AlGaAs/GaAsHBT非等温能量平衡模型(NEB)及其数值分析

本文探讨了包含异质结和晶格加热效应下非等温能量平衡模型(NEB),且将其用于AlGaAs/GaAsHBT的数值分析中,并在二维器件模拟器中实现。通过与用简单的模型计算得到结果比较得出:NEB模型能更好说明实验得到的结论。

多指PHEMT器件热点和热阻数值研究

随着大功率半导体器件的发展,其局部热流密度急剧增加。为防止器件功能失效,需要可靠的建模技术来研究器件的热学行为,进而指导其冷却设计。本文采用非等温能量平衡模型研究了自热效应对栅长为500nm的多指GaAs赝配高电子迁移率固态微波功率器件(PHEMT)的热学特性的影响。基于泊松方程、连续性方程、输运方程和晶格热方程,数值求解得到了器件的热点位置和温度分布,并通过实验进行了验证。最后,应用(?)理论,进-步分析了(?)耗散热阻在评价器件热学性能方面的适用性。