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快速退火对Ni-Al-O栅介质结构和介电性能的影响
1
作者
李曼
刘保亭
+1 位作者
王玉强
王宽冒
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期257-260,共4页
采用反应脉冲激光沉积方法(PLD)分别在n-Si(100)和Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上生长了Ni-Al-O栅介质薄膜,将样品在不同温度下进行快速退火处理.通过XRD和AFM对其结构和表面形貌进行了表征,利用LCR表和Keithley表对其介电性能和漏电流进行...
采用反应脉冲激光沉积方法(PLD)分别在n-Si(100)和Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上生长了Ni-Al-O栅介质薄膜,将样品在不同温度下进行快速退火处理.通过XRD和AFM对其结构和表面形貌进行了表征,利用LCR表和Keithley表对其介电性能和漏电流进行了研究.结果表明,样品经过750℃退火后仍然保持非晶状态,且样品的表面平整,均方根粗糙度小于0.5 nm.在1 MHz测试频率下,由Pt/Ni-Al-O/Pt电容器测得的介电常数为9.9.MOS电容器的电学测试显示,700℃以上退火的样品有较高的电容值,较低的漏电流密度.研究表明,Ni-Al-O薄膜是一种有潜力的新型高k栅介质材料.
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关键词
高K栅介质
ni-al-o薄膜
反应脉冲激光沉积
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职称材料
题名
快速退火对Ni-Al-O栅介质结构和介电性能的影响
1
作者
李曼
刘保亭
王玉强
王宽冒
机构
河北大学物理科学与技术学院
河北大学电子信息工程学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期257-260,共4页
基金
国家自然科学基金(60876055
11074063)
+3 种基金
河北省自然科学基金(E2008000620
E2009000207)
高等学校博士点基金(20091301110002)
河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(10963525D)~~
文摘
采用反应脉冲激光沉积方法(PLD)分别在n-Si(100)和Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上生长了Ni-Al-O栅介质薄膜,将样品在不同温度下进行快速退火处理.通过XRD和AFM对其结构和表面形貌进行了表征,利用LCR表和Keithley表对其介电性能和漏电流进行了研究.结果表明,样品经过750℃退火后仍然保持非晶状态,且样品的表面平整,均方根粗糙度小于0.5 nm.在1 MHz测试频率下,由Pt/Ni-Al-O/Pt电容器测得的介电常数为9.9.MOS电容器的电学测试显示,700℃以上退火的样品有较高的电容值,较低的漏电流密度.研究表明,Ni-Al-O薄膜是一种有潜力的新型高k栅介质材料.
关键词
高K栅介质
ni-al-o薄膜
反应脉冲激光沉积
Keywords
high-k gate dielectric
ni-al-o
thin film
reactive pulsed laser deposition
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快速退火对Ni-Al-O栅介质结构和介电性能的影响
李曼
刘保亭
王玉强
王宽冒
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
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