水蒸气气化的影响。结果表明,随着煤焦变细、煤焦质量减小、N2流量增加、气化温度升高,煤焦的气化反应速率升高。对比了不同的气化模型,发现收缩核模型可以更好地描述气化反应,根据收缩核模型求取的伊宁煤焦活化能为163.11kJ/mol。 展开更多
关键词 煤焦粒径 煤焦质量 n2 流量 气化温度 收缩核模型
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Ar/N_2气体比例对ZrN/WTiN纳米多层膜的影响
13
作者 王明霞 李德军 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第3期31-34,共4页
选择ZrN和WTi N作为个体层材料,利用超高真空射频磁控溅射系统制备ZrN,WTi N和一系列的ZrN/WTi N纳米多层薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)和纳米力学测试系统分析制备参数中Ar/N2气体比例对多层膜结构与机械性能的影响.结果表明:多层膜的纳... 选择ZrN和WTi N作为个体层材料,利用超高真空射频磁控溅射系统制备ZrN,WTi N和一系列的ZrN/WTi N纳米多层薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)和纳米力学测试系统分析制备参数中Ar/N2气体比例对多层膜结构与机械性能的影响.结果表明:多层膜的纳米硬度值普遍高于2种个体材料混合相的硬度值;当FAr∶FN2=5时,ZrN/WTi N纳米多层薄膜出现了ZrN(111),Ti N(111)衍射峰和非晶态,多层膜体系的硬度、应力和弹性模量均达到最佳效果. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ZrN/WTiN多层膜 Ar/n2气体比例
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N_2流量对等离子体增强磁控溅射TiN涂层的影响 被引量:8
14
作者 谢启 付志强 +1 位作者 岳文 王成彪 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期161-167,共7页
目的研究N_2流量对等离子体增强磁控溅射TiN涂层组织结构和性能的影响,优化TiN涂层的制备工艺。方法在不同N_2流量的条件下,采用等离子体增强磁控溅射法制备TiN涂层。采用3D形貌仪和扫描电子显微镜观察涂层的表面形貌,利用X射线衍射仪... 目的研究N_2流量对等离子体增强磁控溅射TiN涂层组织结构和性能的影响,优化TiN涂层的制备工艺。方法在不同N_2流量的条件下,采用等离子体增强磁控溅射法制备TiN涂层。采用3D形貌仪和扫描电子显微镜观察涂层的表面形貌,利用X射线衍射仪测定涂层的相结构,利用显微硬度计测试涂层试样的硬度,利用球-盘摩擦磨损试验机考察涂层试样的摩擦磨损性能,利用能谱仪分析磨痕表面的化学组成。结果 N_2流量小于61.5 mL/min时,增加N_2流量对总气压和靶电压的影响很小;N_2流量超过61.5 mL/min后,总气压和靶电压均随着N_2流量的增加而显著增大。随着N_2流量的增大,制备的TiN涂层X射线衍射谱中的TiN(111)、TiN(220)衍射峰强度不断增大,TiN(200)衍射峰强度先不变后突然减小。N_2流量约为61.5 mL/min时,制备的TiN涂层试样的致密性最好,硬度最高。N_2流量在50~61.5 mL/min范围内,制备的TiN涂层试样的磨损率较低,最低可达7.4×10^(-16) m^3/(N·m)。当N_2流量超过63 mL/min后,TiN涂层试样的磨损率显著增大。结论 N_2流量对等离子体增强磁控溅射TiN涂层择优取向、硬度及摩擦磨损性能的影响较显著,N_2流量约为61.5 mL/min时,制备的TiN涂层试样的硬度和耐磨性最好。 展开更多
关键词 等离子体增强磁控溅射 TIN涂层 n2流量 迟滞回线 微观结构 摩擦磨损性能
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N掺杂Cu2O薄膜的低温沉积及快速热退火研究 被引量:2
15
作者 自兴发 叶青 +3 位作者 刘瑞明 程满 黄文卿 何永泰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第16期21-25,共5页
