烧结工艺对(NaBi)_(0.425)(KCe)_(0.075)Bi_(2)Ta_(2)O_(9)陶瓷的电学性能影响

采用传统固相法制备(NaBi)_(0.425)(KCe)_(0.075)Bi_(2)Ta_(2)O_(9)(NBTO-0.075KCe)无铅压电陶瓷,系统分析不同烧结工艺对NBTO-0.075KCe陶瓷电学性能的影响。XRD结果显示所有陶瓷样品均生成了m=2的铋层状结构化合物。随着烧结温度的升高,陶瓷晶粒不断长大。当烧结温度为1150℃时,陶瓷样品的体积密度和电学性能达到最佳:ρ=9.10 g·cm^(-3),εr=566,Ea=1.34 eV,Pr=6.70μC·cm^(-2),d_(33)=19.0 pC/N。通过进一步调控烧结气氛,结果表明在N_(2)气氛中1150℃烧结,陶瓷样品的氧空位浓度减少,激活能和压电铁电性能进一步得到了提升:Ea=1.55e V,Pr=10.62μC·cm^(-2),d_(33)=19.6 p C/N。

Li、Ce掺杂对NBTa-CBN高温压电陶瓷性质的影响研究

采用传统固相反应法制备了Ca_(0.5)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.5-3 x)(Li_(0.5)Ce_(0.5))_(3x) Bi_(2)TaNb_(0.99)Mn_(0.01)O_(9)(CNBTNM-LC100_(x))高居里温度(T_(C))压电陶瓷。研究了Li、Ce复合离子掺杂对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,随着Li、Ce掺杂量的增加,CNBTNM-LC100_(x)陶瓷的晶体结构趋于由正交相向四方相转变,压电常数d 33逐渐增大,当x>0.04(x为摩尔分数)时,d 33趋于降低。x=0.04时,具有最优的综合电学性能,d 33约为15.9 pC/N,600℃下直流电阻率ρ约为5.9×10^(5)Ω·cm,介电损耗tanδ(1 MHz)约为7%,T_(C)约为887℃。