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题名氢稀释对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响及薄膜生长机理
被引量:3
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作者
于威
詹小舟
李彬
徐艳梅
李晓苇
傅广生
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机构
河北大学物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期927-931,共5页
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基金
国家自然科学基金(No.60878040)
河北省自然科学基金(No.E2009000208)资助
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文摘
以SiH4与H2作为前驱气体,采用射频等离子增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅薄膜.利用Raman散射和红外吸收光谱等技术,对不同氢稀释比条件下薄膜的微观结构和键合特性进行了研究.结果表明,随着氢稀释比增加,薄膜的晶化率明显提高,而氢稀释比过高时,薄膜晶化率呈现减少趋势.红外吸收光谱分析表明,纳米晶硅薄膜中氢的键合模式与薄膜的晶化特性密切相关.随着氢稀释比增加,薄膜中整体氢含量和SiH2键合密度明显减少,而在高氢稀释比条件下,氢稀释比增加导致薄膜中SiH2键合密度和整体氢含量增加.
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关键词
纳米晶硅薄膜
晶化率
氢稀释
生长机理
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Keywords
nanocrystalline silicon films
crystallization rate
hydrogen dilution
Growth mechanism
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分类号
TB3
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜
被引量:1
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作者
韩伟强
韩高荣
聂东林
丁子上
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机构
清华大学物理系
浙江大学材料系
山东建材学院
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出处
《真空科学与技术》
CSCD
1996年第6期427-432,共6页
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基金
国家自然科学基金
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文摘
在等离子体化学气相沉积系统(PECVD)中,使用高氢稀释硅烷(SiH_4)加乙烯(C_2H_4)为反应气氛制备了纳米硅碳(nc-SiC_x:H)薄膜。随着(C_2H_4+SiH_4)/H_2(X_g)从2%增加到5%时,由于H蚀刻效应的减弱,薄膜的晶态率从48%下降到8%,平均晶粒尺寸在3.5~10nm。当X_g≥6%时,生成薄膜为非晶硅碳(a-SiC_x:H)薄膜。nc-SiC^x:H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相关的逾渗行为。本文将对nc-SiC_x:H薄膜的生长机制和晶化机制进行较详细讨论。
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关键词
纳米硅碳薄膜
高氢稀释法
晶化机制
薄膜制备
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Keywords
nanocrystalline silicon carbon film, heavily hydrogen dilution, crystallization mechanism
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分类号
O484.1
[理学—固体物理]
TB43
[一般工业技术]
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