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题名一种NPN型功率管驱动电路的设计
被引量:2
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作者
李云鹏
范国亮
张国俊
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期352-355,共4页
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文摘
为NPN型功率管的降压型开关电源芯片设计了一种驱动电路。针对功率管工作在导通状态下的导通损耗和在开关状态转换中的开关损耗,设计了自举电路,使功率管饱和;设计了加速电路,缩短了功率管状态转换所用时间,降低了功率管损耗。在2μm双极型工艺下进行仿真,结果显示,功率管工作在饱和区,导通损耗小,开关转换速度快,可满足高开关频率的要求。
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关键词
npn功率管
自举电路
开关损耗
饱和
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Keywords
npn power transistor
Bootstrap circuit
Switch power loss
Saturation
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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