NaGd(MoO_(4))_(2)∶Er^(3+),Yb^(3+)发光粉的合成与上转换发光性质

采用水热法合成了系列NaGd(MoO_(4))_(2)∶Er^(3+),Yb^(3+)上转换发光粉。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和上转换发光光谱仪等对样品的结构、形貌和发光性能进行表征。结果显示,合成的样品均具有四方晶系NaGd(MoO_(4))_(2)结构;pH对样品的形貌有影响;980nm红外光激发下,NaGd(MoO_(4))_(2)∶Er^(3+),Yb^(3+)上转换发光粉显示来自于Er^(3+)的^(2)H_(11/2)→^(4)I_(15)和^(4)S_(3/2)→^(4)I_(15/2)跃迁产生的绿光发射和4I 9/2→4I 15/2跃迁产生的红光发射。比较各样品的发光强度和绿光/红光相对积分强度比,结果显示上转换发光强度和绿光/红光相对积分强度比与晶粒尺寸、晶粒表面形貌,以及Er^(3+)和Yb^(3+)掺杂浓度有关。讨论了可能的上转换发光过程,并计算了样品的色坐标。

Bi^(3+)或Sm^(3+)掺杂对NaGd(WO_4)_2∶Eu^(3+)荧光粉结构和发光性质的影响

采用水热法制备了白光LED用NaGd_(0.95-x)(WO_4)_2∶0.05Eu^(3+),x Bi^(3+)(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08)和NaGd_(0.95-y)(WO_4)_2∶0.05Eu^(3+),y Sm^(3+)(y=0,0.01,0.02,0.03,0.04)系列红色荧光粉,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜及荧光分光光度计等表征手段分析了样品的物相结构、颗粒形貌以及发光性质。结果表明:少量离子掺杂对NaGd(WO_4)_2的晶体结构影响较小,样品均为四方晶系、白钨矿结构的纯相;颗粒形貌呈四方盘状,且粒度均匀,分散性良好,Bi^(3+)或Sm^(3+)的引入使颗粒尺寸由原来的4μm分别增加至5μm和6μm。该系列荧光粉均可被近紫外光(394 nm)有效激发,其最强发射峰位于614 nm处,归属于Eu^(3+)的5D0→7F2电偶极跃迁。掺杂适量的Bi^(3+)或Sm^(3+)可有效提高NaGd_(0.95)(WO_4)_2∶0.05Eu^(3+)荧光粉的发光强度和红光的色纯度,其中Sm^(3+)的引入对其影响更为明显。

水热法制备NaGd(WO_4)_2:Eu^(3+)发光材料

采用水热法,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,合成了NaGd(WO4)2:Eu3+发光材料.采集XRD,SEM图谱来表征样品的晶型与形貌,利用激发光谱和发射光谱研究了材料的发光特性.结果表明,所制得的NaGd(WO4)2:Eu3+是由纳米棒组成的绒球状发光材料,球体直径为100nm,纳米棒长2～5μm.样品不仅可以被紫外光(266nm)激发,还能被近紫外光(393nm)和蓝光(464nm)有效激发,其主发射峰值位于614nm,为红色荧光成分,且当Eu3+掺杂物质的量分数为3%时,此发射峰达到最大,该发光粉可用于制造紫外光芯片激发的白光LED.

Er^(3+)/Yb^(3+)掺杂NaGd(WO_4)_2粉体的制备与发光性能

采用水热法成功制备了Er^(3+)/Yb^(3+)双掺杂的NaGd(WO_4)_2纳米粉体,研究了不同络合剂、水热温度对样品形貌和结构的影响。测量了不同Er^(3+)掺杂浓度样品的可见上转换和近红外发射光谱。结果表明:在980nm LD激发下,可观测到样品强烈的绿色上转换发光,对应Er^(3+)的~2H_(11/2)→~4I_(15/2)(530nm)和~4S_(3/2)→~4I_(15/2)(552nm)跃迁,以及较弱的红色上转换和近红外发光,分别对应Er^(3+)的~4F_(9/2)→4I15/2(656nm)和~4I_(13/2)→~4I_(15/2)(1 532nm)跃迁。且随着Er^(3+)掺杂浓度的增加,样品的上转换红绿光和1.54μm附近的近红外光均呈现出先增大后减小的趋势。样品的激发和发射光谱显示,在378nm处的激发峰最强,对应Er^(3+)的~4I_(15/2)→~4 G_(11/2)能级跃迁,最强发射峰位于552nm。根据泵浦功率与发光强度的关系可以得出,红光和绿光的发射主要为双光子吸收过程,但红光还包含了一定的单光子吸收成分。

