NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较

利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 .

深亚微米存储器各器件辐照特性研究

为了研究抗辐照的EEPROM,针对其系统中的关键元器件(高压NMOS、低压NMOS,高压PMOS、低压PMOS和SONOS存储单元)进行了总剂量辐照实验的研究和分析,同时考虑FN、CHE编程的存储单元的辐照特性差别,为设计抗辐照的EEPROM电路提供理论、实验依据。实验结果表明辐照对低压管(低压NMOS和低压PMOS)的影响主要表现在漏电增加;辐照对高压管(高压NMOS和高压PMOS)的影响主要表现在阈值漂移;辐照对SONOS存储单元的影响主要表现在阈值漂移。从编程方法上讲FN编程有利于提高SONOS存储单元的抗辐照特性。