弱相互作用构筑的二维、三维冠醚配合物｛[K(18-C-6)]_2(C_2H_4Cl_2)｝[Ni(dmit)_2]_2和[K(18-C-6)][Ni(dmit)_2]的合成与结构

研究了 18 冠 6与NiCl2 ·6H2 O,K2 dmit(dmit=4,5 dimercapto 1,3 dithiole 2 thione,C3S2 -5)在不同溶剂中反应生成的两个标题配合物｛[K(18 C 6)]2 (C2 H4 Cl2 )｝[Ni(dmit)2 ]2 (1)和[K(18 C 6)][Ni(dmit)2 ](2).通过元素分析、红外光谱、单晶X射线衍射进行了表征.1和 2均属三斜晶系,空间群P 1.1的晶体学数据:a =1 0 2 72 (2)nm,b =1 2 2 82 (3 )nm,c=1 42 0 5(3 )nm,α =113 473(3 )°,β =90 60 9(3)°,γ =91 43 9(3)°,V =1 64 3 0 (6)nm3,Z =2,F(0 0 0 )=876,R1=0 0 5 0 3 2的晶体学数据:a =0 85 0 2 (2)nm,b=1 2 178(4)nm,c =1 5 118(4)nm,α =86 45 4(5 )°,β =77 73 4(5 )°,γ =85 3 64 (5)°,V =1 5 2 2 8(8)nm3,Z =2,F(0 0 0) =774,R1=0 0 5 65.配合物 1,2分别通过K S,K Cl,S S和K S,S S弱相互作用形成二维。

(Bu_4N)[Ni(dmit)_2]的一步合成及一种新晶相

用中心离子替代和空气自动氧化的方法由 (Bu4N) 2 [Zn(dmit) 2 ]一步合成了 (Bu4N) [Ni(dmit) 2 ] .这种方法可推广到其它Z[M(dmit) 2 ]配合物和Z[M(dmit) 2 ] 2 导电配合物的合成 .(Bu4N) [Ni(dmit) 2 ]结晶过程中出现两个晶相 ,其中空间群为C2 /c的侧心单斜相为新晶相 .X射线结构测定结果为 :a =2 0 191(2 )nm ,b =1 3 40 4(1)nm ,c =1 2 14 1(1)nm ,β =10 5 5 5 (1)° ,V =3 165 5 (6)nm3 ,R =0 0 5 5 .晶体中的 [Ni(dmit) 2 ] -呈D2h点群对称性 ,平面性接近完美 ,共轭性相当显著 .相邻 [Ni(dmit) 2 ] -平面间的夹角为 75 5 6(3 )° .

分子导体(PyH)[Ni(dmit)_2]_2的合成、结构与导电性

合成了一种新的导电分子晶体(PyH)[Ni(dmit)2 ]2 (Py =pyridine,dmit=(C3S5)2 -=4,5 dimercapto 1,3 dithiole 2 thione),用元素分析、红外光谱对其进行了表征,并用四圆X射线衍射方法确定了结构,该晶体属于三斜晶系,P 1空间群;晶胞参数为:a =0 5 92 2 7(4)nm,b =0 82 2 79(6)nm,c=1 675 3 5 (9)nm,α =90 2 3 3 (5)°,β =92 10 7(5)°,γ =10 4 65 4(6)°;V =0 7892 5 (9)nm3,Z =1.(PyH)[Ni(dmit)2 ]2 晶体中,导电组元[Ni(dmit)2 ]-0 5沿b轴方向形成具有二聚体结构的柱状堆积,在(0 0 1)面形成以肩并肩分子间的S S强相互作用为特征的二维导电层,这种二维导电层上的室温电导率为 0 13Ω-1·cm-1,在c轴方向,(PyH)+与[Ni(dmit)2 ]-0 5之间除库仑作用外,还存在N—H S,C—H S氢键相互作用.单晶(0 0 1)面上变温电阻的测定结果表明,在 90K到室温的温度范围内,(PyH)[Ni (dmit)2 ]2 具有半导体导电行为,导电激活能为 0 15eV.

分子导体(Py Me)[Ni(dmit)_2]_2的合成、结构与导电性

合成了一种新的导电分子晶体 (PyMe) [Ni(dmit) 2 ] 2 (Py =pyridine ,dmit =(C3 S5) 2 -=4,5 dimercapto 1,3 dithiole 2 thio nato) ,并用四圆X射线衍射方法确定了结构 ,该晶体属于三斜晶系 ,P 1空间群 ;晶胞参数为 :a =0 7483 7( 9)nm ,b =1 15 479( 16)nm ,c =1 9775 ( 3 )nm ,α =99 2 68( 12 )° ,β =99 14 0 ( 10 )° ,γ =99 673 ( 11)° ;V =1 63 2 0 ( 4 )nm3 ,Dc=2 0 2 9g/cm3 ,Z =2 .导电组元 [Ni(dmit) 2 ] 0 .5-沿 [-110 ]方向堆积成柱 (column) ,柱与柱之间进一步借助于大量的S…S分子间相互作用形成二维导电层 ,测得在 ( 0 0 1)面上的室温电导率为 10 -1～ 10 -4Ω-1·cm-1.用结构参数和分子间重叠积分相结合的方法 ,分析了导电性与结构的关系 .

分子导体(PyEt)[Ni(dmit)_2]_2的合成、结构与导电性

合成了一种新的导电分子晶体PyEt[Ni(dmit)_2])2(dmit=4,5-dimercapto-1,3-dith-iole-2-thione)。X射线衍射测定表明,该晶体属于单斜晶系,C2/c空间群。PyEt[Ni(dmit)_2]_2晶体中,导电组元[Ni(dmit)_2]^(0.5-)沿c方向面对面平行堆积成分子柱,各分子柱沿a方向肩并肩并行伸展构成(010)面的二维导电层。测得二维导电层上某方向的室温电导率为10 S·cm^(-1)。从282～269 K,该晶体表现出金属导电性,269 K以下则为半导体。用实测的晶体结构和计算的能带结构对这种导体→半导体的相变予以解释:金属导电性对应于均匀的分子柱和直线点列型Ni原子链;而半导体导电性则对应于交错的分子柱和锯齿型Ni原子链。