Eu^3+,Tb^3+共掺杂的NaGd(WO4)2颜色可调荧光粉的水热合成及发光性质研究

在不添加任何模板剂的情况下,采用温和水热法,制备了一系列NaGd0.96-x(WO4)2∶0.04Tb3+,xEu3+(x=0,0.005,0.01,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.12,0.14,0.16,0.18)荧光粉。采用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及荧光分光光度计分别对所得样品的物相结构、形貌粒度及发光性能进行分析表征。结果表明:所合成的样品为NaGd(WO4)2的纯相,属四方晶系白钨矿结构。其形貌为规整的四方盘形,尺寸均一、分散性良好。系列样品均能被近紫外光有效激发,通过改变NaGd(WO4)2中Eu^3+/Tb^3+的掺杂浓度,实现了对荧光粉发光颜色由绿色到红色的全色调控。

退火温度对NaGd(WO4)2：Eu^3＋荧光粉发光特性的影响

采用水热法合成了NaGd(WO4)2:Eu3+荧光粉.采用XRD、热失重与差热分析、荧光光谱图表征样品的结构和发光特性.结果表明,样品未经退火处理时,在266nm激发光激发下,300~600nm处有一WO2-4产生宽带发射带和Eu3+在614nm处产生的红光.发光特性证实NaGd(WO4)2:Eu3+荧光粉可用于制造单基质的白光LED.随着退火温度的升高,样品由WO2-4产生的宽带发射带逐渐减弱直至消失,最后在800℃退火的NaGd(WO4)2:Eu3+荧光粉在614nm处产生红光.从理论上分析了WO2-4的发光机理.

Tm,Yb:NaGd(WO_4)_2激光晶体生长及光谱性能

采用中频感应提拉法,生长铥镱共掺钨酸钆钠[Tm,Yb:Na Gd(WO_4)_2,Tm,Yb:NGW]激光晶体;讨论了Tm,Yb:Na Gd(WO_4)_2晶体生长工艺参数,获得了合适的晶体生长工艺参数:拉速1~2mm/h,转速20~22r/min,降温速率10℃/h。研究了Tm,Yb:NaGd(WO_4)_2晶体的荧光光谱。结果表明,在980nm激光的激发下,该晶体在1031mm、1772nm附近获得了较强的荧光发射,分别对应于Yb3+离子的2F5/2→2F7/2能级跃迁以及Tm3+离子的3F4→3H6能级跃迁,1772nm处的半高宽为72nm左右。

NaGd(WO_4)_2:Yb^(3+)/Tm^(3+)反蛋白石光子晶体的制备与上转换发光调制研究

三维光子晶体具有长程有序的结构特点,在可见和近红外光谱范围内有着广泛的应用。光子晶体的一个重要性质是其对嵌入其中的发光中心自发辐射具有调制作用。本研究利用自组装和模板辅助法制备高质量的三维NaGd(WO_4)_2:Yb^(3+)/Tm^(3+)反蛋白石光子晶体,探究了光子带隙对Tm^(3+)离子上转换荧光发射与发光动力学的调制作用。通过对比分析发现,由于反蛋白石光子晶体独特的周期性大孔结构和光子带隙效应,处于光子带隙内的Tm^(3+)离子~1G_4-~3H_6的发光强度被抑制约45%,自发辐射速率(SDR)被抑制约30%,同时上转换局域热效应得到有效的调制。本实验结果对探索新型高效稀土掺杂上转换发光材料和提高上转换发光效率有指导意义。

下转换发光粉体材料NaGd(WO_4)_2:Eu^(3+)的制备及荧光性能研究

以Gd2O3、Eu2O3、Na2WO4为原料,采用水热法制备了NaGd(WO4)2:Eu3+荧光粉体。通过X射线粉末衍射、扫描电子显微镜及分子荧光对粉体进行了表征,并研究了不同Eu3+掺杂浓度对NaGd(WO4)2:Eu3+粉体的相组成、微观表面形貌和荧光性能的影响。研究结果表明:所制备的粉体为NaGd(WO4)2晶体,微观表面形貌为八面体,具有良好的荧光性能,在Eu3+掺杂浓度为10%时,样品的荧光强度最大。

Dy^(3+),Eu^(3+)共掺NaGd(WO_(4))_(2)荧光粉的发光性能、能量传递和J-O理论分析

采用高温固相法成功制备了一系列发光性能优异的NaGd(WO_(4))_(2)∶Dy^(3+)和NaGd(WO_(4))_(2)∶Dy^(3+),Eu^(3+)荧光粉,通过X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光光谱对样品的物相、形貌、发光性能和能量传递机理进行了研究.表征结果表明所制样品的物相结构为四方相结构,I41/a(88)空间群.Dy^(3+)离子的掺杂浓度为7 mol%时,NaGd(WO_(4))_(2)(NGW)具有最佳紫外光激发荧光性能.在454 nm激发下,NGW∶0.07Dy^(3+),0.09Eu^(3+)荧光粉在617 nm处Eu^(3+)的电偶极跃迁发光最强,且Dy^(3+)离子和Eu^(3+)离子间的能量传递机制为电四极矩-电四极矩相互作用.同时,通过调控Dy^(3+)离子和Eu^(3+)离子的相对含量,实现其光色可调,使其更广泛地应用在光色可调显示设备和白光LED等领域中.

