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High temperature magnetic semiconductors: narrow band gaps and two-dimensional systems 被引量:1
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作者 Bo Gu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2019年第8期36-44,共9页
Magnetic semiconductors have been demonstrated to work at low temperatures, but not yet at room temperature for spin electronic applications. In contrast to the p-type diluted magnetic semiconductors, n-type diluted m... Magnetic semiconductors have been demonstrated to work at low temperatures, but not yet at room temperature for spin electronic applications. In contrast to the p-type diluted magnetic semiconductors, n-type diluted magnetic semiconductors are few. Using a combined method of the density function theory and quantum Monte Carlo simulation, we briefly discuss the recent progress to obtain diluted magnetic semiconductors with both p- and n-type carriers by choosing host semiconductors with a narrow band gap. In addition, the recent progress on two-dimensional intrinsic magnetic semiconductors with possible room temperature ferromangetism and quantum anomalous Hall effect are also discussed. 展开更多
关键词 magnetic SEMICONDUCTOR narrow band gap two DIMENSIONAL systems
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β-CuGaO_(2):a ferroelectric semiconductor with narrow band gap as degradation catalyst for wastewater environmental remediation
2
作者 Ming-Cai Yao Xiao-Jie Wu +4 位作者 Lan-Lan Xu Fan-Zhi Meng Qiang Yang Jian Meng Xiao-Juan Liu 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第3期972-981,共10页
As a narrow band gap semiconductor,wurtziteβ-CuGaO_(2)has drawn increasing attention in the area of solar energy.Althoughβ-CuGaO_(2)has been theoretically predicted to possess ferroelectric polarization,its experi-m... As a narrow band gap semiconductor,wurtziteβ-CuGaO_(2)has drawn increasing attention in the area of solar energy.Althoughβ-CuGaO_(2)has been theoretically predicted to possess ferroelectric polarization,its experi-mental ferroelectric characterization and practical appli-cations have not yet been presented.Herein,firstly we experimentally confirmed its ferroelectric property via hysteresis loop measurement.The result showed a rema-nent polarization value of 10.20μC·cm^(-2) with low coer-cive electricfield of 6.45 kV·cm^(-1) at 20 Hz at room temperature,while the leakage current density(J)value was found to be 1.188 A·cm^(-2),which suggested the property of a larger remnant polarization with low coercive electricfield than current value if the compactness was strengthened.Then,the synergistic effect of ferroelectric and semiconductor was comparatively highlighted by the experiment of pollutant degradation.Within 30 min,methyl orange degradation efficiency had reached 30.73%only in the case of spontaneous polarization(electricity),while