NS分子低激发态光谱性质的理论研究

使用多参考组态相互作用的方法(MRCI)计算了NS分子能量最低的两支解离极限的电子结构。为了保证计算的精度,在计算中考虑戴维森修正(+Q)、芯壳层-价壳层电子关联效应、自旋轨道耦合效应和标量相对论效应。基于理论计算的电子态的本征能量和相同对称性电子态的避免交叉原则,绘制出最低两支解离极限全部9个电子态的势能曲线。同时给出MRCI水平下的偶极矩随着核间距变化的曲线。根据理论计算获得电子态的本征能量求解NS分子的一维核运动薛堢谔方程,得到束缚态的光谱常数,并将计算结果与先前实验观测结果进行分析和讨论。同时对于NS分子束缚态的跃迁性质进行计算,包括跃迁偶极矩、弗兰克-康登因子以及自发辐射寿命。