液晶光阀光电导层光吸收系数的研究

用化学气相沉积法制备了液晶光阀中光电导层———非晶硅薄膜,从实验中得出最佳制备工艺的参数取值。给出了用包络线法测量非晶硅薄膜光吸收系数的原理,测量了样品的光吸收系数随波长的变化规律。得到样品在最佳工艺条件下的光吸收系数高于1×103cm-1。

液晶光阀阻光层研究

本文研究了阻光层在液晶光阀中的作用，报导了我们首先提出的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ作为液晶光阀阻光层。ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构和光电性质。ａ－Ｓｉ：Ｈ和随之沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结的液晶光阀可改进器件的许多性能。

纳米硅薄膜用于非晶硅液晶光阁阻光层研究

本文报告了我们首先提出的采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结作为大屏幕投影液晶光阀光敏层，向列型液晶作为液晶光阀调制层的一种新型液晶光阀．Ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得．本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构和光电性质．Ａ－Ｓｉ：Ｈ和随之沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结，本文还讨论了它的光电性质。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结的液晶光阀可改进器件的许多性能．

单晶硅空间光调制器

详细介绍快速响应单晶硅空间光调制器件的结构、工作机理、制作工艺、性能参数。空间光调制器的极限分辨率为401p／mm，口径为40mm，在930mm（△λ＝40nm）写入光灵敏度为20μW／cm2，响应时间为15ms。给出该器件的应用实例。

非晶硅光电导层交流电阻率的研究

利用等效电路 ,估算出高性能液晶光阀对非晶硅光电导层交流电阻率的要求。用化学气相沉积法在最佳工艺条件下制备了非晶硅薄膜 ,测量了样品的交流电阻率。结果表明 ,非晶硅薄膜的交流电阻率随照射光的波长增大而先减小后增大 ,随功率密度、衬底温度和射频功率的增大而减小。样品的交流电阻率满足高性能液晶光阀光电导层的要求。

全集成单晶硅有源矩阵液晶光阀方案探讨

本文提出了全集成单晶硅有源矩阵液晶光阀（C－SiAMLCLV）方案。从微电子和液晶显示技术的角度论证了该方案的可行性，给出了实现c－SiAMLCLV的技术途径以及采用该光阔的大屏幕液晶投影显示的系统构成。