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(K,Na)(Nb,Ta,Sb)O_3粉体制备及陶瓷介电性能研究
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作者 周媛 李玉祥 蔡艳芝 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1825-1828,共4页
Ta/Sb掺杂的K_(0.5)Na_(0.5)Nb_(0.7)TaxSb_(0.3-x)O_3(KNNSTx,x=0.06,0.09,0.12,0.15,0.18,0.21,0.24)粉体经水热合成,Ta、Sb对粉体物相、微观结构的影响被系统研究,烧结后陶瓷的微观结构、介电性能表明:陶瓷物相均具有纯钙钛矿结构;随... Ta/Sb掺杂的K_(0.5)Na_(0.5)Nb_(0.7)TaxSb_(0.3-x)O_3(KNNSTx,x=0.06,0.09,0.12,0.15,0.18,0.21,0.24)粉体经水热合成,Ta、Sb对粉体物相、微观结构的影响被系统研究,烧结后陶瓷的微观结构、介电性能表明:陶瓷物相均具有纯钙钛矿结构;随着Ta含量的增加陶瓷晶粒尺寸逐渐增大,x=0.09、0.12时较小粒径颗粒均匀分布在大颗粒的空隙之间,陶瓷密度增加;样品的介电常数随着Ta含量的增加x=0.06~0.12逐渐降低,x=0.15~0.24逐渐增加,居里温度均在350℃左右,且x=0.09、0.12时陶瓷介电损耗较小。 展开更多
关键词 (K na)(nb Ta Sb)O3 微观结构 介电性能
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Na和Nb掺杂的Y_(0.75)Bi_(0.15)Sm_(0.10)VO_4荧光粉制备及其发光性能 被引量:1
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作者 姚子凤 戴振翔 +1 位作者 郑赣鸿 李鑫垚 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第6期83-87,共5页
采用固相法制备Na和Nb掺杂的Y_(0.75)Bi_(0.15)Sm_(0.10)VO_4:xNa(0≤x≤0.18)和Y_(0.75)Bi_(0.15)Sm_(0.10)VO_4:yNb(0≤y≤0.12)荧光粉.在411nm和482nm光的激发下,Y_(0.75)Bi_(0.15)Sm_(0.10)VO_4:xNa(0≤x≤0.18)和Y_(0.75)Bi_(0.15)... 采用固相法制备Na和Nb掺杂的Y_(0.75)Bi_(0.15)Sm_(0.10)VO_4:xNa(0≤x≤0.18)和Y_(0.75)Bi_(0.15)Sm_(0.10)VO_4:yNb(0≤y≤0.12)荧光粉.在411nm和482nm光的激发下,Y_(0.75)Bi_(0.15)Sm_(0.10)VO_4:xNa(0≤x≤0.18)和Y_(0.75)Bi_(0.15)Sm_(0.10)VO_4:yNb(0≤y≤0.12)荧光粉有相同的4个尖锐的Sm的发射峰:4 G5/2-6 H5/2(566nm),4 G5/2-6 H7/2(604nm),4 G5/2-6 H9/2(647nm),4 G5/2-6 H11/2(713nm).对Y_(0.75)Bi_(0.15)Sm_(0.10)VO_4:xNa(0≤x≤0.18)样品,发光强度随着Na含量的增加而增强,且x=0.15时达最大值.对Y_(0.75)Bi_(0.15)Sm_(0.10)VO_4:yNb(0≤y≤0.12)样品,发光强度也随着Nb含量的增加而增强,且y=0.08时达到最大值.研究结果表明Na和Nb掺杂能提升材料的发光性能. 展开更多
关键词 发光性能 SM^3+ na-掺杂 nb-掺杂
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KNNS-BNKZ无铅压电陶瓷的制备及其电性能研究 被引量:3
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作者 郭艺婷 许杰 +3 位作者 刘宇刚 张华伟 李占京 高峰 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期82-86,共5页
