N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响

采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后强度有所提高。但经过高温热处理后,EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子,这些N原子与Si原子结合,消除Si的悬挂键,降低了非辐射复合中心的浓度;而热处理后发生的原子重排,使得N原子与Si原子断开,进而与O原子结合,致使EL强度降低。

非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管关键工艺研究

为优化金属氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT)的特性,采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层,制备出具有刻蚀阻挡层(Etch stop layer,ESL)结构的IGZO TFT,在2.5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O_2浓度、IGZO沉积后N_2O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N_2O/Si H4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压(Vth)的影响。实验结果表明:IGZO沉积过程中O_2浓度的增加、IGZO沉积后N_2O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的V_(th)正偏移。