it could reach 67.58%under the effect of pre-po-larizedβ-CuGaO_(2)powder due to the modulating orienta-tion of ferroelectric domains.Once irradiated(light),it was up to 92%within 30 min;in comparison,it merely took 16 min up to 92%degradation efficiency under both illu-mination and pre-polarization.If without illumination,it was 92.01%with 30 min in the condition of ordinary ultrasonic vibration(force)while under both illumination and ultrasonic vibration,only 11 min was spent to reach 92.79%degradation efficiency.All these results felici-tously indicated thatβ-CuGaO_(2)had fascinating potential in energy harvesting(such as electricity,light,force)and transformation as wastewater environment remediation catalyst. 展开更多
关键词 β-CuGaO_(2) FERROELECTRICITY narrow band gap Large remanent polarization Degradation catalysts
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Development of ultra-narrow gap welding with constrained arc by flux band 被引量:26
3
作者 朱亮 郑韶先 陈剑虹 《China Welding》 EI CAS 2006年第2期44-49,共6页
Narrow gap welding has merits of lower residual stress and distortion, and superior mechanical properties of joints. A major problem of this process is the lack of fusion in sidewalls, hence many methods of weaving ar... Narrow gap welding has merits of lower residual stress and distortion, and superior mechanical properties of joints. A major problem of this process is the lack of fusion in sidewalls, hence many methods of weaving arc have been developed to increase heating effect of arc to the sidewalls. In this work, a new approach Without weaving arc is attempted to ensure the penetration of sidewall, and ultra-narrow gap welding with the gap of less than 5 mm was executed successfully. In this approach, the width of gap is decreased further, so that the sidewalls are made within range of arc heating to obtain the enough heat. In order to prevent the arc from being attracted by sidewall and going up along the sidewalls, two pieces of flux bands consisting of the specified aggregates are adhered to the sidewalls to constrain the arc. In addition, when flux band being heated by the arc, slag and gases are formed to shield the arc and the weld pool. This technique was tested on the welding experiment of pipeline steel with thickness of 20 mm. The involved welding parameters were obtained, that is, the width of gap is 4 mm, the welding current 250 A, and the heat input 0. 5 kJ/mm, the width of heat-affected zone is 1 -2 mm. 展开更多
关键词 ultra-narrow gap welding metal are welding flux band
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Extreme narrow photonic passbands generated from defective two-segment-connected triangular waveguide networks
4
作者 汤振兴 杨湘波 +1 位作者 卢剑 刘承宜 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第4期292-299,共8页
