NAND型闪存大容量图像存储器无效块管理

针对NAND型闪存大容量图像存储器存在无效块的问题,提出了一种无效块快速检测与管理算法.在分析闪存写入无效块和非写入无效块的基础上,采用基于CAM的无效块信息分类匹配检测机制.闪存在擦除、写入和读取操作过程中采用CAM和SRAM匹配检测无效块,并存储新增长无效块.另外高速图像写入闪存过程中,提出了基于SRAM数据备份的方法,防止图像数据存储错误.通过搭建基于FPGA的闪存图像存储器硬件平台,实验证明该算法能够在5个系统时钟周期内匹配无效块,能够在3个系统时钟周期内存储新增无效块,能够匹配连续无效块信息,并实现数据备份.

NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势,由于受其他因素的综合影响,各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。

无缝坏块处理与流水编程的NAND型内存控制器设计与实现

为满足航天大容量存储系统对高速存储及数据完整的需求,实现了一个基于NAND型内存的高性能控制器,提出了一种实现于NAND型内存芯片内部的流水编程机制,以及一种可以保证数据无缝连接的坏块处理机制。介绍了存储控制器的各个模块设计,并分析了不同情况编程机制所需的时间计算方法,建立仿真模型,利用蒙特卡洛方法仿真并讨论了流水编程机制的性能优化效果。在实际硬件平台验证了流水编程机制和坏块处理机制,结果表明该大容量存储系统的存储速率可达100MB/s,读取数据与存入数据保持一致,数据无乱序无丢失。

一种适用于NAND型Flash存储器译码故障检测的改进对角线算法

为保证有故障的进口低等级NAND型Flash存储器在装机前的二次筛选环节能够被准确剔除,以存储器的存储阵列结构分析为出发点,结合NAND结构的实际特征,以三星公司生产的K9F2G08U0A-PCB0/PIB0商业级Flash芯片为研究对象,对现有的用于测试存储器译码故障的对角线算法进行改进,并通过总剂量试验使存储器产生部分坏块来验证改进算法的有效性。结果表明,改进后的对角线算法能够很好地检测出存储器的译码故障,解决了原有对角线算法不适用于NAND型Flash存储器译码故障检测的问题。

美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit，可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。

海力士成功开发出采用3重单元技术的32GbitNAND型闪存

韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）于2008年6月3日宣布成功开发出采用3重单元（3bit／单元）技术的32GbitNAND型闪存。此次开发出的产品与原来的多层单元（MLS）技术相比，芯片面积能减少30％以上，可大大节约成本。该公司将以此新技术为基础，把仅限于量产16Gbit产品的48nm工艺扩大至32Gbit产品领域。该公司计划从2008年10月开始量产。

满足照相手机需求三星、东芝扩增NAND型闪存产能

日本经济新闻报导指出，照相手机成为现代人随身配备后可能带动全球NOR型与NAND型闪存市场势力的板块推移。尽管NAND型Flash锁定在许多消费性电子应用装置，包括MP3播放机、U盘与其他数据存储市场，但NAND型Flash与NOR型Flash一较高下的主战场仍在手机市场。尤其随着数码相机几乎已成为手机功能的标准配备之后，从内置手机照相功能所需的存储与编写来看，

NAND型闪存不溢出存储设计

针对在无人值守的工作环境下,数据存储系统由于数据量太大而发生溢出的现象,以K9K8G08U0A闪存为例,设计读、写、擦除基本的操作,引入非离散数据与离散数据的概念来标识需要存储的数据,利用数据回卷机制来存储数据,把存储空间分成坏块记录区、非离散数据存储区和离散数据存储区3部分,同时设计数据写入方式,确保每次写入的数据在离散履历区和非离散履历区均存在。设计结果表明:在达到离散存储区最大值时,将存储引向离散存储区的开始位置,使离散存储区变成首尾相连的闭合环,从而实现数据存储不溢出;针对数据回卷造成存储时间较早的数据部分或全部被覆盖,造成数据的不完整,采用数据反向分析的方法,通过比较相邻数据存储空间是否有交集来分解出正确的数据;使用数据回卷的存储机制,使存储空间变成一个"永远存不满的空间",确实保证了数据存储不溢出,保存了最新最近的数据。

存储器厂商转向NAND巨型工厂

不久前,Novellus System的CEO Rick Hill拜访了韩国海力士半导体的M11 fab,他惊讶于该fab的巨大规模,同时也很满意地得知八十亿美元的设备采购预算。在未来几年内,将会兴建几个生产规模达到每月150，000～200，000片晶圆（wspm）的fab，主要针对NAND型闪存在固态硬盘（SSD）领域潜在的巨大市场。Hynix Mll fab为两层200米×80米的厂房，计划产能为300，000 wspm。

三星推出8GB NAND型闪存

三星电子日前推出全球存储量最大的8GB NAND型闪存芯片。由于NAND是一种可以迅速输入和删除信息的高密度存储芯片,因此广泛应用于数码相机中。新芯片是依靠三星特有技术开发出来的,这种技术可将4个2GB

