Ni-Cr桥膜换能元的制备

为了制作出阻值一致性好,发火电压低的金属桥膜换能元,对Ni-Cr薄膜换能元制作过程中的薄膜溅射、刻蚀等工艺进行了探索,并对制作的换能元参数进行了测试。结果显示随着溅射功率的减小,薄膜的沉积速率减小,成膜致密性提高;在一定范围内,刻蚀液中高氯酸所占的比例越大,刻蚀用时越短。制作的Ni-Cr薄膜换能元电阻的一致性较好,在47μF电容情况下发火电压均值为6.67 V。

Ni薄膜热敏电阻的研究

采用磁控溅射方法制备Ni薄膜热敏电阻,其电阻温度系数(TCR)为5.7×10-3/℃。对Ni电阻薄膜表面和横截面进行了电子探针微分析(EPMA),得到了Ni薄膜横截面的线分析谱线,并对Ni薄膜表面结构进行了较深入的分析。

Ni膜热敏电阻的制备

本文介绍了用射频溅射法制备的Ni膜热敏电阻的特性及相应工艺条件。通过X射线衍射法分析了不同偏压下Ni膜的晶粒尺寸,并对实验结果进行了分析,获得了能够长期稳定工作的电阻温度系数(TCR)较高的热敏电阻。

镍薄膜电阻作为多功能传感器的温度敏感元件

为解决铝薄膜和银薄膜电阻率小、热敏电阻灵敏度低、耐腐蚀性差、工作温度低等问题 ,提出镍薄膜电阻可以作为温度敏感元件集成在压力传感器上 .对镍薄膜热敏电阻的制备方法、温度敏感特性进行了分析与实验研究 ,并将其集成在耐高温压力传感器上 ,对制备的压力 -温度多功能传感器进行了测试 .结果表明传感器可在室温至 2 0 0℃温度范围工作并达到较高精度 ,可以推广使用 .

镍铬合金薄膜的研究进展

镍铬合金薄膜是重要的精密电阻和应变电阻薄膜材料。简述了镍铬合金薄膜的3种制备方法:真空蒸发沉积、磁控溅射沉积和离子束沉积;讨论了基底、工作气压、沉积时间等薄膜制备工艺参数以及退火工艺对薄膜性能的影响。重点叙述了镍铬合金薄膜、改良型镍铬合金膜、含氯镍铬合金膜、镍铬合金多层膜和纳米镍铬合金薄膜等膜系的特征。阐明了制备具有高电阻率、低电阻温度系数、高应变灵敏系数、良好的热稳定性等优异综合性能的镍铬合金薄膜的新工艺发展趋势。

CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片。基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1 W提升到了2.5 W。

高温高湿环境下镍铬合金薄膜电阻器失效分析

在85℃和85%相对湿度的环境下,对镍铬(Ni-Cr)合金薄膜电阻器进行带载老化试验(“双85”老化试验),测试其老化试验3 000 h后的可靠性。测试结果显示,在“双85”老化试验环境下,薄膜电阻器进行老化试验后,表现出两种失效模式:阻值漂移和开路。该文进一步对两种失效模式的失效机理进行分析,阐明了失效的原因。针对失效的薄膜电阻,采用3D共聚焦激光显微镜、扫描电子显微镜、X射线能谱仪和聚焦离子束等分析手段进行检测,检测结果显示,薄膜电阻器的端电极处出现开裂。进一步对失效部位进行分析发现,电极层除开裂等明显问题外,还出现了银电极被硫化腐蚀的情况。

AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究

利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm^2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力。带AlN薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm^2。

镍铬合金靶材裂纹产生原因分析

研究全返回料真空冶炼镍铬合金靶材产品内部产生裂纹的原因.通过金相显微镜、电子扫描显微镜等仪器进行观察检测,认为夹杂物是产生裂纹的主要因素,并通过加强对入炉料的清理和改进冶炼工艺等措施,减少和避免废品出现,改善材料质量,提高产品成材率,增强产品市场竞争力.

Ni-Cr薄膜换能元刻蚀工艺研究

为得到刻蚀效果好的Ni-Cr薄膜换能元,研究了刻蚀液的配比对刻蚀时间及金属桥膜换能元参数的影响。结果表明:在硫酸高铈的量一定的情况下,当V_(高氯酸):V_水为17:100时,刻蚀效果较为理想,制作的Ni-Cr薄膜换能元桥区尺寸与设计尺寸的偏差控制在了0.9%以内,并在10V、47μF条件下能够发火。