采用氧化亚铜(Cu_2O)陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu_2O(Cu_2O∶N)薄膜,并在N_2气氛下对薄膜进行了快速热退火处理,研究了N_2流量和退火温度对Cu_2O∶N薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光电... 采用氧化亚铜(Cu_2O)陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu_2O(Cu_2O∶N)薄膜,并在N_2气氛下对薄膜进行了快速热退火处理,研究了N_2流量和退火温度对Cu_2O∶N薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光电性能的影响。结果显示,在衬底温度300℃、N_2流量12sccm条件下生长的薄膜为纯相Cu_2O薄膜;在N_2气氛下对预沉积薄膜进行快速热退火处理不影响薄膜的物相结构,薄膜的结晶质量随退火温度(<450℃)的升高而显著改善;快速热退火处理能改善薄膜的结晶质量和缺陷,降低光生载流子的散射,增强载流子的传输,预沉积Cu_2O∶N薄膜经400℃退火处理后展示出较好的电性能,薄膜的霍尔迁移率(μ)为27.8cm^2·V^(-1)·s^(-1)、电阻率(ρ)为2.47×10~3Ω·cm。研究表明低温溅射沉积和快速热退火处理能有效改善Cu_2O∶N薄膜的光电性能。 展开更多
关键词 氧化亚铜 n2流量 低温沉积 快速热退火 光电特性
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N_2流量对GaN的形貌及光学和电学性能的影响 被引量:1
16
作者 翟化松 王坤鹏 +3 位作者 余春燕 翟光美 董海亮 许并社 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2027-2033,共7页
采用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上以Ni为催化剂,金属Ga和NH3为原料合成了GaN微纳米结构,并研究了N2流量对产物GaN的形貌及光学和电学性能的影响。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、Xray能谱仪(E... 采用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上以Ni为催化剂,金属Ga和NH3为原料合成了GaN微纳米结构,并研究了N2流量对产物GaN的形貌及光学和电学性能的影响。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、Xray能谱仪(EDS)、光致发光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)等测试手段对样品的形貌、结构、成分、光学和电学性能进行了分析。结果表明,随着N2流量的增加,产物GaN的形貌发生了由微米棒到蠕虫状线再到光滑纳米线的转变;生成的GaN均为六方纤锌矿结构;样品均表现出383 nm的近带边紫外发射峰和470 nm左右的蓝光发射峰;所有样品均为p型;并对产物GaN的形貌转变机理进行了分析。 展开更多
关键词 n2流量 GaN微米棒 蠕虫状GaN GAN纳米线 化学气相沉积
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氮流量对孪生靶磁控溅射沉积氮化铬薄膜性能的影响 被引量:2
17
作者 袁燕 李花 +3 位作者 张海宝 杨丽珍 刘忠伟 陈强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1381-1386,共6页
采用中频孪生靶反应磁控溅射在金属镍基底上制备氮化铬薄膜。利用X射线衍射仪、显微硬度计、扫描电子显微镜、原子力显微镜、磨擦磨损试验仪和电化学工作站等系统研究了氮气流量(即氮/氩流量比)对薄膜的相结构、显微硬度、表面形貌、附... 采用中频孪生靶反应磁控溅射在金属镍基底上制备氮化铬薄膜。利用X射线衍射仪、显微硬度计、扫描电子显微镜、原子力显微镜、磨擦磨损试验仪和电化学工作站等系统研究了氮气流量(即氮/氩流量比)对薄膜的相结构、显微硬度、表面形貌、附着力、耐磨性和耐腐蚀性的影响。结果得到随氮/氩流量比的增加,CrN_x薄膜成分经历了一个由Cr→Cr+Cr N→Cr+Cr_2N+Cr N的演化过程,薄膜形貌由致密、球状颗粒向类长方体规则形状的面心结构转化;而薄膜的表面粗糙度则呈现出在低氮时稍微下降,高氮含量时又快速增加的趋势,在N_2/Ar流量比为23/53时,粗糙度达到最小;耐磨性、硬度都呈现随着氮流量的增加先上升后下降;薄膜耐腐蚀性能随氮的加入明显得到改善。综合性能分析认为,制备2.5μm厚的氮化铬薄膜时在N_2/Ar(流量比)为23/53较为合适。 展开更多
关键词 磁控溅射 氮化铬薄膜 氮流量比 孪生靶
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CO_2吸收增强气化制备氨合成原料气的可行性 被引量:1
