一种快速瞬态响应的无片外电容LDO稳压器设计

基于LDO稳压器的工作原理,设计了一种快速瞬态响应的无片外电容LDO稳压器电路.LDO稳压器主要包括无运放带隙基准源、误差放大器、瞬态响应增强模块、功率调整管及NMOS管反馈网络.提出一种新结构的瞬态响应增强电路,加快功率调整管栅极的充放电速度,实现了快速瞬态响应.电路采用TSMC 0.18μm标准CMOS工艺实现,版图尺寸为190μm×210μm,后仿真结果表明:在输入电压为3.3V时,输出电压为2.15V,轻载与满载之间跳变的建立时间最大为0.6μs,低频时PSRR为-63dB,压差为50mV.

一种新型低功耗D锁存器设计

本文提出了一种新型低功耗D锁存器,通过在直接交叉耦合D锁存器的接地端串联一个由输出反馈控制的NMOS管,部分消除了锁存器状态转换过程中的竞争现象,从而减小了电路的短路功耗,在数据保持阶段由晶体管的堆叠效应降低了电路的漏功耗。标准电源电压下HSPICE仿真测试结果表明,与直接交叉耦合D锁存器相比,新型D锁存器的漏功耗与动态功耗分别下降了13.5%和61.9%;与传输门D锁存器相比,漏功耗与动态功耗分别下降了9.3%和2.1%。应用新型D锁存器实现了4位伪随机序列信号发生器,仿真结果表明电路具有正确的逻辑功能,与传输门D锁存器构成的伪随机序列信号发生器相比动态功耗降低了18.9%,漏功耗降低了16.7%。