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Ni-W/Si-MCM-41加氢脱硫催化剂中Ni的助剂作用
被引量:
8
1
作者
李翔
王安杰
+2 位作者
孙仲超
李矗
胡永康
《石油学报(石油加工)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期67-74,共8页
在中压固定床反应器上,以含质量分数0.2%~0.8%二苯并噻吩(DBT)的十氢萘溶液为模型化合物,考察了Ni-W/Si-MCM-41催化下的加氢脱硫反应(HDS)动力学.结果表明,HDS反应的表观活化能(EHDS)和氢解反应的表观活化能(EHYG)在Ni/W摩尔比为0.75...
在中压固定床反应器上,以含质量分数0.2%~0.8%二苯并噻吩(DBT)的十氢萘溶液为模型化合物,考察了Ni-W/Si-MCM-41催化下的加氢脱硫反应(HDS)动力学.结果表明,HDS反应的表观活化能(EHDS)和氢解反应的表观活化能(EHYG)在Ni/W摩尔比为0.75时最小,而加氢反应的表观活化能(EHYD)则随Ni/W摩尔比的增加单调降低,表明在Ni-W/Si-MCM-41催化剂上加氢和氢解的活性中心不同.紫外/可见漫反射光谱(UV-Vis)和程序升温还原技术(TPR)表征的结果表明,Ni-W/Si-MCM-41的加氢活性中心可能与催化剂表面八面体配位的Ni物种有关,而氢解活性则与NiO-WO3混合物种的还原性能有一定对应关系.
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关键词
深度加氢脱硫
si
—MCM-41
ni
—
w
/
si
—MCM-41催化剂
动力学
二苯并噻吩(DBT)
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职称材料
Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
被引量:
1
2
作者
王胜
黄伟
+1 位作者
张树丹
许居衍
《电子与封装》
2010年第10期24-27,共4页
文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为...
文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。
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关键词
ni
(
w
)
si
肖特基势垒二极管
XRD
RAMAN光谱
快速热退火
下载PDF
职称材料
Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
3
作者
石青宏
刘瑞庆
黄伟
《电子与封装》
2017年第6期41-44,共4页
首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度...
首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65 eV,理想因子接近于1。
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关键词
ni
(
w
)
si
热稳定性
肖特基势垒二极管
XRD
RAMAN光谱
卢瑟福背散射
快速热退火(RTA)
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职称材料
硅电极表面镍钨磷合金电沉积及其析氢性能
被引量:
2
4
作者
李爱昌
李健飞
+1 位作者
任宁
刘爽
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期5-6,41,共3页
Ni-W-P合金薄膜具有优良的催化析氢性能和耐蚀性。通过在半导体p型Si上恒电流沉积Ni-W-P合金薄膜,制备出Ni-W-P合金修饰的半导体p型Si电极。用SEM和XRD对合金薄膜的表面形貌、组成和结构进行了表征,以电极的阴极极化曲线对其催化析氢...
Ni-W-P合金薄膜具有优良的催化析氢性能和耐蚀性。通过在半导体p型Si上恒电流沉积Ni-W-P合金薄膜,制备出Ni-W-P合金修饰的半导体p型Si电极。用SEM和XRD对合金薄膜的表面形貌、组成和结构进行了表征,以电极的阴极极化曲线对其催化析氢和光电催化析氢性能进行评价。结果表明:W,P质量分数分别为26.71%和0.95%的纳米晶合金修饰的p型Si电极具有优良的催化析氢性能和显著的光电析氢活性。
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关键词
电沉积
ni
-
w
-P/p-
si
纳米晶
催化析氢
光照
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职称材料
镍铬硼硅钨气焊丝的研究
5
作者
张清辉
尹邦跃
《湘潭大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1996年第2期97-99,105,共4页
报道了新研制的用于氧一乙炔火焰堆焊的镍铬硼硅钨气焊丝着重研究了各元素在焊丝中的作用与影响,对筛选出的可用于实际生产的气焊丝,报道了其耐磨性试验结果.