NAND Flash坏块管理研究

在当今数字技术飞速发展的时代,NAND Flash因其非易失性及可擦除性而在数码相机和固态MPEG-4摄像机图像存储及电子硬盘应用方面需求越来越大,也已广泛应用于诸如Apple iPod Nano和SanDisk Sansa等最新媒体播放器的音乐和视频存储。我们主要研究了NAND Flash中坏块出现的原因,对坏块进行了分类,并且提出了相应的管理方案。

浅析闪速存储器接口的类型与应用

本文主要对闪速存储器(闪存)的接口类型和应用进行浅析。通过对闪速存储器的NOR型和NAND型所涉及到的各种接口分类、接口应用的时序和传输方式的比较,进一步的阐明了闪速存储器接口的特性和应用的趋势。

微电子所展出3D NAND存储器技术成果

在最近召开的第十二届武汉光博会上,微电子所中科新芯三维存储器研发中心与武汉新芯集成电路制造有限公司合作研发的先进3D NAND型闪存存储器芯片亮相大会。该技术成果是微电子所充分发挥产—研联合研发新模式的优势与潜力,经过近8个月的技术攻关,与武汉新芯集成电路制造有限公司联合研发的首款具备9层存储结构的三维存储器件。微电子所科研人员承担了工艺流程设计、关键工艺模块开发、存储器测试芯片设计等重要任务。

一种延长NAND闪存寿命的新策略

提出预测刷新策略来延长与非型(NAND)闪存寿命。预测刷新的核心是挖掘闪存中块的最大刷新周期,然后使用该周期刷新块来减少驻留错误,保证块中页的错误数(FBC)在错误纠正码(ECC)的纠错能力范围内。预测刷新利用驻留错误与驻留时间近似线性的关系和使FBC逐渐逼近刷新区间的思路,根据前两次的实测数据预测下一次的检测时间,能准确、简单地获得块的最大刷新周期,且不受单元工艺波动影响。在软硬件结合的现场可编程门阵列(FPGA)测试平台下对多值存储(MLC)NAND闪存进行测试,结果表明:预测刷新策略相比于不刷新策略最大能延长NAND闪存7倍的寿命;相比于周期刷新策略最大能减小74%的系统干扰;并且刷新周期检测准确度高。

一种基于功能表的高效FTL算法

FTL用于将闪存模拟成标准的块设备以屏蔽其写前进行擦除的特性。传统的FTL算法采用扫描冗余区的方式建立映射表,初始化速度慢,并通过单纯的映射表实现地址转换,只能部分改善空间利用率,有的甚至提高了块回收代价,使运行效率变得低效。本文提出了功能表的思想,通过状态表寻址直接建立块映射表和块信息来提高启动速度,降低空间复杂度。通过将映射表与块信息相结合来实现读写操作中地址的查找,均衡了空间利用率和回收代价。

OAFTL:一种面向企业级应用的高效闪存转换层处理策略

基于NAND闪存的存储设备通过引入闪存转换层来对闪存芯片进行封装,使得闪存存储设备像普通块设备一样使用.闪存转换层算法的性能很大程度上决定了闪存设备的存储性能,已有方法尽管可以在嵌入式环境下正常工作,但当应用到随机访问频繁的企业级应用环境中时存在访问性能低的问题.提出了一种面向企业级应用的闪存转换层算法OAFTL,该算法基于页级地址映射,根据访问操作的类型来组织映射项信息,通过为映射页保留日志信息来缓冲频繁修改的映射信息,以提高闪存读、写性能.实验结果表明,提出的OAFTL算法能够有效地适应企业级工作负载,同已有方法相比,综合读写性能提升了20%以上.

与忆正存储工程师畅谈固态硬盘

计算机技术的飞速发展离不开存储设备的支持，从半个世纪前第一块温彻斯特硬盘出现至今，从最初的几MB到现在的数TB，这种硬盘作为计算机，尤其是个人计算机的主要存储器为IT产业的发展立下了汗马功劳。然而时过境迁，随着人们对数据存储要求的不断提高，这种硬盘的缺点也逐渐暴露出来，尤其是固有的机械结构成为其不可逾越的一道障碍。而最近两年，一股新的势力开始崭露头角，那就是用NAND型闪存作为存储介质的SSD（Solid State Disk）固态硬盘。今天我们就邀请到这方面的专家——忆正存储技术（深圳）有限公司的资深工程师李四林先生，一起讨论关于SSD固态硬盘的种种话题。

电子元器件价格初现见底迹象

持续下跌的电子元器件价格近日初现见底迹象，电子行业的风向标——电视液晶面板中，32英寸的主力产品价格止跌回升，广泛应用于MP3及数据相机中的NAND型闪存价格也已连续两个月上涨。自去年秋天以来，日本企业通过持续减产调整库存，面对当前的利好形势，多数企业认为需求增长只是昙花一现，列恢复生产持审慎态度，电子元器件的生产规模依然较低。