准—维NbSe_3单晶的制备及其输运特性

用气相输运法制备了准一维结构的NbSe_3单晶,并研究了其剩余电阻率与杂质的关系。在电子扫描电镜(SEM)下观测了NbSe_3单晶的表面形貌,未见亚微米尺寸的缺陷。NbSe_3单晶的电阻温度与温度的关系(ρ-T)曲线表明,NbSe_3样品分别在T_(ρ1)=145 K和T_(ρ2)=57 K 经历两次 Peierls相变、剩余电阻比 RRR高于 200。根据对不同样品的ρ-T曲线的研究指出,以前的文献用剩余电阻比估计杂质浓度n_i的方法是一个错误,并提出了改进措施。