采用传统固相法中的直接合成法和两步合成法制备了0.96(K_0.48Na_0.52)(Nb_1-x_Sb_x)O_3-0.04(Na_0.82K_0.18)_0.5Bi_0.5ZrO_3(KNNS-BNKZ)无铅压电陶瓷,研究了(Bi,Na,K)ZrO_3添加方式,以及Sb摩尔分数对KNNSBNKZ材料显微组织结构和电性... 采用传统固相法中的直接合成法和两步合成法制备了0.96(K_0.48Na_0.52)(Nb_1-x_Sb_x)O_3-0.04(Na_0.82K_0.18)_0.5Bi_0.5ZrO_3(KNNS-BNKZ)无铅压电陶瓷,研究了(Bi,Na,K)ZrO_3添加方式,以及Sb摩尔分数对KNNSBNKZ材料显微组织结构和电性能的影响规律。结果表明,采用直接合成法得到的KNNS-BNKZ陶瓷在室温下为四方相,而采用两步合成法得到的陶瓷在室温下为正交-四方两相共存,且随着Sb摩尔分数的增加,陶瓷材料的密度增大,室温下的相对介电常数增大,压电常数增大,居里温度降低。采用两步合成法制备的Sb摩尔分数为0.06的KNNS-BNKZ陶瓷具有最佳电性能:室温下,相对介电常数εr=1 659,介电损耗tanδ=0.038,居里温度T_C=243℃,压电常数d_33=138pC/N。 展开更多
关键词 0.96(K0.48na0.52)(nb1-xSbx)O3-0.04(na0.82K0.18)0.5Bi0.5ZrO3(KNNS-BNKZ) 直接合成法 两步合成法 无铅压电陶瓷 多晶型转变
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基于机器学习的类目映射方法——国际专利分类法与中国图书馆分类法 被引量:10
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作者 靳雪茹 齐建东 +1 位作者 王立臣 周林志 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2011年第7期1781-1784,共4页
专利和期刊隶属于不同的知识组织体系,要实现专利与期刊文献的交叉浏览和检索必须解决两种分类法(中国图书馆分类法(CLC)和国际专利分类法(IPC))之间的映射问题。在调研现有分类法类目映射方法的基础上,讨论了基于机器学习实现中国图书... 专利和期刊隶属于不同的知识组织体系,要实现专利与期刊文献的交叉浏览和检索必须解决两种分类法(中国图书馆分类法(CLC)和国际专利分类法(IPC))之间的映射问题。在调研现有分类法类目映射方法的基础上,讨论了基于机器学习实现中国图书馆分类法和国际专利分类法之间类目映射的方法。通过对中图法某个类目标识的语料进行训练得到该类目的分类器,然后用其对国际专利分类法标识的语料进行分类,对分类结果进行分析得出类目间的映射关系。对比实验证明了该方法的有效性。 展开更多
关键词 类目映射 国际专利分类法 中国图书馆分类法 朴素贝叶斯方法 决策树
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一种面向SNP选择的模糊聚类算法 被引量:3
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作者 张波 周从华 +2 位作者 张付全 张婷 蒋跃明 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期66-74,共9页
在对高维少样本的遗传数据进行单核苷酸多态性(SNP)选择时,为能使所选SNP子集高度代表所有SNP信息,实现数据降维,在模糊C均值(FCM)算法的基础上提出一种改进方法GN-FCM。通过引入SNP权重因子量化SNP位点重要程度的差异性,同时将重点SNP... 在对高维少样本的遗传数据进行单核苷酸多态性(SNP)选择时,为能使所选SNP子集高度代表所有SNP信息,实现数据降维,在模糊C均值(FCM)算法的基础上提出一种改进方法GN-FCM。通过引入SNP权重因子量化SNP位点重要程度的差异性,同时将重点SNP邻域正则项引入模糊聚类的损失函数中,挖掘高度重要SNP与同邻域内其他SNP的关联性。实验结果表明,GN-FCM具有较好的收敛性,与DW-FCM算法相比,其构造的SNP子集在支持向量机、决策树和朴素贝叶斯分类中准确率分别提升5.73 %、3.40 %和3.79 %,F1值分别提升4.01 %、 3.20 %和 2.22 %。 展开更多
关键词 单核苷酸多态性选择 模糊聚类 特征选择 支持向量机 决策树 朴素贝叶斯分类
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工艺条件对KNNT陶瓷性能的影响
