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NO在MgO(001)缺陷表面吸附解离的量子化学研究
被引量:
5
1
作者
徐艺军
陈文凯
+1 位作者
章永凡
李俊篯
《Chinese Journal of Structural Chemistry》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期192-196,共5页
在密度泛函理论框架下,采用嵌入点电荷簇模型研究了NO在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附。研究结果表明:具有氧缺陷结构表面的催化活性较高,有利于NO键的削弱;当另一个NO分子进攻已吸附的NO分子时,NO键将进一步削弱,直致断裂,并伴有N2O...
在密度泛函理论框架下,采用嵌入点电荷簇模型研究了NO在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附。研究结果表明:具有氧缺陷结构表面的催化活性较高,有利于NO键的削弱;当另一个NO分子进攻已吸附的NO分子时,NO键将进一步削弱,直致断裂,并伴有N2O产生,这与UPS和MIES实验观察到的现象一致。Mulliken布居分析指出,底物电子向NO转移,并填充到NO的*反键轨道上,从而导致NO键的削弱,并形成NO-。这也是可能导致形成NO-的原因。研究还表明,具有镁缺陷的MgO(001)表面对NO的解离没有催化活性。
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关键词
一氧化氮
氧化镁
缺陷表面
吸附
解离
量子化学
密度泛函
嵌入点电荷簇模型
催化活性
氮氧化物
酸雨
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职称材料
题名
NO在MgO(001)缺陷表面吸附解离的量子化学研究
被引量:
5
1
作者
徐艺军
陈文凯
章永凡
李俊篯
机构
福州大学化学系
结构化学国家重点实验室
出处
《Chinese Journal of Structural Chemistry》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期192-196,共5页
基金
国家自然科学基金(299730006)
福建省青年科技人才创新项目资金(2001J018)资助
文摘
在密度泛函理论框架下,采用嵌入点电荷簇模型研究了NO在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附。研究结果表明:具有氧缺陷结构表面的催化活性较高,有利于NO键的削弱;当另一个NO分子进攻已吸附的NO分子时,NO键将进一步削弱,直致断裂,并伴有N2O产生,这与UPS和MIES实验观察到的现象一致。Mulliken布居分析指出,底物电子向NO转移,并填充到NO的*反键轨道上,从而导致NO键的削弱,并形成NO-。这也是可能导致形成NO-的原因。研究还表明,具有镁缺陷的MgO(001)表面对NO的解离没有催化活性。
关键词
一氧化氮
氧化镁
缺陷表面
吸附
解离
量子化学
密度泛函
嵌入点电荷簇模型
催化活性
氮氧化物
酸雨
Keywords
no
,
mgo
(
001
)
surface
,
vacancy
,
quantum chemical study
分类号
O647.3 [理学—物理化学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NO在MgO(001)缺陷表面吸附解离的量子化学研究
徐艺军
陈文凯
章永凡
李俊篯
《Chinese Journal of Structural Chemistry》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004
5
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职称材料
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