In this paper, we investigate the optical transmission properties of perfect and defective two-segment-connected tri- angular waveguide networks (2SCTWNs) and find that after introducing defects in networks, many gr... In this paper, we investigate the optical transmission properties of perfect and defective two-segment-connected tri- angular waveguide networks (2SCTWNs) and find that after introducing defects in networks, many groups of transparent extreme narrow photonic passbands (ENPPs) will be created in the middle of the transmission spectra, the number for each group and the group number of ENPPs can he adjusted by the matching ratios of waveguide length (MRWLs), the number of defects, and the number of unit cells of 2SCTWNs. The influences of MRWL, number of defects, and number of unit cells on the number, width, and position of these ENPPs are researched and a series of quantitative rules and prop- erties are obtained. It may be useful for the designing of high-sensitive optical switches, wavelength division multiplexers, extreme-narrowband filters, and other correlative waveguide network devices. 展开更多
关键词 photonic band gap defective waveguide network narrow passband
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基于窄带隙有机光电探测器材料的研究进展
5
作者 周鑫 《广州化工》 CAS 2023年第1期34-40,共7页
有机光电探测器(OPDs)因为制备过程简单且成本低、轻质柔性、重量轻等特点引起人们的极大兴趣,具有广阔的应用前景。近年来,随着窄带隙有机/聚合物材料的不断发展,许多具有高探测率和高灵敏度的新型窄带隙OPDs被不断的报道出来。研究人... 有机光电探测器(OPDs)因为制备过程简单且成本低、轻质柔性、重量轻等特点引起人们的极大兴趣,具有广阔的应用前景。近年来,随着窄带隙有机/聚合物材料的不断发展,许多具有高探测率和高灵敏度的新型窄带隙OPDs被不断的报道出来。研究人员利用有机聚合物和有机小分子等组块,成功地研制出一系列具有优异性能的窄带隙的有机光电探测器。本文简要综述了窄带隙有机/聚合物光电探测器活性层材料的研究进展。 展开更多
关键词 有机光电探测器 窄带隙 高性能 研究进展
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可见光响应型窄带隙半导体光催化材料的研究及应用进展 被引量:14
6
作者 张彤 张悦炜 +2 位作者 张世著 陈冠钦 洪樟连 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期24-28,共5页
近年来,窄带隙半导体材料因具有吸收太阳光可见波段能量、可见光催化降解有机物及可见光解水制氢的优异特性而成为新型半导体材料的研发热点。综述了以TiO2为代表的传统半导体材料掺杂体系以及全新组成材料体系等两大类具有窄带隙半导... 近年来,窄带隙半导体材料因具有吸收太阳光可见波段能量、可见光催化降解有机物及可见光解水制氢的优异特性而成为新型半导体材料的研发热点。综述了以TiO2为代表的传统半导体材料掺杂体系以及全新组成材料体系等两大类具有窄带隙半导体特性的材料种类、光催化性能的影响因素、材料制备工艺以及应用前景,并在此基础上展望了研究与发展方向。 展开更多
关键词 窄带隙半导体 可见光催化 可见光解水 带隙 制备工艺
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超窄带和多通道窄带光子晶体滤波器 被引量:15
7
作者 张玉萍 张会云 +2 位作者 郑义 王鹏 姚建铨 《量子光学学报》 CSCD 2004年第4期173-175,共3页
构造了形如(AB)mBn(BA)m的一维光子晶体,并利用光学传输矩阵法对这种光子晶体进行了数值模拟计算,对其光子能带特性进行了分析。计算结果表明,当m=6、m=4,而n变化时,在一定的波段范围内,在这种结构光子晶体的禁带区内分别获得了一个和... 构造了形如(AB)mBn(BA)m的一维光子晶体,并利用光学传输矩阵法对这种光子晶体进行了数值模拟计算,对其光子能带特性进行了分析。计算结果表明,当m=6、m=4,而n变化时,在一定的波段范围内,在这种结构光子晶体的禁带区内分别获得了一个和多个很窄的透过峰。这种结构的光子晶体可以用来制作超窄带滤波器和多通道窄带滤波器,有望在光通信超密度波分复用技术和光学信息精密测量技术中获得广泛应用。 展开更多
关键词 光子晶体 光子带隙 窄带滤波 多通道滤波
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取代基结构对聚[(3-烷基)噻吩-2,5]-取代苯甲烯衍生物三阶非线性光学性能的影响 被引量:2
8
作者 高潮 吴洪才 +2 位作者 易文辉 孙建平 孟令杰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期973-977,F010,共6页
