Ni离子掺杂对CoAl双氢氧化物电化学电容的影响

CoAl LDHs with different molar ratio of Ni have been prepared by chemical co -precipitation method.XRD results show that these materials have layered struc tures.Electrochemical tests show that Co(Ni)Al LDHs as electrode material hav e typical capacit ive properties in a wide voltage range of0.0to0.6V;Co(Ni)Al LDH(Ni∶Co =4∶6)as an electrode material has the highest capacitance of960F · g -1 and good cycling performance.But the poor capacitive properties of NiAl LDH electrode are showed in a narrow voltage range of0.3to0.55V.

TiNi和317L合金Ni离子释放速度的原子吸收谱法测定

用石墨炉原子吸收谱法测定了ＴｉＮｉ形状记忆合金及３１７Ｌ不锈钢在１％ＮａＣｌ生理盐水中Ｎｉ离子释放速度。结果表明，随浸泡时间延长，浸泡液中的Ｎｉ离子浓度有规律地连续增加。计算得到抛光态的ＴｉＮｉ记忆合金和３１７Ｌ不锈钢Ｎｉ离子释放速度分别为１．４４×１０－３μｇ／ｃｍ２·ｈ和１．２９×１０－３μｇ／ｃｍ２·ｈ。文中最后还讨论了原子吸收谱法在研究金属生物材料腐蚀性能方面的适用性。

低强度激光泵浦类Ni离子X光激光实验

在试运行的神光Ⅱ装置上，采用新设计的凸柱面透镜列阵均匀线聚焦系统，用两束激光焦线叠加和双靶对接等技术，以预主脉冲激光驱动方式，在（５～８）×１０１３Ｗ／ｃｍ２的较低强度激光泵浦条件下，观测到Ｎｉ－ｌｉｋｅＤｙ、Ｅｒ、Ｙｂ的软Ｘ光激光输出，测得波长５．０２ｎｍ类ＮｉＹｂ和波长５．８６ｎｍ类ＮｉＤｙ的软Ｘ光激光的增益系数分别为１．６ｃｍ－１和１．４ｃｍ－１。

无氰镀金对镍铬合金Ni离子析出的影响

目的通过对PFMC基底表面处理,定量检测镍铬合金经过无氰镀金后Ni离子析出量的变化,以分析筛选适用于口腔临床镀金要求的基底表面处理方式。方法将镍铬合金喷砂试件和镍铬合金抛光试件经过无氰镀金后,与镍铬合金试件共6组分别在pH6.8正常唾液环境和pH5.6的酸性环境浸泡一周后,利用Z-5000原子吸收分光光度计检测浸泡过的溶液Ni离子的析出量。结果pH6.8镍铬合金抛光试件与喷砂试件镀金后的Ni离子析出量相差不明显,pH5.6镍铬合金抛光试件Ni离子析出量明显降低,差异具有显著性(P<0.05)。结论基底经过抛光镀金后的Ni离子析出降低,合金表面稳定性明显提高。

Ni离子注入四面体非晶碳(ta-C)膜微观结构研究

高内应力是阻碍高性能超硬四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon,ta-C)膜长厚和广泛应用的主要因素。为降低ta-C膜内应力,本文采用金属蒸汽真空弧(metal vapor vacuum arc,MEVVA)离子源注入技术,注入Ni离子到用磁过滤阴极真空弧(filtered cathodic vacuumarc,FCVA)沉积的ta-C膜中,制备出掺Ni膜(ta-C:Ni膜)。用XPS、XRD、Raman谱和SEM表征膜的微观结构。结果显示,膜sp3含量减小,发生了石墨化,石墨颗粒细化;Ni在膜中以单质Ni的形式存在,并且有Ni纳米晶体析出;膜表面均匀分布约10nm颗粒。对膜在结构上的变化作了讨论。