关键词
气焊丝
堆焊
硬度
镍铬硼硅钨合金
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职称材料
电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钨钢中硅、锰、磷、铬、镍、铜、钼、钒和钨
被引量:
7
6
作者
曹瑞
张丹丹
+1 位作者
邱月梅
关冬冬
《理化检验(化学分册)》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期1153-1155,共3页
采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钨钢中硅、锰、磷、铬、镍、铜、钼、钒和钨的含量。试样用盐酸、柠檬酸铵、硝酸溶解。基体效应采用基体匹配法消除。硅、锰、磷、铬、镍、铜、钼、钒、钨的分析谱线依次为288.158,257.610,177.4...
采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钨钢中硅、锰、磷、铬、镍、铜、钼、钒和钨的含量。试样用盐酸、柠檬酸铵、硝酸溶解。基体效应采用基体匹配法消除。硅、锰、磷、铬、镍、铜、钼、钒、钨的分析谱线依次为288.158,257.610,177.495,267.716,213.604,327.396,204.598,310.230,239.709nm。9种元素的质量分数在一定的范围内与其发射强度呈线性关系。方法的检出限(3s)在0.000 3%~0.004 8%之间。方法用于两种标准物质的测定,测定结果与认定值相符,测定值的相对标准偏差(n=5)在0.74%~2.1%之间。方法的回收率在95.0%~107%之间。
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关键词
电感耦合等离子体原子发射光谱法
钨钢
硅
锰
磷
铬
镍
铜
钼
钒
钨
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职称材料
题名
Ni-W/Si-MCM-41加氢脱硫催化剂中Ni的助剂作用
被引量:
8
1
作者
李翔
王安杰
孙仲超
李矗
胡永康
机构
大连理工大学精细化工国家重点实验室
辽宁省高校石油化工技术与装备重点实验室
辽宁省高校石油化工技术与装备重点实验室
出处
《石油学报(石油加工)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期67-74,共8页
基金
国家自然科学基金(20003002
20333030)
+2 种基金
辽宁省中青年学科带头人
教育部博士点专项基金(20030141026)
CNPC中青年创新基金(200341)资助项目
文摘
在中压固定床反应器上,以含质量分数0.2%~0.8%二苯并噻吩(DBT)的十氢萘溶液为模型化合物,考察了Ni-W/Si-MCM-41催化下的加氢脱硫反应(HDS)动力学.结果表明,HDS反应的表观活化能(EHDS)和氢解反应的表观活化能(EHYG)在Ni/W摩尔比为0.75时最小,而加氢反应的表观活化能(EHYD)则随Ni/W摩尔比的增加单调降低,表明在Ni-W/Si-MCM-41催化剂上加氢和氢解的活性中心不同.紫外/可见漫反射光谱(UV-Vis)和程序升温还原技术(TPR)表征的结果表明,Ni-W/Si-MCM-41的加氢活性中心可能与催化剂表面八面体配位的Ni物种有关,而氢解活性则与NiO-WO3混合物种的还原性能有一定对应关系.
关键词
深度加氢脱硫
si
—MCM-41
ni
—
w
/
si
—MCM-41催化剂
动力学
二苯并噻吩(DBT)
Keywords
deep hydrodesulfurization
si
-MCM-41
ni
-
w
/
si
-MCM-41 catalyst
kinetics
dibenzothiophene (DBT)
分类号
TE624.9 [石油与天然气工程—油气加工工程]
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职称材料
题名
Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
被引量:
1
2
作者
王胜
黄伟
张树丹
许居衍
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2010年第10期24-27,共4页
文摘
文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。
关键词
ni
(
w
)
si
肖特基势垒二极管
XRD
RAMAN光谱
快速热退火
Keywords
ni
(w
)
si
schottky barrier diode
raman spectral analy
si
s
RTA
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
3
作者
石青宏
刘瑞庆
黄伟
机构
深圳深爱半导体股份有限公司
中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2017年第6期41-44,共4页
文摘
首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65 eV,理想因子接近于1。
关键词
ni
(
w
)
si
热稳定性
肖特基势垒二极管
XRD
RAMAN光谱
卢瑟福背散射
快速热退火(RTA)
Keywords
ni(w)si
thermal stability
Schottky Barrier Diode
XRD
Raman spectral analy
si
s