采用3-烷基噻吩与对硝基苯甲醛和对二甲氨基苯甲醛的聚合反应得到了5种聚(3-烷基)噻吩取代苯甲烯衍生物:聚(3-丁基)噻吩对硝基苯甲烯(PBTNBQ)、聚(3-己基)噻吩对硝基苯甲烯(PHTNBQ)、聚(3-丁基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(PBTDMABQ)、聚(3-己... 采用3-烷基噻吩与对硝基苯甲醛和对二甲氨基苯甲醛的聚合反应得到了5种聚(3-烷基)噻吩取代苯甲烯衍生物:聚(3-丁基)噻吩对硝基苯甲烯(PBTNBQ)、聚(3-己基)噻吩对硝基苯甲烯(PHTNBQ)、聚(3-丁基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(PBTDMABQ)、聚(3-己基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(PHTDMABQ)和聚(3-辛基)噻吩对二甲氨基苯甲烯(POTDMABQ).计算其光学禁带宽度分别为PBTNBQ(1.82eV),PHTNBQ(1.85eV),PBTDMABQ(1.71eV),PHTDMABQ(1.78eV)和POTDMABQ(1.67eV).利用简并四波混频技术测量了5种聚合物薄膜的三阶非线性极化率,分别为1.74×10-8,1.82×10-8,5.62×10-9,8.64×10-9和1.22×10-8esu,均具有较大的三阶非线性光学性能.针对取代基结构对聚(3-烷基)噻吩取代苯甲烯衍生物的三阶非线性光学性能的影响从分子内极化程度和主链电子的离域程度两个方面进行了讨论. 展开更多
关键词 聚(3-烷基)噻吩取代苯甲烯 取代基结构 三阶非线性光学性能 禁带宽度 四波混频
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给体-受体-给体窄带隙染料掺杂聚芴发光二极管 被引量:2
9
作者 孙明亮 范素芹 +1 位作者 阳仁强 曹镛 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2098-2101,共4页
合成了一系列给体-受体-给体型窄带隙荧光分子,并将其作为掺杂剂与主体(Host)宽带隙聚芴共混制备发光二极管.荧光分子为4,7-二呋喃-苯并噻二唑(O-S)、4,7-二噻吩-苯并噻二唑(S-S)、4,7-二(N-甲基吡咯)-苯并噻二唑(N-S)、4,7-二硒吩-苯... 合成了一系列给体-受体-给体型窄带隙荧光分子,并将其作为掺杂剂与主体(Host)宽带隙聚芴共混制备发光二极管.荧光分子为4,7-二呋喃-苯并噻二唑(O-S)、4,7-二噻吩-苯并噻二唑(S-S)、4,7-二(N-甲基吡咯)-苯并噻二唑(N-S)、4,7-二硒吩-苯并噻二唑(Se-S)和4,7-二(N-甲基吡咯)-苯并硒二唑(N-Se).溶液中荧光分子的紫外-可见吸收峰位于447~472nm,荧光发射峰位于563~637nm.该系列荧光分子掺杂聚芴(PFO)发光器件的电致发光峰位于580~633nm.当器件结构为ITO/PEDOT/PVK/PFO+N-Se/Ba/Al时,最大外量子效率为1.28%,电流效率1.31cd/A. 展开更多
关键词 给体-受体-给体 窄带隙 掺杂 发光二极管
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高效硫硒化锑薄膜太阳电池中的渐变能隙结构 被引量:3
10
作者 曹宇 蒋家豪 +5 位作者 刘超颖 凌同 孟丹 周静 刘欢 王俊尧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期398-407,共10页
硫硒化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))薄膜太阳电池因其原材料丰富、制备方法简单、性能稳定等优势近年来得到了快速发展.本文基于Sb_(2)(S,Se)_(3)吸光层能隙可调的特点,应用wx-AMPS软件对具有渐变能隙Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池进行建模仿真和... 硫硒化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))薄膜太阳电池因其原材料丰富、制备方法简单、性能稳定等优势近年来得到了快速发展.本文基于Sb_(2)(S,Se)_(3)吸光层能隙可调的特点,应用wx-AMPS软件对具有渐变能隙Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池进行建模仿真和结构设计,并与50%Se含量的恒定能隙Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池进行了对比分析.结果显示,递减能隙结构所形成的附加电场能够促进空穴的输运,抑制载流子的复合,相比与恒定能隙Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池可以得到更高的短路电流密度和填充因子,使光电转换效率由12.03%提升至14.42%.此外,递减能隙结构通过抑制载流子的复合,有效地缓解Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池因厚度厚或者缺陷态高所引起的性能下降.在厚度为1.5μm,缺陷态密度在1016 cm^(–3)时.采用递减能隙Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池的效率比恒定能隙Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池高6.34%.研究结果表明通过吸光层的能隙结构设计能够发挥Sb_(2)(S,Se)_(3)等多元合金或化合物的能隙可调的优势,是提高太阳电池器件性能的有效技术路线之一. 展开更多
关键词 硫硒化锑 递减能隙 太阳电池 wx-AMPS
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缺陷态复周期光子晶体的特性研究 被引量:9
11
作者 崔应留 蔡祥宝 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期704-707,共4页
利用传输矩阵法计算复周期结构的光子晶体的色散关系和滤波特性 ,并重点研究了含有缺陷的类似于谐振腔结构的光子晶体滤波特性 .由于这种缺陷态复周期结构的可调参数多 ,人们很容易得到在红外波段 15 5 0nm附近窄带滤波窗口 ,透过率可... 利用传输矩阵法计算复周期结构的光子晶体的色散关系和滤波特性 ,并重点研究了含有缺陷的类似于谐振腔结构的光子晶体滤波特性 .由于这种缺陷态复周期结构的可调参数多 ,人们很容易得到在红外波段 15 5 0nm附近窄带滤波窗口 ,透过率可达到近 90 % ,而窗口以外的透过率在 0 .0 2 %以下 .当改变中间夹层厚度、周期数及缺陷层数时 ,窄带滤波窗口的位置和带宽发生改变 .因此 ,它在高速 ,长距离光通信中将有很好的应用 . 展开更多
