报道了一种新型调Q微片激光器。首次提出了斜泵浦方案,实验中分别采用LD端面垂直泵浦和斜泵浦两种方式,结构简单紧凑。微片采用Nd∶YVO4作为工作物质,半导体可饱和吸收镜(SESAM)为调Q元件。在两种泵浦方式下,都获得了重复频率范围在千...报道了一种新型调Q微片激光器。首次提出了斜泵浦方案,实验中分别采用LD端面垂直泵浦和斜泵浦两种方式,结构简单紧凑。微片采用Nd∶YVO4作为工作物质,半导体可饱和吸收镜(SESAM)为调Q元件。在两种泵浦方式下,都获得了重复频率范围在千赫兹到兆赫兹的皮秒激光脉冲输出。以光纤耦合输出的808 nm LD作为泵浦源,在垂直泵浦的情况下,在420 m W抽运功率下,获得6.40 m W的1064 nm激光输出,脉冲宽度57.8 ps,对应单脉冲能量6 n J,x、y方向的光束质量因子分别为1.18、1.17。在斜泵浦的情况下,在550 m W抽运功率下,获得2.25 m W的1064 nm激光输出,脉冲宽度64.3 ps,对应单脉冲能量17 n J,x、y方向的光束质量因子分别为1.29、1.32。展开更多
文摘在满足双波长激光振荡阈值相等的条件下,分析和数值计算抽运光、双波长(1.34,1.06μm)振荡激光光束半径的相对大小,以及其对两个子腔输出镜透过率关系的影响.研究发现,当抽运光、两种波长激光的光束半径之比达到一定值时,两个子腔输出镜透过率之间的最佳关系不随腔内光束半径的变化而变化.在考虑Nd∶YVO4晶体的热透镜效应情况下,可合理地选择2个子腔腔长来实现双波长(1.34,1.06μm)激光相同的振荡阈值.实验结果表明,抽运功率较小(小于11 W)时,输出的1.06μm激光功率大于1.34μm激光功率;抽运功率较大时(大于11 W),1.34μm激光功率超过1.06μm激光功率;当抽运功率等于11 W时,1.34μm和1.06μm激光功率均为0.675 W.
文摘研究了激光二极管端面泵浦Nd:YVO4/Ga As被动调Q激光器的输出特性。在连续光运转和调Q运转情况下,得到的激光最高输出斜效率分别为41.5%和11.4%。用一片700μm厚的Ga As薄片作为饱和吸收体,对1.06μm激光透过率为6.5%的平面镜作为15 mm谐振腔的耦合输出镜,得到的最短脉宽仅为1.9 ns。在泵浦功率由0.5 W上升到5.6 W的过程中,用T为6.5%和20%的输出镜得到的脉冲重复频率从18.7和23.9 k Hz分别上升到53和41.3 k Hz。两种输出镜透过率下得到的最大脉冲能量分别为8.5和13.3μJ,相应的峰值功率高达4.45和4.6 k W。此激光器具有非常高的振幅稳定性,在高泵浦功率下调Q脉冲振幅波动小于3%。
文摘报道了一种新型调Q微片激光器。首次提出了斜泵浦方案,实验中分别采用LD端面垂直泵浦和斜泵浦两种方式,结构简单紧凑。微片采用Nd∶YVO4作为工作物质,半导体可饱和吸收镜(SESAM)为调Q元件。在两种泵浦方式下,都获得了重复频率范围在千赫兹到兆赫兹的皮秒激光脉冲输出。以光纤耦合输出的808 nm LD作为泵浦源,在垂直泵浦的情况下,在420 m W抽运功率下,获得6.40 m W的1064 nm激光输出,脉冲宽度57.8 ps,对应单脉冲能量6 n J,x、y方向的光束质量因子分别为1.18、1.17。在斜泵浦的情况下,在550 m W抽运功率下,获得2.25 m W的1064 nm激光输出,脉冲宽度64.3 ps,对应单脉冲能量17 n J,x、y方向的光束质量因子分别为1.29、1.32。