Synthesis of CC/BiPO4/Bi2WO6 Composite Material and Its Photocatalytic Performance

Along with the popularity of environmental protection concepts, the environmental treatment of water pollution attracts widespread attention, among which, the research on Bi-based semiconductor photocatalytic degradation technology has made great progress. However, the development of such bismuth-based composites still remains a challenging task due to difficult recovery and low catalytic efficiency. Herein, a novel CC/BiPO4/Bi2WO6 composite was successfully synthesized through two-step hydrothermal method using activated flexible carbon cloth as a substrate. The results of the photocatalytic degradation experiments showed that the obtained CC/BiPO4/Bi2WO6 composites can degrade 92.1% RhB in 60 min under UV-visible light irradiation, which was much higher than that of unloaded BiPO4 (24.4%) and BiPO4/Bi2WO6 (52.9%), exhibiting a better adsorption-photocatalytic degradation performance than BiPO4 and BiPO4/Bi2WO6. Photoluminescence spectra indicated that the improved photocatalytic activity was due to the more effective inhibition of photogenerated carrier complexation. Furthermore, the radical capture experiments confirmed that h+, ·OH and O2- were the main active substances in the photocatalytic degradation process of RhB by the CC/BiPO4/Bi2WO6 composites. More importantly, the prepared CC/BiPO4/Bi2WO6 composite had a simple separation process and good recycling stability, and its photocatalytic degradation efficiency can still reach 53.3% after six cycles of RhB degradation. .

Yb^(3+),Er^(3+),Tm^(3+)共掺杂NaGd(WO_4)_2荧光粉的制备和发光性能

用硝酸钆、钨酸钠、聚乙二醇为基本原料,采用水热法合成了NaGd(WO_4)_2荧光粉,然后通过掺杂Yb^(3+)、Er^(3+)、Tm^(3+)稀土离子获得上转换发光性能.使用X射线衍射和高分辨扫描电镜对样品结构和形貌进行了表征,通过实验研究了稀土离子掺杂比和反应温度对样品发光性能的影响,获得了在980 nm近红外激光激发下,可以发出暖白光的稀土上转换纳米发光材料.

稀土掺杂NaGd(WO4)2反蛋白石光子晶体的制备及其发光性能

使用水热法合成了NaGd(WO4)2:Yb3+,Er3+,Tm3+荧光粉,借助PMMA胶体模板自组装法制备了三维反蛋白石光子晶体,并表征了样品的表面形貌和结构特征。样品具有四方晶系NaGd(WO4)2的晶格结构,电子显微镜观察到规则排布的微球蛋白石模板和退火之后形成的正六边形空腔结构。光谱测试发现,在反蛋白石光子晶体微孔直径185 nm左右时,得到了相对最强的发光增强效果;实验样品中光子带隙的存在显著增强了蓝光发光而抑制了红光发光,导致光子晶体样品整体发光从荧光粉的暖白光转变为偏绿色。对比荧光粉样品,反蛋白石光子晶体样品中Er3+离子4S3/2→4 I15/2的发光寿命显著增加,但光子带隙的变化对寿命影响不大。与参考样品相比,反蛋白石光子晶体样品对温度淬灭现象具有显著的抑制作用。

水热法合成不同形貌NaGd(WO_(4))_(2)∶Eu^(3+)及其荧光性能

以氧化钆(Gd_(2)O_(3))、氧化铕(Eu_(2)O_(3))、钨酸钠(Na_(2)WO_(4)·2H_(2)O)为原料,EDTA-2Na为辅助剂,水热合成了不同形貌的NaGd(WO_(4))_(2)∶Eu^(3+)荧光材料,利用XRD、SEM以及UV-Vis对产物的结构、形貌及其发光性能进行表征。探讨了辅助剂用量、Eu^(3+)离子掺杂量等因素对NaGd(WO_(4))_(2)∶Eu^(3+)荧光材料的结构、形貌以及荧光性能影响。结果表明:合成样品均为四方晶系白钨矿结构NaGd(WO_(4))_(2);水热条件下,辅助剂EDTA-2Na用量的不同,NaGd(WO_(4))_(2)的形貌也发生了明显变化:从不规则颗粒状,演变成多面体颗粒,以及纳米片自组装花状颗粒,再演变成大脑状形貌。NaGd(WO_(4))_(2)晶体在激活离子Eu^(3+)掺杂浓度较低的情况下,没有出现浓度猝灭效应。