关键词 光子带隙 光子晶体 窄带滤波器 缺陷
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超窄带和梳状多通道光子晶体滤波器设计 被引量:4
12
作者 郑慧茹 周骏 +1 位作者 薛春华 赵峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1917-1921,共5页
设计了一种因掺杂而具有超窄带滤波特性的光子晶体滤波器和一种复周期结构的梳状多通道光子晶体滤波器。在两种均匀介质交替分布的周期结构中间插入一层折射率不同的介质膜后,通过传输矩阵法的数值计算,发现采用前后不对称的周期结构并... 设计了一种因掺杂而具有超窄带滤波特性的光子晶体滤波器和一种复周期结构的梳状多通道光子晶体滤波器。在两种均匀介质交替分布的周期结构中间插入一层折射率不同的介质膜后,通过传输矩阵法的数值计算,发现采用前后不对称的周期结构并调节参数,可以在1 550 nm处找到一个透射率接近100%的极窄的透过峰,因而可得到一种超窄带光子晶体滤波器。另外,在以高低两种折射率的介质交替分布,并以两种单独的单元周期合并组成一个复周期,然后进行周期重复构成的光子晶体中,利用通道数等于复周期数减1的规律,并配合各层厚度的调节,设计出在1 550 nm附近梳状8通道和16通道的光子晶体滤波器,各通道透过峰的透射率均接近100%,由此设计出一种梳状多通道光子晶体滤波器。 展开更多
关键词 光子晶体 光子带隙 窄带滤波器 梳状多通道滤波器
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光折变材料的带隙结构研究 被引量:3
13
作者 刘建静 郝伟 +2 位作者 刘锴 唐保军 王雅丽 《量子光学学报》 CSCD 北大核心 2007年第1期47-51,共5页
利用光子晶体的概念和时域有限差分方法计算了当光折变材料的空间折射率呈一维正弦变化时其内部的带隙结构情况,表明在光折变材料中存在极窄的光子带隙。最后讨论了折射率(n)、折射率调制幅度(△n)、周期长度(D)及周期数(N)对光子带隙... 利用光子晶体的概念和时域有限差分方法计算了当光折变材料的空间折射率呈一维正弦变化时其内部的带隙结构情况,表明在光折变材料中存在极窄的光子带隙。最后讨论了折射率(n)、折射率调制幅度(△n)、周期长度(D)及周期数(N)对光子带隙的影响。 展开更多
关键词 光子晶体 光子带隙 时域有限差分方法 光折变材料 窄带滤波器
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光子晶体超窄带滤波器 被引量:42
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作者 欧阳征标 刘海山 李景镇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期281-284,共4页
本文利用光学传输矩阵法研究了一种类似于谐振腔结构的光子晶体 .研究发现在这种光子晶体的光子带隙的中央存在一个极窄的透光窗口 ,窗口的宽度在红外波段 1 5 0 0 nm附近可以做到 0 .0 0 0 1 nm以下 ,窗口内的透光率峰值可以接近 1 0 0... 本文利用光学传输矩阵法研究了一种类似于谐振腔结构的光子晶体 .研究发现在这种光子晶体的光子带隙的中央存在一个极窄的透光窗口 ,窗口的宽度在红外波段 1 5 0 0 nm附近可以做到 0 .0 0 0 1 nm以下 ,窗口内的透光率峰值可以接近 1 0 0 %,窗口以外的区域的透光率可以做到 0 .0 1 %以下 .通过改变所研究结构中的周期厚度、中间夹层厚度、两边光子晶体的周期重复数和波的入射角可以改变窄带透过窗口的位置和窄带的宽度 .这种光子晶体可以用来制作超窄带滤波器 ,有望在光通信超密度波分复用技术和光学信息精密测量技术当中获得应用 . 展开更多
关键词 超窄带滤波器 光子带隙 超密度次分复用 光学精密测量 光子晶体 光学传输矩阵法
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窄能隙共轭聚合物:聚[(3-烷基)噻吩-2,5]-取代苯甲烯衍生物的合成与表征 被引量:3
15
作者 高潮 吴洪才 +2 位作者 易文辉 李宝铭 孙建平 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1747-1751,共5页
合成了 3 -丁基噻吩和 3 -辛基噻吩 ,并分别与对硝基苯甲醛和对二甲氨基苯甲醛进行聚合反应得到了具有极低能隙的聚 ( 3 -丁基噻吩 )对硝基苯甲烯 ( PBTNBQ)、聚 ( 3 -丁基噻吩 )对二甲氨基苯甲烯( PBTDMABQ)和聚 ( 3 -辛基噻吩 )对二... 合成了 3 -丁基噻吩和 3 -辛基噻吩 ,并分别与对硝基苯甲醛和对二甲氨基苯甲醛进行聚合反应得到了具有极低能隙的聚 ( 3 -丁基噻吩 )对硝基苯甲烯 ( PBTNBQ)、聚 ( 3 -丁基噻吩 )对二甲氨基苯甲烯( PBTDMABQ)和聚 ( 3 -辛基噻吩 )对二甲氨基苯甲烯 ( POTDMABQ) .采用红外光谱、核磁共振氢谱和紫外 -可见吸收光谱确认了产物的结构 ,发现中间产物聚 ( 3 -烷基 )噻吩取代苯甲烷衍生物中存在部分醌化产物 .根据 Eg 与入射光子能量 hν的关系 ,采用 2种模型计算了 3种聚合物薄膜的光学禁带宽度为 PBTNBQ1 .63 ,1 .84e V;PBTDMABQ1 .44,1 .75 e V和 POTDMABQ1 .3 2 ,1 .69e V,属窄能隙共轭聚合物 . 展开更多
关键词 聚[(3-烷基)噻吩-2 5]苯甲烯 窄能隙共轭聚合物 带隙宽度 合成 表征
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Nd掺杂对ZnO带隙及染料敏化太阳能电池光电性能的影响 被引量:2
16
作者 张凌云 贾若琨 +2 位作者 孙旭辉 张瑛洁 刘春光 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1337-1341,共5页
