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NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较
被引量:
1
1
作者
何宝平
王桂珍
+2 位作者
周辉
罗尹虹
姜景和
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期1229-1231,共3页
利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸...
利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 .
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关键词
nmosfet器件
Γ射线
电子
质子
剂量率
辐射损伤
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职称材料
软击穿对NMOSFET器件特性的影响
2
《电子产品可靠性与环境试验》
2001年第6期48-48,共1页
关键词
软击穿
nmosfet器件
晶体管
特性影响
栅
漏极
漏电流
下载PDF
职称材料
深亚微米存储器各器件辐照特性研究
3
作者
王佳宁
景欣
陆虹
《微处理机》
2013年第5期20-24,28,共6页
为了研究抗辐照的EEPROM,针对其系统中的关键元器件(高压NMOS、低压NMOS,高压PMOS、低压PMOS和SONOS存储单元)进行了总剂量辐照实验的研究和分析,同时考虑FN、CHE编程的存储单元的辐照特性差别,为设计抗辐照的EEPROM电路提供理论、实验...
为了研究抗辐照的EEPROM,针对其系统中的关键元器件(高压NMOS、低压NMOS,高压PMOS、低压PMOS和SONOS存储单元)进行了总剂量辐照实验的研究和分析,同时考虑FN、CHE编程的存储单元的辐照特性差别,为设计抗辐照的EEPROM电路提供理论、实验依据。实验结果表明辐照对低压管(低压NMOS和低压PMOS)的影响主要表现在漏电增加;辐照对高压管(高压NMOS和高压PMOS)的影响主要表现在阈值漂移;辐照对SONOS存储单元的影响主要表现在阈值漂移。从编程方法上讲FN编程有利于提高SONOS存储单元的抗辐照特性。
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关键词
深亚微米
总剂量
SONOS结构存储器
nmosfet器件
PMOSFET
器件
下载PDF
职称材料
题名
NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较
被引量:
1
1
作者
何宝平
王桂珍
周辉
罗尹虹
姜景和
机构
西北核技术研究所西安市
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期1229-1231,共3页
文摘
利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 .
关键词
nmosfet器件
Γ射线
电子
质子
剂量率
辐射损伤
Keywords
gamma rays
electrons
protons
dose rate
radiation damage
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
软击穿对NMOSFET器件特性的影响
2
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2001年第6期48-48,共1页
关键词
软击穿
nmosfet器件
晶体管
特性影响
栅
漏极
漏电流
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
深亚微米存储器各器件辐照特性研究
3
作者
王佳宁
景欣
陆虹
机构
中国电子科技集团公司第四十七研究所
出处
《微处理机》
2013年第5期20-24,28,共6页
文摘
为了研究抗辐照的EEPROM,针对其系统中的关键元器件(高压NMOS、低压NMOS,高压PMOS、低压PMOS和SONOS存储单元)进行了总剂量辐照实验的研究和分析,同时考虑FN、CHE编程的存储单元的辐照特性差别,为设计抗辐照的EEPROM电路提供理论、实验依据。实验结果表明辐照对低压管(低压NMOS和低压PMOS)的影响主要表现在漏电增加;辐照对高压管(高压NMOS和高压PMOS)的影响主要表现在阈值漂移;辐照对SONOS存储单元的影响主要表现在阈值漂移。从编程方法上讲FN编程有利于提高SONOS存储单元的抗辐照特性。
关键词
深亚微米
总剂量
SONOS结构存储器
nmosfet器件
PMOSFET
器件
Keywords
Sub-micrometer
Total dose
SONOS
nmosfet
PMOSFET
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较
何宝平
王桂珍
周辉
罗尹虹
姜景和
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
下载PDF
职称材料
2
软击穿对NMOSFET器件特性的影响
《电子产品可靠性与环境试验》
2001
0
下载PDF
职称材料
3
深亚微米存储器各器件辐照特性研究
王佳宁
景欣
陆虹
《微处理机》
2013
0
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职称材料
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