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垂直 Bridgman 法生长半磁性半导体 Cd_(1-x)Mn_xTe 晶体 被引量:1
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作者 凌志华 景玉梅 +1 位作者 黄锡珉 马凯 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第1期11-14,共4页
本文采用垂直 Bridgman 法生长了半磁性半导体 Cd_(1-x)Mn_xTe(0.01≤x≤0.50),用 X 射射技术对生长的晶体质量进行了评价,晶体的 X 射线双晶衍射峰半宽度仅有38″,显示了极好线衍的晶体完整性。从实验中得到晶体的最佳生长速率为2mm/h... 本文采用垂直 Bridgman 法生长了半磁性半导体 Cd_(1-x)Mn_xTe(0.01≤x≤0.50),用 X 射射技术对生长的晶体质量进行了评价,晶体的 X 射线双晶衍射峰半宽度仅有38″,显示了极好线衍的晶体完整性。从实验中得到晶体的最佳生长速率为2mm/h,对晶体样品的电学性能进行了 Hall测试,测试结果表明得到的晶体样品都是 p 型样品。 展开更多
关键词 半磁性 半导体 晶体
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Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te能隙的温度和压力效应
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作者 姜山 赵平 +1 位作者 马可军 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期271-275,共5页
采用金刚石对顶砧高压装置测量了半磁半导体Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te光吸收边的压力效应,得到其一级和二级压力系数分别为α=8.2×10^(-11)eV/Pa和β=-7.7×10^(-21)eV/Pa^2;测量了不同温度下的Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te吸收谱,得到其... 采用金刚石对顶砧高压装置测量了半磁半导体Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te光吸收边的压力效应,得到其一级和二级压力系数分别为α=8.2×10^(-11)eV/Pa和β=-7.7×10^(-21)eV/Pa^2;测量了不同温度下的Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te吸收谱,得到其能隙温度系数为α=-4.4×10^(-4)eV/K。此外,在低温下发现了一个Fe^(2+)吸收峰,根据晶体场理论判定为Fe^(2+)的~5E→~3T_1跃迁吸收峰。 展开更多
关键词 半磁半导体 能隙 温度 压力效应
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半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的磁光开关效应
3
作者 刘继周 王传敏 +1 位作者 王学忠 陈辰嘉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期105-109,共5页
在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。讨论了该效应用于光控、温控磁光开关及混合型磁光光学双稳态的可能性。
关键词 半磁半导体 磁光效应 开关控制
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半磁性半导体Cd_(1-x)Mn_xTe深能级的研究
4
作者 凌志华 景玉梅 +1 位作者 黄锡珉 马凯 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1994年第1期39-43,共5页
通过测量半磁性半导体Cd_(1-x)Mn_xTe晶体在77~300K温度范围的电导率变化,得到了晶体的一个受主深能级约为0.18ev左右,并通过分析以及退火后的电导率的测量,认为它可能是由[V_(Cd) ̄(2-)D ̄... 通过测量半磁性半导体Cd_(1-x)Mn_xTe晶体在77~300K温度范围的电导率变化,得到了晶体的一个受主深能级约为0.18ev左右,并通过分析以及退火后的电导率的测量,认为它可能是由[V_(Cd) ̄(2-)D ̄+]引起的,同时通过VanderPaul法,对Cd_(1-x)Mn_xTe晶体进行了室温下的霍耳效应测量,得到了它的一些电学参数。 展开更多
关键词 半磁性 半导体 深能级 CDMNTE
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用RAS模型估算半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe富碲溶液蒸汽压
5
作者 莫要武 吴汶海 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1995年第1期59-67,共9页
Cd1-xMnxTe富碲溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的.本文用缔合规则溶液(RAS)模型估算了Cd1-xMnxTe富碲溶液的平衡蒸汽压,并且和实验结果进行了定性比较.
关键词 半导体 半磁半导体 碲锰镉 RAS模型 平衡蒸汽压
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Te溶液生长半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的光学和电学性质研究
6
作者 莫要武 吴汶海 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第1期107-111,共5页
测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC)Cd1-MnTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd1-xMnxTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn2... 测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC)Cd1-MnTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd1-xMnxTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn2+3d(4T1)能级出现在Cd1-xMnxTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。 展开更多
关键词 溶液生长 半磁半导体 光学性质 碲锰镉半导体
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窄禁带半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe的磁化强度
7
作者 陈辰嘉 王学忠 +1 位作者 刘继周 R.R.Galazka 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期529-533,共5页
本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06,0.08,0.12,0.16的Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与组分,温度和磁场强度的关系.采用分子场近似模型,用类布里渊... 本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06,0.08,0.12,0.16的Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与组分,温度和磁场强度的关系.采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对实验结果进行了拟合和分析.结果表明在本文x值范围内,理论与实验符合较好,证实了锰离子间存在强的反铁磁交换耦合. 展开更多
关键词 磁化强度 窄禁带 半磁半导体
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HgMnTe磁性半导体研究概述 被引量:1
8
作者 朱亮清 褚君浩 《红外》 CAS 2011年第5期1-8,共8页
HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域。同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱... HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域。同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱导绝缘体-金属相变、巨Faraday旋转效应、光致磁化效应和磁极化子效应等特殊光电特性和磁学特性。因此,HgMnTe材料具有许多潜在应用,如磁控光电子器件、量子计算和量子通讯,并可能是实现自旋电子学的一种候选材料。 展开更多
关键词 HgMnTe 磁性半导体 磁交换作用 自旋电子学
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ZnS:V^(3+)光学和顺磁性质的理论研究
9
作者 郑澍奎 赵敏光 +1 位作者 刘光华 郭袁俊 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2003年第6期605-608,共4页
应用V3+的Watson自洽场d 轨函计算出了Racah静电参量A0、B0、C0和用完全对角化方法计算了ZnS:V3+的光谱和基态g因子,并比较了Racah静电参量A0对光谱能级的贡献.计算结果与实验结果符合得较好.此外,还讨论了共价因子对能级的影响.