类Ni离子软X光激光:激光下能级去激发跃迁波长和辐射强度

继1985年美国Lawrence Livermore实验室在高温等离子体中首次实现了类Ne离子的软x光激光之后,紧接着同一实验室又在1987年在类似的条件下观察到了类Ni离子的软X光激光。在高温等离子体研究中,人们之所以对这些离子有特殊的兴趣,是因为由于它们基态的满层结构使得它们在很宽的温度范围内一直是等离子体内的主要离化阶;人们的兴趣之所以由类Ne离子向类Ni离子(甚至向类Nd离子)转移。

生理环境中NiTi记忆合金腐蚀释放Ni离子的研究

目的研究pH值、Cl-浓度对医用NiTi形状记忆合金在不同模拟生理环境中的Ni2+腐蚀释放动力学过程的影响,同时对NiTi形状记忆合金Ni2+腐蚀释放机理进行分析探讨。方法在0.9%NaCl生理盐水、Hank’s模拟体液、Tyrode’s模拟血液三种模拟生理液中,pH值分别为2、5、8和10,恒温(37±1)℃下,进行静态挂片腐蚀试验,然后用最小二乘原理拟合试验曲线。结果Ni Ti形状记忆合金在Tyrode’s模拟血液中的Ni离子释放量最大,Hank’s模拟体液中次之,0.9%NaCl生理盐水中较低,Ni离子释放在前7天内呈现较快速度,之后趋于平缓;且Ni离子释放量随pH和Cl-的增大而增加。结论在Cl-浓度为正常条件0.14mol/L下,当体液在2≤pH≤10范围内波动时,NiTi记忆合金中Ni2+的腐蚀释放量在约3年内达不到Ni致敏的最低极限量,孔蚀是NiTi形状记忆合金在生理环境中主要的腐蚀机理。

配体辅助Ni(Ⅱ)离子印迹材料的制备及性能

采用沉淀聚合法,以Ni(Ⅱ)离子为模板离子,邻氨基吡啶为配体,丙烯酰胺为功能单体,系统优化印迹条件,制备一系列Ni(Ⅱ)离子印迹聚合物Ni(Ⅱ)-IIP_(1-20)及相应的非印迹聚合物Ni(Ⅱ)-NIP_(1-20)。采用SEM(扫描电镜)、FT-IR(红外光谱)等对较优条件下制备的Ni(Ⅱ)-IIP_(3)及Ni(Ⅱ)-NIP_3进行结构表征,通过动力学吸附实验和等温吸附实验等进一步探究其吸附行为。结果表明:Ni(Ⅱ)-IIP_3对Ni(Ⅱ)离子的平衡吸附量达109.48 mg/g,印迹因子为3.70,是典型的介孔材料。其表面存在吸附Ni(Ⅱ)离子的特异性印迹孔穴,吸附行为更符合准二级动力学模型和Freundlich等温吸附模型。此外,在“竞争离子”Co(Ⅱ)离子存在的条件下,Ni(Ⅱ)-IIP_3对Ni(Ⅱ)离子仍具有较强的吸附能力和良好的吸附选择性,是一种性能优异的新型吸附材料。

基于双功能单体的Ni(Ⅱ)离子印迹复合膜的制备及性能研究

采用沉淀聚合法,以Ni(Ⅱ)离子为模板离子,α-甲基丙烯酸和N-异丙基丙烯酰胺为双功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂,偶氮二异丁腈为引发剂,通过正交试验设计,对制备Ni(Ⅱ)离子印迹复合膜的实验条件进行系统优化,制备了16种Ni(Ⅱ)离子印迹复合膜[Ni(Ⅱ)-IICMs]和相应的非印迹复合膜(NICMs),得出制备Ni(Ⅱ)-IICMs的较优实验条件。采用平衡吸附实验对Ni(Ⅱ)-IICMs和NICMs进行吸附量和印迹因子评价,结果表明:在较优实验条件下制备的Ni(Ⅱ)-IICM_(8),平衡吸附量为1.286mmol/g,印迹因子为1.737。采用红外光谱、扫描电镜、氮气吸附/脱附等手段对Ni(Ⅱ)-IICM_(8)和相应NICM_(8)的内部结构及表面形貌进行表征。使用动力学吸附和等温吸附实验对Ni(Ⅱ)-IICM_(8)和NICM_(8)的吸附行为进行研究,结果表明:Ni(Ⅱ)-IICM_(8)对Ni(Ⅱ)离子的吸附,在较短时间内即可快速达到吸附平衡,且在不同浓度的溶液中都有较好的吸附效果。在不同温度下,探究Ni(Ⅱ)-IICM_(8)的吸附行为,结果表明Ni(Ⅱ)-IICM_(8)具有良好的“温度响应性”。综上所述,说明实验研究制备的Ni(Ⅱ)-IICM_(8),有望用于实际样品中Ni(Ⅱ)离子的分离和去除。

