一种NMOS型折叠和内插电路及其SPICE分析

将折叠和内插技术应用于高速Ａ／Ｄ转换器中。以３μｍ器件参数、５Ｖ工作电压，分析了一种ＮＭＯＳ型折叠和内插电路在全温区范围内的功能，以及ＮＭＯＳ管衬底偏置效应和误差的影响。结果表明，在通常的工艺条件下，折叠电路可处理２．４Ｖ１ＭＨｚ的满幅度输入信号，数字采样速度大于１ＭＳ／ｓ，包含第一级内插电阻的折叠电路功耗为１４ｍＷ。

H型栅NMOS器件Kink效应的研究

H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测和TCAD仿真数据,分析了H型栅NMOS器件发生Kink效应的机理,并且基于0.15μm SOI工艺,进一步量化分析了顶层硅膜厚度、阱浓度、栅尺寸、温度以及总剂量辐照等方面对Kink效应的影响。最终结果表明,高漏极电压下NMOS器件体区积累大量空穴导致寄生NPN三极管开启,从而引发了Kink效应。本工作完善了H型栅NMOS器件Kink效应的研究,为PDSOI电路设计中抑制Kink效应提供了有益的参考。

总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究

对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究。研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;任一几何尺寸8型栅NMOS饱和漏极电流在不同辐射总剂量下相比直栅有着良好的稳定性。同时,小宽长比8型栅饱和漏极电流的差异来源于栅源重叠宽度的不同,大宽长比8型栅饱和漏极电流的大小不再受到栅源重叠宽度的影响;180nm工艺下不同几何尺寸8型的栅阈值电压在测试中都稳定在0.41V,显著优于直栅。

深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟

为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10^8~1×10^10(Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出,γ剂量率在小于5×10^9 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力,为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。

中西医结合治疗复发型视神经脊髓炎1例

复发型视神经脊髓炎(视神经脊髓炎neuron melitis opticaNMO,以下简称NMO)是NMO发展演变过程中的一种,其表现为多时相的过程,症状体征反复诱解或复发。

高性能晶体振荡器及频率校准电路设计

设计了一种高性能Pierce晶体振荡器及频率校准电路。采用耗尽型NMOS管实现低功耗的1.5 V基准电压,晶体振荡电路采用基准电压供电,降低了振荡器的功耗同时提高输出频率的精度。为了进一步提高输出频率的精度,芯片内部集成熔丝修调电路,通过校正晶振负载电容,实现芯片封装后振荡电路输出频率的校准,校准范围为(-52.216 ppm,54.962 ppm),校准最大步长为3.723 ppm。增加数字方式校准电路,在具有温度检测功能的系统中,可以扩展实现计时的温度补偿功能,提高芯片的计时精度,校准范围为(-189.100 ppm,189.100 ppm),校准步长为3.050 ppm。电路在0.5μm-5 V CMOS工艺上实现。整个时钟芯片版图面积为0.842 mm×0.996 mm。

一种新颖不带电阻的基准电压源电路设计

基于标准SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低温漂、高精度基准电压源,该电压源是根据两个工作在饱和区的NMOS管的栅源电压差原理,产生一个与绝对温度成正比(PTAT)的电流,利用它对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,得到该电压源。此基准电压源电路仅使用NMOS和PMOS晶体管来实现。在-40^+80℃的温度变化范围内,它的温漂系数约为6.12 ppm/℃。

一种集成于BUCK芯片的5V低压差线性稳压器

基于BCD工艺设计了一种12 V输入5 V输出的带有片外电容的低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,该电路主要应用于降压拓扑(BUCK)系统中,给内部模拟电路供电。该LDO使用N型场效应晶体管(NMOS)做输出管,使用密勒补偿,同时还带有温度系数调整功能。使用仿真软件进行仿真验证,仿真结果表明在100 mA负载条件下,电路具有87°的相位裕度,温度系数为2×10^(-6)/℃左右。