利用溶液法制备Nd掺杂ZnO,并通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和光电流密度-光电压曲线研究Nd掺杂对ZnO带隙及染料敏化太阳能电池光电性能的影响.结果表明:Nd原子取代Zn原子掺杂到ZnO晶格中;Nd掺杂使ZnO带隙窄化,导致其UV... 利用溶液法制备Nd掺杂ZnO,并通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和光电流密度-光电压曲线研究Nd掺杂对ZnO带隙及染料敏化太阳能电池光电性能的影响.结果表明:Nd原子取代Zn原子掺杂到ZnO晶格中;Nd掺杂使ZnO带隙窄化,导致其UV-Vis谱吸收带边红移,且随着掺杂摩尔分数的增加,红移和窄化程度增大;掺杂Nd可提高电池的光电流及光电转换效率,当掺杂Nd的摩尔分数分别为0.5%,1.0%,1.5%时,其光电流密度分别为9.51,13.01,10.79mA/cm2,光电转换效率分别为2.28%,2.84%,2.48%. 展开更多
关键词 太阳能电池 氧化锌 ND 掺杂 带隙窄化 光电性能
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超窄间隙焊接中焊剂片与电弧相互作用机制分析 被引量:10
17
作者 龚练 朱亮 +1 位作者 张爱华 周鸿翔 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期57-60,共4页
通过向间隙宽度为4 mm的I形坡口中预置焊剂片进行超窄间隙焊接试验,采用一种快速中断电弧的方法,保留焊接过程中焊剂片、坡口底部和侧壁的熔化形态,分析了焊剂片与电弧相互作用面积对电弧受约束程度的影响.结果表明,增加电弧电压或降低... 通过向间隙宽度为4 mm的I形坡口中预置焊剂片进行超窄间隙焊接试验,采用一种快速中断电弧的方法,保留焊接过程中焊剂片、坡口底部和侧壁的熔化形态,分析了焊剂片与电弧相互作用面积对电弧受约束程度的影响.结果表明,增加电弧电压或降低焊剂片熔点,可使焊剂片熔化面积增大,固壁约束面积减小.当焊剂片熔化面积大于一定值而小于固壁约束面积时,电弧受约束程度适中,电弧加热区域被控制在坡口根部和两侧壁,从而获得成形良好的焊缝.当焊剂片熔化面积大于固壁约束面积时,电弧受约束程度减弱,电弧加热区域集中在两侧壁上,很难形成一个完整的熔池,最终形成了带有大量孔洞的焊缝. 展开更多
关键词 超窄间隙焊接 焊剂片熔化面积 固壁约束面积 电弧受约束程度
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波分复用各向异性光子晶体滤波器 被引量:7
18
作者 郝东山 文桦 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期868-872,共5页
从光子晶体的光子频率禁带特性出发,提出了用两个或两个以上的各向异性周期结构光子晶体叠加在一起,形成叠层结构光子晶体,以获得窄带滤波特性的设想;利用光学传输矩阵法研究了这种结构的光子晶体,分析了在不同入射角和折射率条件下,该... 从光子晶体的光子频率禁带特性出发,提出了用两个或两个以上的各向异性周期结构光子晶体叠加在一起,形成叠层结构光子晶体,以获得窄带滤波特性的设想;利用光学传输矩阵法研究了这种结构的光子晶体,分析了在不同入射角和折射率条件下,该周期结构的透射和偏振的光学特性。分析表明,各向异性光子晶体在折射率比值较大或与高折射率各向同性介质结合使用,可以获得较窄的通带,从而实现滤波。数值模拟的结果也证实了上述构思的正确性。 展开更多
关键词 量子光学 波分复用 各向异性光子晶体 光子禁带 传输矩阵 光窄带滤波器
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考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析 被引量:2
19
作者 周守利 崇英哲 +1 位作者 黄永清 任晓敏 《电子器件》 CAS 2004年第4期559-563,共5页
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roul... 重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制 ,对考虑自热效应下的重掺杂 Al Ga As/Ga-As HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种 BGN模型比较得出 :为了更好描述电流传输 ,利用 Jain-Roulston的 BGN模型 ,考虑导带。 展开更多
关键词 热场发射扩散 能带变窄效应(BGN) 自热效应 Jain—Roulston模型
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禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究 被引量:1
20
作者 周守利 崔海林 +1 位作者 黄永清 任晓敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期152-156,共5页
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN)。对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAsHBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响。文中基于Jain-Roulston禁带收... 重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN)。对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAsHBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响。文中基于Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射-扩散载流子输运机制,对这一现象进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出为了更好描述电流传输,利用Jain-Roulston的BGN模型,考虑禁带变窄量在导带、价带有不同的分配,从而对电流有不同的影响是必要的。 展开更多
关键词 热场发射扩散 禁带变窄效应 Jain-Roulston模型
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