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纳米花棒SnO2的合成
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作者 高玉巧 辛旭 《广东化工》 CAS 2020年第9期10-10,6,共2页
二氧化锡是一种具有宽带隙为3.6e V的n型半导体材料。由于其独特的物理和化学特性,他的形貌合成科研工作者已经针对各种应用其进行了广泛的研究。本文以SnCl4·5H2O为锡源,通过水热法成功地合成了纳米花棒的SnO2纳米材料,并XRD、SE... 二氧化锡是一种具有宽带隙为3.6e V的n型半导体材料。由于其独特的物理和化学特性,他的形貌合成科研工作者已经针对各种应用其进行了广泛的研究。本文以SnCl4·5H2O为锡源,通过水热法成功地合成了纳米花棒的SnO2纳米材料,并XRD、SEM对合成的样品进行了表征。 展开更多
关键词 二氧化锡 纳米花棒
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