Nd^(3+):KGd(WO_4)_2激光晶体的研究

合成了一系列不同Nd3+ 浓度掺杂的Nd3+ :KGd(WO4 ) 2 粉末样品 ,进行了荧光光谱测试 ,初步确定了Nd3+ 的最佳掺杂浓度 ;测定了Nd3+ :KGd(WO4 ) 2 K2 WO4 生长体系的生长温度曲线 ,生长出尺寸达 50mm的Nd3+ :KGd(WO4 ) 2 优质激光晶体 ,切割出尺寸为 5mm× 5mm× 6mm的优质激光器件 ,采用钛宝石模拟LD泵浦 ,在 1.0 6 μm处得到 2 6 0mW的激光输出 ,斜率效率达到 6 6 % ;在 1.0 3μm处得到 135mW激光输出 ,斜率效率达到 34.3%。

Na_2WO_4对铝合金微弧氧化陶瓷层形成过程及耐磨性的影响

在磷酸盐溶液中,研究了Na2WO4含量和电流密度对陶瓷层形成过程及耐磨性的影响;通过SEM、XPS等手段分析了陶瓷层的表面形貌和W元素含量及其组成。结果表明:氧化起弧发生前,Na2WO4能促使阳极氧化膜的形成;氧化起弧发生后,Na2WO4参与反应,进入膜层。Na2WO4含量在7g/L时,膜层具有很好的致密性和耐磨性;随电流密度的增加,膜层增加,前期磨损量相对增加,后期趋于平稳。

NaY(WO_4)_2∶Sm^(3+)晶体的生长与上转换发光

用Czochralski法生长了高光学质量、大尺寸的NaY(WO4 ) 2 ∶Sm3 + 单晶。测量了晶体在室温下的吸收谱 ,对跃迁的能级进行了指认。在 94 6nm泵浦下测量了晶体的上转换荧光发射谱。研究了NYW晶体中Sm3 + 上转换发光的机制。

NaY(WO_4)_2∶Eu^(3+)/Tb^(3+)/Tm^(3+)白色荧光粉的制备与发光性能

采用溶剂热法合成了一种单一相白色荧光粉NaY(WO4)2∶Eu3+,Tb3+,Tm3+。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)及荧光光谱(PL)对制备的系列样品的物相、形貌和荧光性质进行了表征。结果表明:在荧光粉NaY(WO4)2∶x%Eu3+,4%Tb3+,1%Tm3+(x=5,10,15,20)中,随着Eu3+掺入量的增加,发光从绿光区进入白光区。同时观察到Tb3+到Eu3+的有效能量传递。

Na_2WO_4-WO_3-ZnO体系熔盐镀钨

对Na2 WO4 WO3 ZnO体系熔盐镀钨工艺进行了详细研究 ,得到了获得金属钨镀层的工艺条件。结果表明 :在空气气氛中 ,当氧化钨的浓度为 1 5%～ 30 %时 ,于 850～ 950℃能得到金属钨镀层且镀层表面平整 ;当其它条件都相同时 ,在铜基体上获得钨镀层比钼基体上所需的温度略高一些 ;扫描电镜照片显示钨镀层与钼基体之间有明显分界面 ,元素线扫描结果证实镀层与钼基体间扩散层厚度仅为 2 .5μm ,基本不形成扩散层 ;不同电流密度下所获得的钨镀层X射线衍射表明镀层中存在织构。

白色荧光粉NaGd(MoO_4)_2:Dy^(3+),Eu^(3+)的水热合成及发光性能

采用谷氨酸辅助水热法合成了八面体形NaGd(MoO4)2:Dy3+,Eu3+白色荧光粉.X射线衍射结果表明,合成的样品为四方晶系的NaGd(MoO4)2纯相.扫描电子显微镜照片显示所制备的粒子为八面体形,各边长约为2μm.荧光光谱结果表明,在NaGd(MoO4)2:4%Dy3+,yEu3+(y=0,0.5%,0.6%,0.7%,0.8%,0.9%,1.0%)样品中,随着Eu3+掺入量的增加,Dy3+的发射峰逐渐减弱,而Eu3+的发射峰逐渐增强,说明Dy3+-Eu3+之间存在能量传递.通过色坐标图可知,当Eu3+掺杂量y=0.9%时,荧光粉的色坐标(0.338,0.281)与标准的白光色坐标(0.33,0.33)接近,表明NaGd(MoO4)2:4%Dy3+,0.9%Eu3+是很好的近紫外光激发下的白色荧光粉.