关键词 配位场 光学和顺磁性质 Ⅱ-Ⅵ族半磁半导体
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V^(2+)在ZnS中光谱的理论计算
10
作者 马晓红 周一阳 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期211-214,共4页
用分子轨道理论推导了3d3离子在立方晶体场中的哈密顿矩阵,并计算了V2+在ZnS中的吸收光谱.与其他近似方法相比较,该计算结果与实验符合得好,表明V2+在ZnS中,共价因素和Racah参量A的贡献是很大的.理论计算出的一条近红外谱线有待实验的... 用分子轨道理论推导了3d3离子在立方晶体场中的哈密顿矩阵,并计算了V2+在ZnS中的吸收光谱.与其他近似方法相比较,该计算结果与实验符合得好,表明V2+在ZnS中,共价因素和Racah参量A的贡献是很大的.理论计算出的一条近红外谱线有待实验的进一步检验. 展开更多
关键词 半磁半导体 吸收光谱 V^2+离子 ZNS
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半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xS中的能量传递
11
作者 王敬伯 Hoffma.H 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期38-43,共6页
本文测量了Zn1-xMnxS在不同Mn浓度(0.001<x<0.5)下的发射谱和衰减曲线,并且用Yokota和Tanimoto模型进行了分析在对4T1衰减曲线进行拟合时发现衰减曲线是两种不同弛豫过程之和:(1)孤立的... 本文测量了Zn1-xMnxS在不同Mn浓度(0.001<x<0.5)下的发射谱和衰减曲线,并且用Yokota和Tanimoto模型进行了分析在对4T1衰减曲线进行拟合时发现衰减曲线是两种不同弛豫过程之和:(1)孤立的Mn2-离子的4T1衰减,它确定衰减曲线的尾部,有较长的衰减寿命;(2)Mn2-离子聚集体(例如Mn2-离子对)的4T1衰减,这种衰减比单个Mn2-离子的衰减更快.我们深入分析了在x=0.062,T=80K时的Zn1-xMnxS的发射谱及其衰减曲线,得到两个衰减寿命:τ1=70μs,τ2>1000μs,这表明在高Mn浓度时存在着两个弛豫过程:一个是较快的,另一个则是较慢的,根据Goede等人的实验结果可以断定较慢的过程来自孤立的Mn2-离子,那么便可以判知较快的过程是来源于Mn2-离子对.正是高Mn浓度下的Zn1-xMnxS中存在着Mn2+-Mn2+离子对,在其间有能量迁移以及它和能量受主之间的能量传递造成了该体系中的IR发射. 展开更多
关键词 半磁半导体 能量传递 红外发射 ZnMnS
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DISPERSION RELATION AND LANDAU LEVELS OF INVERSION LAYER SUBBAND ON p-HgCdTe
12
作者 褚君浩 R.SIZMANN F.KOCH 《Science China Mathematics》 SCIE 1990年第10期1192-1200,共9页
Starting from Kane's model and taking into account the surface electron spin-orbit interaction, we have derived the dispersion relation and Landau levels of inversion layer subband on narrow-gap semiconductors. Th... Starting from Kane's model and taking into account the surface electron spin-orbit interaction, we have derived the dispersion relation and Landau levels of inversion layer subband on narrow-gap semiconductors. The capacitance-voltage spectroscopy, magnetoconductivity oscillations and cyclotron resonance spectroscopy for the p-Hg_(1-x)Cd_x Te MIS structure sample at temperature 4.2 K have been measured. From the experimental data, the subband parameters and spin-orbit coupling intensity, which are involved in the expressions of subband dispersion relation and Landau levels, have been determined. As a result, the inversion layer electron subband dispersion relation and Landau level fan chart for HgCdTe as well as the zero field spin splitting effect, the shifting and the crossing effect of Landau levels have been described quantitatively. 展开更多
关键词 narrow-gap semiconductorS HGCDTE 2-dimensional electron gas SUBBAND LANDAU level.
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