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作者 吕应刚 王春雷 +2 位作者 张家良 王矜奉 钮效鹍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期18-20,23,共4页
采用传统固相反应法制备了(K0.5Na0.5)(Nb0.7Ta0.3)O3(KNNT)无铅压电陶瓷。通过XRD、SEM分析方法分别研究了预烧后粉体和烧结后样品的晶体结构和微观形貌,以及预烧、烧结条件对样品性能的影响。结果表明,预烧后的粉体和烧结后的样品的... 采用传统固相反应法制备了(K0.5Na0.5)(Nb0.7Ta0.3)O3(KNNT)无铅压电陶瓷。通过XRD、SEM分析方法分别研究了预烧后粉体和烧结后样品的晶体结构和微观形貌,以及预烧、烧结条件对样品性能的影响。结果表明,预烧后的粉体和烧结后的样品的晶体结构分别为四方相和斜方相;在860~920℃预烧,选择合适的烧结温度均可获得性能优异的陶瓷样品。较佳工艺条件为900℃预烧、1180℃烧结,样品d33可达到205pC/N,kp、k33分别为45.9%、60.5%。 展开更多
关键词 无机非金属材料 无铅压电陶瓷 (K na)(nb Ta)O3 固相反应法 压电性能
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预烧工艺对KNLNT基陶瓷相结构和电性能的影响
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作者 马涤非 李永强 +1 位作者 晁小练 杨祖培 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期29-33,共5页
采用传统固相法制备了(K0.46Na0.50Li0.04)(Nb0.85Ta0.15)O3(KNLNT)无铅压电陶瓷材料,研究了不同预烧温度和不同预烧保温时间对KNLNT基无铅压电陶瓷的相结构、显微结构和电性能的影响.结果表明:当预烧850℃保温9h时,1135℃烧结2h的陶瓷... 采用传统固相法制备了(K0.46Na0.50Li0.04)(Nb0.85Ta0.15)O3(KNLNT)无铅压电陶瓷材料,研究了不同预烧温度和不同预烧保温时间对KNLNT基无铅压电陶瓷的相结构、显微结构和电性能的影响.结果表明:当预烧850℃保温9h时,1135℃烧结2h的陶瓷材料各项性能较佳,其电性能参数分别为d33=248pC/N,εr=1130,tanδ=0.019,Kp=0.54,Qm=70,Pr=28.38μC/cm,Ec=14.31kV/cm. 展开更多
关键词 (K0.46na0.50Li0.04)(nb0.85Ta0.15)O3(KNLNT) 无铅压电陶瓷 压电性能 介电性能 铁电性能
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丙烯酰胺对NB-1细胞钙稳态的影响 被引量:2
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作者 李冲 王茜 +6 位作者 曹燕花 刘楠 关维俊 王学生 肖经纬 李斌 李忠生 《中国工业医学杂志》 CAS 北大核心 2012年第3期194-196,共3页
目的研究丙烯酰胺(AM)对神经细胞钙稳态的影响,探讨AM致神经损伤的可能机制。方法将人神经母细胞瘤(NB-1)细胞诱导分化成熟后,以不同浓度AM进行体外染毒,采用噻唑蓝(MTT)比色法检测神经元损伤程度,并应用ATP酶检测试剂盒测定不同损伤程... 目的研究丙烯酰胺(AM)对神经细胞钙稳态的影响,探讨AM致神经损伤的可能机制。方法将人神经母细胞瘤(NB-1)细胞诱导分化成熟后,以不同浓度AM进行体外染毒,采用噻唑蓝(MTT)比色法检测神经元损伤程度,并应用ATP酶检测试剂盒测定不同损伤程度的细胞Ca2+-ATP酶和Na+-K+-ATP酶活力的变化。以Fluo-3/AM为荧光指示剂,用激光共聚焦方法检测细胞内游离钙离子浓度的瞬时变化情况。结果 AM染毒组成熟NB-1细胞存活率有明显下降,提示AM对神经细胞有毒性作用;AM染毒组Ca2+-ATP酶和Na+-K+-ATP酶活力值也均下降,差异具有统计学意义(P<0.05);AM作用于成熟NB-1细胞可立即引起细胞内钙离子浓度升高。结论 AM可能通过影响神经细胞钙稳态产生毒性作用。 展开更多
关键词 丙烯酰胺(AM) nb-1 db-cAMP CA2+-ATP酶 na+-K+-ATP酶
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