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Fabrication and properties of ZAO powder,sputtering target materials and the related films 被引量:6
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作者 Wei Shao Ruixin Ma Bin Liu 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2006年第4期346-349,共4页
Aluminum-doped zinc oxide (ZnO:Al), abbreviated as ZAO, is a novel and widely used transparent conductive material. The ZAO powder was synthesized by chemical coprecipitation. The ZAO ceramic sputtering target mate... Aluminum-doped zinc oxide (ZnO:Al), abbreviated as ZAO, is a novel and widely used transparent conductive material. The ZAO powder was synthesized by chemical coprecipitation. The ZAO ceramic sputtering target materials were fabricated by sintering in air, and ZAO transparent conductive films were prepared by RF magnetron sputtering on glass substrates. XRD proved that such films had an orientation of (002) crystal panel paralleled to the surface of the glass substrate. The average transmittance of the films in the visible region exceeded 80%. 展开更多
关键词 transparent conductive film Al-doped zinc oxide chemical coprecipitation sputtering target materials
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Preparation and Characterization of Rare Earth Metal and Alloy Target Materials for Manufacturing Magneto-Optical Disks
2
作者 张志宏 邱巨峰 +1 位作者 马志鸿 于雅樵 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第S1期440-443,共4页
The studies were made on the preparation processes of the rare earth metal and alloy target materials and their characterization. In this work the rare earth metals were prepared by electrolysis of the oxide in molten... The studies were made on the preparation processes of the rare earth metal and alloy target materials and their characterization. In this work the rare earth metals were prepared by electrolysis of the oxide in molten salt for Nd metal and metallothermic reduction of the fluorides for Gd, Tb, Dy metals. After vacuum refining and distillation purification these rare earth metals were used for manufacturing the element targets, mosaic targets and as the starting materials of preparing the rare earth-transition metal (RE-TM) alloy targets. The four kinds of Dy-FeCo, NdDy-FeCo, Tb-FeCo and GdTb-FeCo alloy targets with diameter of 100 mm and thickness of 3 mm were prepared using powder metallurgical technique. The oxygen content and microstructure of the prepared RE-TM cast alloys and sintered targets were analyzed. The features and requirements of the RE-TM alloy sputtering target materials were also discussed. 展开更多
关键词 rare earth metal ALLOY target material sputtering magneto-optical recording media
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高纯溅射靶材回收研究现状
3
作者 仝连海 钟伟攀 李凤连 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2024年第1期61-67,共7页
