5G NPN网络技术及应用

结合5G标准Rel-16版本中NPN(Non-public network)网络基本概念的介绍,进一步说明NPN组网方案,重点分析NPN网络特性以及不同的NPN部署方案对网络特性的影响,并通过实际应用案例说明部署情况,以期为运营商和垂直行业企业未来部署NPN网络提供参考。

正规式布尔函数NPN等价匹配算法

通过对香农分解代数余子式的运算研究,发现了对称变量和独立变量在NP等价变换中的6个属性,充分利用变量的对称性和独立性NP变换后的不变性、独立变量相位不确定性、在NP匹配中独立变量识别其他变量和其他变量识别独立变量的不可用性,提出了一种基于正规式的布尔函数NPN等价匹配算法。通过对大量MCNC标准电路库中电路和随机生成电路的7-22变量布尔函数的匹配实验,在两个实验电路集上本文算法与基于高阶通用特征匹配算法相比,匹配过程中的搜索空间平均减少了58.8%、布尔匹配的速度提高了45.6%,能够为电路优化和电路映射提供更加快速和有效的布尔匹配。

基于PIN-NPN的5G专网解决方案研究

在5G专网的建设中,专网与专网的隔离、专网与公网的隔离是必须要面对的一个难题。通过PNI-NPN技术实现在同一PLMN的2个独立专网之间的物理隔离。PNI-NPN等5G非公共网络技术已成为垂直行业进行数字化转型的关键点,可以满足不同行业的专网建设需求。同时,5G专网也为电信网络提供了新的商业模式,PNI-NPN技术在5G专网的应用使得公网资源可在同一PLMN下帮助企业按需部署安全的5G专网,可以节约大量的专网投资。

基于PNI-NPN技术构建安全隔离的5G专网

本文介绍了5G非公共网络技术(non-public network,NPN)以及一种典型的NPN组网方式——公共网络集成的非公共网络(public network integrated non-public network,PNI-NPN),阐述了PNI-NPN的应用场景及实现方式,并结合广东移动采用PNI-NPN技术实现的试点项目对PNI-NPN的网络特征进行了分析,举例说明NPN在电信领域的应用,为运营商和企业未来部署和应用NPN提供参考。

变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用

对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。

不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应

对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。

不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应

对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。

不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响

对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小。讨论了出现这种结果的内在机制。

电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性

本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理,并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理.结果表明,1.8 Me V和1 Me V电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤,相同束流下1.8 Me V电子造成的损伤比1 Me V电子更大,相同能量下0.32Gy(Si)/s束流电子产生的损伤大于1.53 Gy(Si)/s束流电子.对于相同能量和束流的电子辐照,器件零偏时的损伤大于正偏时的损伤.器件辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.

不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应

研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效应是时间相关效应 ,而非真正的剂量率效应。

NPN型半导体致冷结构

提出了一种新型的半导体致冷结构,并对其致冷机理进行了理论分析,由于与晶体管结构相同,且工作在放大状态下,因此这种半导体致冷具有控制功率小,灵敏度高等优点,同时其制造工艺还可与集成电路相兼容.

NPN复合添加剂舔块饲喂肉牛试验

近年来,我国农区肉牛业发展非常迅速,并形成了以农民家庭户养为主体,以农作物秸秆为基本饲料来源,配以少量玉米、棉籽饼等廉价精料及酒糟等副产品饲料的饲养模式。这种饲养模式饲养成本低,经济效益好,但日粮营养成分不平衡,蛋白质含量偏低,矿物质及维生素缺乏,在一定程度上影响了牛的增重速度及饲料转化效率,限制了肉牛的生产潜力及经济效益的发挥。尿素为肉牛粗蛋白质饲料的廉价来源,但在使用中存在着添加方法及合适的添加量等问题,如果使用不当,轻者影响效果的发挥并造成浪费,重者会导致牛中毒死亡,造成严重的经济损失。

一种高速高压NPN管的研制

把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆＴ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２００ｎｍ。

新型NPN配合颗粒料——“替蛋白”

蛋白质饲料紧张乃世界性问题,预测2000年我国蛋白质饲料缺口达1190万吨。目前有些地方已出现因蛋白质饲料不足而造成产奶量下降的严重后果。因此,开发蛋白质饲料资源乃是当务之急。尿素含N量高是豆饼的6.8倍。

蛋白质保护与NPN缓释技术结合对奶牛产奶效果的研究

以蛋白质保护技术与ＮＰＮ级释技术相结合对能量饲料、蛋白质饲料和尿素等进行处理，以处理所得的复合蛋白质饲料替代精料中１００％的豆饼（试验１）和５０％的豆饼（试验Ⅱ组）饲喂奶牛。结果表明，精料成本分别降低了６．０７％和３．０８％；试验Ⅰ组日产奶量比对照组提高了１．２７千克（Ｐ＜０．０５），试验２组产奶量未得到显著提高（Ｐ＞ ０．０５）；试验组经济效益分别比对照组提高９．５１％和４．３７％。

论我国反刍动物非蛋白氮(NPN)饲料资源开发利用潜力与途径

一、我国开发利用NPN饲料资源的迫切性 众所周知,我国人口增长对粮食和畜产品需要的迅猛增加,给我国社会和农业生产的发展带来了日趋严重的巨大压力。由于粮食生产的制约,有人主张今后畜牧业发展的战略重点不得不由猪、鸡等“精料型”畜禽向牛、羊、兔、驼等“节粮型”草食动物转移。据推算(各种作物籽实总产量乘以秸秆产量系数),我国农作物秸秆年总产量达7亿多吨,其中稻草类2.3亿吨、玉米秆2.2亿吨,小麦秸秆类1.2亿吨,

PNP与NPN管放大电路输出波形失真情况仿真比较

许多模拟电子技术教材在讨论放大电路输出波形失真情况时,均以NPN管放大电路作为对象来分析,对于PNP管放大电路并没有详细介绍。在此对PNP管放大电路与NPN管放大电路输出波形的失真情况从理论及实验结果两方面做了详细的说明和比较。对帮助初学者掌握和理解问题具有重要意义。

PNP和NPN型异质结双极晶体管的不同设计考虑

PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同，这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计考虑。

基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响

针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN型晶体管对电离辐射更为敏感,其基极电流增幅更大;随着吸收剂量的增加,NPN型晶体管的电流增益退化程度加剧;在基区表面掺杂浓度高的NPN晶体管中,电离辐射诱导的氧化物电荷和界面态能级位置均更接近于禁带中央,导致复合率增大,从而使晶体管的电学性能退化程度加剧。

NPN双极晶体管的ELDRS效应及退火行为

对国产NPN双极晶体管在不同剂量率下的辐射效应和退火特性进行了研究。结果显示:在不同剂量率辐照下,NPN晶体管的特性衰降均非常明显。不仅晶体管的过剩基极电流明显增大,直流增益迅速下降,其集电极电流也随辐照总剂量的增加而逐渐衰减,且低剂量率辐照下损伤更明显。本中对造成各种实验现象的损伤机理进行了分析。