NiTi合金表面液相阴极等离子体沉积氧化铝陶瓷涂层的研究

在NiTi合金表面通过液相阴极等离子体技术制备了氧化铝(Al2O3)陶瓷涂层。采用X射线衍射和扫描电镜对涂层的相组成以及表面形貌进行了表征和分析,证实在材料表面形成了由α-Al2O3和γ-Al2O3组成的涂层,发现涂层具有粗糙多孔结构。在模拟体液中对NiTi合金的Ni离子释放情况进行了检测,发现液相阴极等离子体改性后显著降低了Ni离子的释放。为NiTi合金植入体的表面改性提供了一条新途径。

Ni^(10+)离子辐照Ni-Mo-Cr合金微观结构演变和硬化的研究

室温下对钍基熔盐堆(TMSR)中候选合金结构材料Ni-Mo-Cr合金进行了能量为132MeV的Ni 10+离子辐照研究,辐照剂量分别为1dpa、3dpa和9dpa。X射线衍射仪(XRD)分析显示离子辐照后Ni-Mo-Cr合金发生晶格畸变,维氏显微硬度的测量结果表明高剂量的离子辐照造成Ni-Mo-Cr合金的硬化,这主要归因于辐照导致材料内部形成大量缺陷。当辐照剂量为9dpa时,维氏硬度测试结果表明损伤的峰值出现的深度介于8.1~12.3μm之间,此结果与理论计算相吻合。

Ni^(25+)离子1s^2 3s—1s^2np跃迁的全能域理论研究

用全实加关联方法计算了Ni^(25+)离子1s^23s和1s^2np(n≤9)态的能量.通过引入价电子的有效核电荷,在类氢近似下,估算了对能量的高阶相对论修正和QED修正.计算了该离子1s^23s-1s^2np的跃迁能,波长和在三种规范下的振子强度.依据量子亏损理论,确定了Rydberg系列1s^2np的量子数亏损,据此可以实现对任意高激发态(n≥10)的能量的可靠预言;得到该离子从1s^23s态到电离阈附近高激发1s^2np态间的跃迁振子强度以及到相应连续态跃迁的振子强度密度.

激光诱导Ni等离子体电子温度、电子密度的时间演化特性研究

本文在350-600 nm波长范围内测定了激光烧蚀Ni等离子体中Ni原子的时间分辨发射光谱.由发射光谱线的强度和Stark展宽分别计算了等离子体电子温度和电子密度,并由实验结果讨论了激光等离子体中电子温度、电子密度的时间演化特性.

Ni基等离子堆焊合金的空蚀行为

使用超声振荡空蚀实验设备研究了Ni基等离子堆焊合金在蒸馏水中的空蚀行为.堆焊合金的 显微组织由奥氏体基体、第二相以及共晶组织组成,奥氏体基体的固溶强化以及大尺寸硬质相有效抵御微 射流的冲击,是Ni基等离子堆焊合金具有高的抗空蚀性能的主要原因.

激光溅射Ni等离子体与气相CH_3OH团簇的反应

用激光溅射 分子束技术研究了气相中Ni的等离子体与甲醇分子团簇的反应 .观察到Ni+ (CH3 OH) n、NiO+ (CH3 OH) n、H+ (CH3 OH) n、H3 O+ (CH3 OH) n 四个种类的团簇正离子和CH3 O-(CH3 OH) n(n≤ 2 5 )一种团簇负离子 .详细考察了激光烧蚀等离子体作用于脉冲分子束的不同位置时 ,对团簇产物种类和团簇尺寸大小的影响 .发现NiO+ (CH3 OH) n 是由Ni+ (CH3 OH) n 团簇内的脱甲烷反应生成的 ,而H+ (CH3 OH) n、H3 O+ (CH3 OH)

激光诱导Ni等离子体电子温度、电子密度的空间演化特性研究

在350-600nm波长范围内测定了激光烧蚀Ni等离子体中Ni原子的空间分辨发射光谱.由发射光谱线的强度和STARK展宽分别计算了等离子体电子温度和电子密度,并由实验结果讨论了激光等离子体的空间演化特性.

