NEA光电阴极的表面模型

回顾了NEA光电阴极不同的表面模型 ,对异质结模型、偶极子模型和铯的弱核力效应进行了重点介绍。异质结模型可以成功解释P型GaAs和 (Cs,O)激活层之间界面势垒的存在 ,但这种具有体效应的异质结无法与 (Cs,O)层的厚度相统一 ;偶极子模型认为在阴极表面形成的偶极层导致了逸出功的下降 ,其双偶极层模型能较好地预测和解释最佳的 (Cs ,O)激活层厚度 ,但不同的双偶极层模型对于氧在表面层存在的化学形态存在争议 ;铯的弱核力场效应认为铯表面层的弱核力场及氧的离化作用是界面势垒和负电子亲和势的形成原因 ,但它所认为的逸出功降低与基底材料无关还需进一步验证。

NEA光电阴极研究的最新进展及其制备技术探讨

以GaAs为代表的NEA光电阴极的应用范围越来越广,经过几十年的发展,NEA光电阴极的研究已经取得比较显著的成就,但就NEA光电阴极本身而言,尚有许多问题没研究清楚。从NEA光电阴极的掺杂方式、激活工艺、性能评估、铟封工艺和稳定性等方面探讨了最新的研究进展,给出了最新的技术指标及实现这些指标的方法,为下一步的深入研究提供必要的参考。

反射式NEA光电阴极Cs-O层厚度的在线测试

提出了对 NEA 光电阴极的 Cs-O 层厚度进行在线测试方法,介绍了 NEA 光电阴极评估系统的结构,随后介绍了在 NEA 光电阴极制备过程中的光谱响应的变化,得到了响应曲线。通过对响应曲线的在线测试,以获得 NEA光电阴极 Cs-O 层的最佳厚度,根据实验结果提出了结论。

透射式GaAs光电阴极激活技术研究

通过对成像器件GaAs负电子亲合势 (NEA)光电阴极激活技术的研究 ,运用分析仪器进行工艺质量在线监测 ,在大、薄、匀的GaAs外延层激活出的台内阴极灵敏度大于 130 0 μA/lm。

基于光谱响应测试的光电阴极性能评估

NEA光电阴极性能评估的目的就是求出NEA光电阴极有关特性参数,从而进一步分析光电阴极性能优劣的原因。动态光谱响应测试技术为NEA光电阴极的制备及其性能评估提供了实时直观的参考,是获得高性能光电阴极的重要保证。本文通过对NEA光电阴极光谱响应的在线测试,采用曲线拟合方法,实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。

光电阴极的研究进展

光电阴极的材料决定了光电发射的量子效率、暗发射电流和出射电子能量分布等重要性能。本文介绍各种类型的光电阴极发射材料,包括碱金属和半导体材料。其中重点介绍半导体材料中的多碱光电阴极和负电子亲和势(NEA)光电阴极,并对多碱光电阴极的制备流程及性能测试和影响NEA光电阴极量子效率等因素进行详细的分析。

GaN负电子亲和势光电阴极的激活工艺

以金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延的p型GaN为阴极发射层材料,通过对激活过程中阴极光电流的在线监测,考察了Cs激活,Cs/O交替激活以及高低温两步激活对GaN阴极光电发射性能的影响。实验结果表明,单用Cs激活就可制备出量子效率约为20%的GaN光电阴极,Cs激活后再进行2～3个Cs/O循环激活可小幅度提高量子效率,高低温两步激活不能进一步提高量子效率。利用偶极层表面模型对实验现象进行了解释。