NTDFZSi片低温退火电阻率回升现象

实验结果表明ＮＴＤＦＺＳｉ片电阻率下降的幅度与硅片冷却速率有关．在由 １２００℃冷却到室温的过程中，冷却速度越快，硅片电阻率下降的幅度越大．另外，样品的厚度也是一个重要因素．实验指出，当样品厚度在１２００μｍ以上时，硅片电阻率变化很小．特别值得指出的是，那些经高温退火电阻率下降的硅片再经６５０—６８０℃低温退火，可使硅片的电阻率得到回复。