针对近场通信(NFC)应用,通过改变材料中的Bi2O3含量和二磨后粉体活性,开发了一种高性能的Ni Cu Zn铁氧体材料。使用流延法制备长宽为125×125mm、厚度为100μm的铁氧体薄片。观察、测试了铁氧体材料的微观形貌、磁导率频谱以及铁氧...针对近场通信(NFC)应用,通过改变材料中的Bi2O3含量和二磨后粉体活性,开发了一种高性能的Ni Cu Zn铁氧体材料。使用流延法制备长宽为125×125mm、厚度为100μm的铁氧体薄片。观察、测试了铁氧体材料的微观形貌、磁导率频谱以及铁氧体薄片的可读写距离。结果表明,铁氧体薄片的使用性能与铁氧体材料在13.56MHz时磁导率实部μ'、虚部μ"的值有关。通过改变材料中Bi2O3含量以及二磨后粉体活性,可获得致密度高、晶粒细小均匀,低频下μ'较高、μ"较低的铁氧体材料。在13.56MHz时磁导率实部μ'高于150,虚部μ"低于5。插入该铁氧体薄片后RFID天线紧贴金属的情况下可读写距离可以恢复到原始读写距离的80%。展开更多
采用固相反应法制备Ni0.5Zn0.5Nd x Fe2-x O4铁氧体,通过X射线衍射仪(XRD)、阻抗分析仪和振动样品磁强计(VSM)对样品的物相、结构和电磁性能进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5Nd x Fe2-x O4(x=0.002~0.010)铁氧体的结构和电磁性能。结果表明:N...采用固相反应法制备Ni0.5Zn0.5Nd x Fe2-x O4铁氧体,通过X射线衍射仪(XRD)、阻抗分析仪和振动样品磁强计(VSM)对样品的物相、结构和电磁性能进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5Nd x Fe2-x O4(x=0.002~0.010)铁氧体的结构和电磁性能。结果表明:Nd3+掺杂量x>0.008时,样品中出现了杂相NdFeO3;随着Nd3+掺杂量的增加,晶格常数呈现先增大后不变,而密度、介电常数和介电损耗角正切呈现先增大后减小(x=0.008时出现最大值),但饱和磁化强度呈现逐渐减小(x=0.010时有最小值71.22 emu/g);并且所有样品的介电损耗角正切均出现峰值,表现异常的介电行为。展开更多
文摘针对近场通信(NFC)应用,通过改变材料中的Bi2O3含量和二磨后粉体活性,开发了一种高性能的Ni Cu Zn铁氧体材料。使用流延法制备长宽为125×125mm、厚度为100μm的铁氧体薄片。观察、测试了铁氧体材料的微观形貌、磁导率频谱以及铁氧体薄片的可读写距离。结果表明,铁氧体薄片的使用性能与铁氧体材料在13.56MHz时磁导率实部μ'、虚部μ"的值有关。通过改变材料中Bi2O3含量以及二磨后粉体活性,可获得致密度高、晶粒细小均匀,低频下μ'较高、μ"较低的铁氧体材料。在13.56MHz时磁导率实部μ'高于150,虚部μ"低于5。插入该铁氧体薄片后RFID天线紧贴金属的情况下可读写距离可以恢复到原始读写距离的80%。
文摘采用固相反应法制备Ni0.5Zn0.5Nd x Fe2-x O4铁氧体,通过X射线衍射仪(XRD)、阻抗分析仪和振动样品磁强计(VSM)对样品的物相、结构和电磁性能进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5Nd x Fe2-x O4(x=0.002~0.010)铁氧体的结构和电磁性能。结果表明:Nd3+掺杂量x>0.008时,样品中出现了杂相NdFeO3;随着Nd3+掺杂量的增加,晶格常数呈现先增大后不变,而密度、介电常数和介电损耗角正切呈现先增大后减小(x=0.008时出现最大值),但饱和磁化强度呈现逐渐减小(x=0.010时有最小值71.22 emu/g);并且所有样品的介电损耗角正切均出现峰值,表现异常的介电行为。