RBS(Ruther ford backscattering spectrometry)
RTA(Rapid thermal annealing)
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅电极表面镍钨磷合金电沉积及其析氢性能
被引量:
2
4
作者
李爱昌
李健飞
任宁
刘爽
机构
廊坊师范学院化学系
出处
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期5-6,41,共3页
文摘
Ni-W-P合金薄膜具有优良的催化析氢性能和耐蚀性。通过在半导体p型Si上恒电流沉积Ni-W-P合金薄膜,制备出Ni-W-P合金修饰的半导体p型Si电极。用SEM和XRD对合金薄膜的表面形貌、组成和结构进行了表征,以电极的阴极极化曲线对其催化析氢和光电催化析氢性能进行评价。结果表明:W,P质量分数分别为26.71%和0.95%的纳米晶合金修饰的p型Si电极具有优良的催化析氢性能和显著的光电析氢活性。
关键词
电沉积
ni
-
w
-P/p-
si
纳米晶
催化析氢
光照
Keywords
electrodepo
si
ting
ni
-
w
-P/p-
si
nanocrystalline
catalytic activity for hydrogen evolution
illumination
分类号
TQ153.2 [化学工程—电化学工业]
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职称材料
题名
镍铬硼硅钨气焊丝的研究
5
作者
张清辉
尹邦跃
机构
湘潭大学机械工程系
出处
《湘潭大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1996年第2期97-99,105,共4页
文摘
报道了新研制的用于氧一乙炔火焰堆焊的镍铬硼硅钨气焊丝着重研究了各元素在焊丝中的作用与影响,对筛选出的可用于实际生产的气焊丝,报道了其耐磨性试验结果.
关键词
气焊丝
堆焊
硬度
镍铬硼硅钨合金
Keywords
ni
- Cr - B -
si
-
w
alloy
w
ire ,oxy - acetylene flame gas
w
elding, hardness
分类号
TG422.1 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钨钢中硅、锰、磷、铬、镍、铜、钼、钒和钨
被引量:
7
6
作者
曹瑞
张丹丹
邱月梅
关冬冬
机构
国家金属制品质量监督检测中心
出处
《理化检验(化学分册)》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期1153-1155,共3页
文摘
采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钨钢中硅、锰、磷、铬、镍、铜、钼、钒和钨的含量。试样用盐酸、柠檬酸铵、硝酸溶解。基体效应采用基体匹配法消除。硅、锰、磷、铬、镍、铜、钼、钒、钨的分析谱线依次为288.158,257.610,177.495,267.716,213.604,327.396,204.598,310.230,239.709nm。9种元素的质量分数在一定的范围内与其发射强度呈线性关系。方法的检出限(3s)在0.000 3%~0.004 8%之间。方法用于两种标准物质的测定,测定结果与认定值相符,测定值的相对标准偏差(n=5)在0.74%~2.1%之间。方法的回收率在95.0%~107%之间。
关键词
电感耦合等离子体原子发射光谱法
钨钢
硅
锰
磷
铬
镍
铜
钼
钒
钨
Keywords
ICP-AES
Tungsten steel
si
Mn
P
Cr
ni
Cu
Mo
V
w
分类号
TG115.33 [金属学及工艺—物理冶金]
O657.31 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ni-W/Si-MCM-41加氢脱硫催化剂中Ni的助剂作用
李翔
王安杰
孙仲超
李矗
胡永康
《石油学报(石油加工)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
8
下载PDF
职称材料
2
Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
王胜
黄伟
张树丹
许居衍
《电子与封装》
2010
1
下载PDF
职称材料
3
Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
石青宏
刘瑞庆
黄伟
《电子与封装》
2017
0
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职称材料
4
硅电极表面镍钨磷合金电沉积及其析氢性能
李爱昌
李健飞
任宁
刘爽
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
下载PDF
职称材料
5
镍铬硼硅钨气焊丝的研究
张清辉
尹邦跃
《湘潭大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1996
0
下载PDF
职称材料
6
电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钨钢中硅、锰、磷、铬、镍、铜、钼、钒和钨
曹瑞
张丹丹
邱月梅
关冬冬
《理化检验(化学分册)》
CAS
CSCD
北大核心
2014
7
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职称材料
已选择
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