激光诱导Ni等离子体发射光谱的空间演化特性研究

在350～600 nm波长范围内测定了激光烧蚀Ni等离子体中Ni原子的空间分辨发射光谱.测定了385.83 nm发射光谱线的相对强度和STARK展宽及其随径向的变化特性.结果表明,在沿激光束方向上,当距离靶表面0～2.5 mm范围内变化时,谱线的STARK展宽和谱线的强度都随距靶面距离的增大先增大,但增大到最大值后随距离的进一步增大而减小.谱线强度和STARK加宽的最大值都出现在离靶面约1.5 mm处.

博莱霉素在Ni/GC离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

目的:研究博莱霉素在Ni/GC离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用。方法:博莱霉素在01mol·L-1HAcNaAc(pH462)缓冲溶液中,用离子注入镍的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定。结果:得到一良好的还原峰,峰电位Ep=-116V(vs.SCE)。峰电流与博莱霉素浓度在10×10-6～14×10-5mol·L-1范围内成线性关系。检出限为80×10-7mol·L-1。并用于尿样的测定,得到满意的结果。用线性扫描和循环伏安法研究了体系的电化学行为。用奥歇电子能谱(AES)和光电子能谱(XPS)等表面分析技术检测了注入电极表面的元素组成、价态和深度分布,对离子注入电极的催化性质进行了探讨。结论:体系属两电子还原的不可逆过程。

纯镍Ni200等离子焊接工艺参数正交试验优化设计

以6mm厚纯镍Ni200为试验材料，采用正交试验设计方法科学地安排试验过程，研究焊接工艺参数与接头抗拉强度之间的关系。研究发现，焊接电流对焊接接头抗拉强度影响最显著，离子气体流量和焊接速度影响次之。通过正交试验设计确定最优工艺规范为：焊接电流200A，焊接速度180mm／min，离子气体流量3L／min，保护气体流量20～221Mmin。最优工艺规范下焊缝成形良好，接头抗拉强度明显升高。试验表明，等离子焊接中厚镍板是一种理想的焊接方法。

负载壳聚糖的凹凸棒土对Ni^(2+)离子吸附性能的研究

天然凹凸棒土(AT)经盐酸和热处理制得活化凹凸棒土(MAT).以壳聚糖(CTS)改性MAT制得负载壳聚糖的凹凸棒土(CMAT)。用扫描电镜(SEM)和红外光谱(IR)对AT、MAT和CMAT的结构进行了表征。考察了Ni2+离子溶液的初始浓度、pH、吸附时间以及吸附温度对CMAT和CTS两种吸附剂吸附Ni2+离子性能的影响,得出了适宜的吸附条件。用IR对这两种吸附剂及其适宜条件下得到的吸附产物的结构进行了表征,并作了比较。结果表明,CMAT吸附Ni2+离子的适宜条件为:Ni2+离子溶液初始浓度40.0 mg/L,pH 4.03~6.04,吸附时间1.5 h,吸附温度25℃其最大吸附容量为15.2 mg/L;CTS吸附Ni2+离子的适宜条件为:Ni2+离子溶液初始浓度40.0 mg/L,pH3.00~4.12,吸附时间1.5 h,吸附温度35℃,其最大吸附容量为12.3 mg/L。在相同实验条件下,CMAT对Ni2+离子的吸附性能高于CTS,且二者的吸附行为均符合Langmuir吸附等温式。IR分析表明,CMAT对Ni2+离于的吸附包含化学吸附和物理吸附两个过程。而CTS主要是化学吸附。