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作者 王逊 高峻 《煤炭转化》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期24-30,共7页
以煤和低浓度煤层气共气化制备氨合成原料气,煤层气提供合成所需的氮组分,从而取消常规制气的补氮过程或替代空气气化;采用CO2吸收增强制气,在造气工段制得φ(H2)/φ(N2)=3,φ(CO2+CO)≤0.30%,φ(H2)≥70%的粗煤气,可直接进入醇烷化或... 以煤和低浓度煤层气共气化制备氨合成原料气,煤层气提供合成所需的氮组分,从而取消常规制气的补氮过程或替代空气气化;采用CO2吸收增强制气,在造气工段制得φ(H2)/φ(N2)=3,φ(CO2+CO)≤0.30%,φ(H2)≥70%的粗煤气,可直接进入醇烷化或醇烃化精制岗位.为论证系统的可行性和适宜操作条件,采用热力学平衡模型分析煤气组分随制气反应条件变化的规律,提出可一步制得φ(H2)/φ(N2)=3,φ(CO2+CO)≤0.30%,φ(H2)≥70%的制气反应条件和煤层气流量;根据煤层气温度、压力与爆炸极限的关系,确定催化转化/脱氧反应器的操作参数.结果表明,以合成原料气组分衡量,基于CO2吸收增强气化的煤和低浓度煤层气制气方法可行,且有利于简化调比和气体净化过程. 展开更多
关键词 CO2吸收增强制气 煤和煤层气共气化 CO2+CO含量 氢氮比 制气操作条件 煤层气脱氧
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非平衡磁控溅射沉积Ti-N薄膜色彩和性能调控研究 被引量:2
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作者 严晟硕 李安锁 +4 位作者 祝超越 叶崇晖 章陵 鲍晓晅 鲍明东 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期168-173,共6页
目的研究Ti-N薄膜颜色和硬度及其结合强度的影响因素。方法利用封闭磁场非平衡磁控溅射离子镀膜技术,该变溅射偏压、氮气流量等参数,分别在304不锈钢基体和载玻片基体上沉积多彩Ti-N薄膜。用努氏硬度、划痕法和球坑法分别评价Ti-N薄膜... 目的研究Ti-N薄膜颜色和硬度及其结合强度的影响因素。方法利用封闭磁场非平衡磁控溅射离子镀膜技术,该变溅射偏压、氮气流量等参数,分别在304不锈钢基体和载玻片基体上沉积多彩Ti-N薄膜。用努氏硬度、划痕法和球坑法分别评价Ti-N薄膜的显微硬度和结合强度等性能。结果当偏压和溅射电流分别为-60 V和2 A时,将反应气体氮气流量从3sccm逐渐增加到20sccm,Ti-N薄膜颜色依次发生从"淡黄-金黄-红黄-紫红-金黄"的循环变化趋势。薄膜的硬度随氮气流量的增加在601~700HK之间呈逐步上升的趋势。膜基结合普遍较好。当氮气流量和溅射电流分别为10sccm和2 A时,将负偏压从-50 V逐渐增加到-120 V,薄膜颜色从淡黄色变成金黄色,膜基结合强度较好。硬度随偏压的增加变化不明显。结论影响Ti-N薄膜颜色的主要因素为氮气流量,偏压也可以轻微地改变薄膜颜色,但对薄膜性能影响并不明显。 展开更多
关键词 磁控溅射 Ti-N薄膜 氮气流量 溅射电流 偏压 薄膜颜色
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磁控溅射反应法制备TiN纳米薄膜 被引量:2
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作者 王槐乾 姜宏伟 《真空》 CAS 2019年第4期37-39,共3页
为研究N2压强以及流量在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变N2气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为300℃,时长2h下生长TiN薄膜。采用电子扫描显微镜(SEM)表征薄膜形貌,获得不同的TiN薄膜微观图像。通过改变工艺参数,可... 为研究N2压强以及流量在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变N2气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为300℃,时长2h下生长TiN薄膜。采用电子扫描显微镜(SEM)表征薄膜形貌,获得不同的TiN薄膜微观图像。通过改变工艺参数,可以制备具有不同微观形貌的TiN薄膜。 展开更多
关键词 TIN 磁控溅射 n2流量 n2气压
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