高纯溅射靶材在晶圆代工企业和液晶面板企业作为耗材使用。高纯溅射靶材利用率低,一般平面靶利用率低于30%,旋转靶难超过70%,回收溅射后的残靶具有非常高的经济价值和环保意义。本文综述了贵金属、ITO、钛、钽、铝、铜等高纯靶材的回收... 高纯溅射靶材在晶圆代工企业和液晶面板企业作为耗材使用。高纯溅射靶材利用率低,一般平面靶利用率低于30%,旋转靶难超过70%,回收溅射后的残靶具有非常高的经济价值和环保意义。本文综述了贵金属、ITO、钛、钽、铝、铜等高纯靶材的回收研究现状,总结了靶材回收过程中面临的共同问题。目前在高纯靶材的残靶回收中还存在金属回收率低、回收的纯度不高、工艺流程长等问题需要攻克和改善,作者展望了开发较短的流程、环境友好的工艺、探索高价值的用途,是未来高纯残靶回收技术改进和发展的方向。 展开更多
关键词 溅射靶材 残靶回收 贵金属 氧化铟锡 高纯金属 芯片 显示器 集成电路
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高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术 被引量:25
4
作者 何金江 陈明 +4 位作者 朱晓光 罗俊锋 尚再艳 贺昕 熊晓东 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2013年第S01期79-83,共5页
高纯Au、Ag、Pt、Ru贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备(金属熔铸... 高纯Au、Ag、Pt、Ru贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备(金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等)以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点,以实现贵金属靶材产品的高效增值。 展开更多
关键词 金属材料 半导体 溅射靶材 高纯
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溅射靶材的制备与应用 被引量:44
5
作者 杨邦朝 崔红玲 《真空》 CAS 北大核心 2001年第3期11-15,共5页
在信息产业不少基础产品的制造过程中 ,需使用多种溅射靶材 ,本文简介溅射靶材的制造及主要应用情况。
关键词 溅射 靶材 薄膜 制备 应用 信息存储工业 半导体器件 电子器件 LCD
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电子行业用高纯金溅射靶材研究综述 被引量:10
6
作者 谭志龙 陈家林 +5 位作者 闻明 王传军 郭俊梅 许彦亭 沈月 管伟明 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期83-87,94,共6页
围绕半导体集成电路产业的需求,综述高纯金提纯中杂质元素的控制,制备工艺中的金靶材结构设计、微结构调控技术及靶材与背板焊接绑定等技术的研究现状。提出通过行业协调修订相关产品标准,结合溅射设备完善靶材的结构设计,开展靶材微结... 围绕半导体集成电路产业的需求,综述高纯金提纯中杂质元素的控制,制备工艺中的金靶材结构设计、微结构调控技术及靶材与背板焊接绑定等技术的研究现状。提出通过行业协调修订相关产品标准,结合溅射设备完善靶材的结构设计,开展靶材微结构调控进行金薄膜与靶材结构的关联性研究,拓展高纯金靶材的绑定技术等研究方向。 展开更多
关键词 金属材料 半导体集成电路 高纯金 溅射靶材
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磁控溅射用CoCrPt系靶材制备技术研究进展 被引量:9
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作者 陈松 耿永红 +7 位作者 王传军 闻明 张俊敏 毕珺 李艳琼 谭志龙 张昆华 管伟明 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期74-78,共5页
目前在高密度磁记录薄膜中大量使用到CoCrPt系溅射靶材。重点介绍了CoCrPt系磁性靶材国内外发展现状,靶材制备中的主要工艺以及质量控制内容和方法,最后分析了存在的技术难点和需要解决的问题。
关键词 金属材料 粉末冶金 COCRPT 溅射靶材 熔铸法 质量控制
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磁控溅射法制备金团簇纳米颗粒及性能表征 被引量:9
8
作者 李喜波 唐晓红 +3 位作者 吴卫东 唐永建 王红艳 杨向东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1023-1026,共4页
采用磁控溅射法制备金团簇纳米颗粒,用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见光分光光度计(UV-Vis)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对其表征,研究了金团簇纳米颗粒的形貌、颗粒度、结构、光吸收性质及物质成份。研究结果表明:制备... 采用磁控溅射法制备金团簇纳米颗粒,用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见光分光光度计(UV-Vis)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对其表征,研究了金团簇纳米颗粒的形貌、颗粒度、结构、光吸收性质及物质成份。研究结果表明:制备的金团簇纳米颗粒呈球形,平均粒径在10 nm左右,粒径分布均匀,无团聚、氧化现象,颗粒的结构为面心立方。在519 nm处出现团簇颗粒的表面等离子共振吸收峰,测试得到Au(4f7/2)和Au(4f5/2)电子的结合能分别为83.3 eV和86.9 eV,并且没有出现金的氧化产物。 展开更多
关键词 磁控溅射 金团簇纳米颗粒 惯性约束聚变靶材料
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溅射靶材的应用及发展趋势 被引量:22
9
作者 杨邦朝 胡永达 崔红玲 《真空》 CAS 北大核心 2002年第1期1-4,共4页
由于集成电路、光碟及平面显示器等产业规模越来越大 ,这些高技术产业对各种超高纯金属及合金溅射靶材的需求量愈来愈多。本文对各种溅射靶的应用情况、市场及发展趋势作简要分析 。
关键词 溅射靶材 集成电路 平面显示器 光学镀膜 薄膜材料 制备
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镍铂合金溅射靶材在半导体制造中的应用及发展趋势 被引量:12
10
作者 王一晴 郭俊梅 +4 位作者 管伟明 闻明 谭志龙 张俊敏 王传军 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期87-92,共6页
镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射,镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜,实现半导体接触及互连。对镍铂硅化物在肖特基二极管制造和半导体集成电路中的应用进行了分析,综述了镍铂合金结构与性质研究... 镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射,镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜,实现半导体接触及互连。对镍铂硅化物在肖特基二极管制造和半导体集成电路中的应用进行了分析,综述了镍铂合金结构与性质研究成果及制备方法,提出了镍铂合金靶材高纯化、提高磁透率和控制晶粒度的发展趋势。 展开更多
关键词 金属材料 镍铂合金薄膜 镍铂硅化物 溅射靶材 半导体 发展趋势
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难熔金属溅射靶材的应用及制备技术 被引量:10
11
作者 王晖 夏明星 +4 位作者 李延超 刘啸锋 蔡小梅 白润 张新 《中国钨业》 CAS 2019年第1期64-69,共6页
应用于微电子、集成电路、光伏电池、平面显示器、装饰镀膜玻璃等行业的溅射靶材需求量逐年增大,这些行业对溅射用难熔金属靶材的纯度、致密度、尺寸精度、微观组织、结晶取向等性能提出了更高的要求。综述了磁控溅射用W、Mo、Ta、Nb靶... 应用于微电子、集成电路、光伏电池、平面显示器、装饰镀膜玻璃等行业的溅射靶材需求量逐年增大,这些行业对溅射用难熔金属靶材的纯度、致密度、尺寸精度、微观组织、结晶取向等性能提出了更高的要求。综述了磁控溅射用W、Mo、Ta、Nb靶材的主要应用研发生产单位和制备技术,介绍了靶材组织、纯度等因素对薄膜性质的影响。 展开更多
关键词 难熔金属 磁控溅射 靶材 集成电路 太阳能电池
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溅射靶材的制备及应用研究 被引量:27
12
作者 金永中 刘东亮 陈建 《四川理工学院学报(自然科学版)》 CAS 2005年第3期22-24,共3页
随着电子及信息产业迅猛发展,全球溅射靶材的需求量越来越多。文章介绍了靶材的分类、制备方法和应用情况,并指出了目前溅射靶材急需解决的几个重大问题。
关键词 溅射 靶材制备 集成电路 平面显示器 光学镀膜
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NiPt60%合金靶材磁控溅射前后形貌及结构观察 被引量:3
13
作者 王传军 闻明 +4 位作者 张俊敏 沈月 易伟 管伟明 谭志龙 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2015年第A01期57-60,共4页
镍合金和铂合金靶材是电子半导体行业重要的镀膜材料。悁究镍合金和铂合金靶材对于改善薄膜质量和提高器件性能有重要意义。采用2种不同工艺制备了NiPt60%合金溅射靶材。使用金相显微镜(OM),扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XR... 镍合金和铂合金靶材是电子半导体行业重要的镀膜材料。悁究镍合金和铂合金靶材对于改善薄膜质量和提高器件性能有重要意义。采用2种不同工艺制备了NiPt60%合金溅射靶材。使用金相显微镜(OM),扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)观察并分析了磁控溅射前后靶材表面的形貌及结构。结果表明,采用热轧-热处理制备的靶材晶粒粗大但均匀,平均晶粒尺寸约为100μm;采用温轧-热处理制备的靶材细小但不均匀,平均晶粒尺寸约为50μm。溅射后的靶材形貌与晶粒尺寸和分布息息相关。 展开更多
关键词 金属材料 NiPt合金 形貌 结构 靶材 晶粒尺寸
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BaAl_2S_4:Eu溅射靶材合成方法研究 被引量:3
14
作者 喻志农 孔祥君 +1 位作者 张东璞 薛唯 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期855-858,共4页
采用放电等离子烧结(SPS)方法和粉末烧结法制备BaAl2S4:Eu溅射靶材,分析了靶材成分和结构特性以及利用靶材制备薄膜的发光特性.实验结果表明,SPS烧结的BaAl2S4:Eu溅射靶材的纯度高,无其它硫化物形成,被氧化的可能性小,靶材致密,气孔少;... 采用放电等离子烧结(SPS)方法和粉末烧结法制备BaAl2S4:Eu溅射靶材,分析了靶材成分和结构特性以及利用靶材制备薄膜的发光特性.实验结果表明,SPS烧结的BaAl2S4:Eu溅射靶材的纯度高,无其它硫化物形成,被氧化的可能性小,靶材致密,气孔少;形成薄膜的PL谱主要是470nm处的蓝光发射.粉末烧结法制备的Ba-Al2S4:Eu溅射靶材的纯度低,靶材被氧化的几率大,气孔多,不致密,呈三维网状结构;在470nm处的蓝光发射峰值相对较弱.放电等离子烧结方法更适合制备BaAl2S4:Eu溅射靶材. 展开更多
关键词 发光材料 溅射靶材 放电等离子烧结 BaAl2S4:Eu PL光谱
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半导体工业用镍铂合金靶材的制备及结构研究 被引量:4
15
作者 王一晴 闻明 +1 位作者 郭俊梅 管伟明 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期27-31,共5页
采用熔炼、均匀化退火处理及温轧技术制备出NiPt合金靶材。采用金相、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等手段对NiPt合金在制备过程中的结构变化进行了研究。同时也研究了靶材结构与靶材溅射后表面形貌之间的关联性。研究表明,均匀化处理... 采用熔炼、均匀化退火处理及温轧技术制备出NiPt合金靶材。采用金相、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等手段对NiPt合金在制备过程中的结构变化进行了研究。同时也研究了靶材结构与靶材溅射后表面形貌之间的关联性。研究表明,均匀化处理对NiPt合金获得择优取向具有明显影响,合金经过铸造、均匀化、轧制等工艺,其硬度分别为292、218、439,可分别形成(200)织构、(311)织构、(200)+(220)织构。靶材微观结构与溅射后表面形貌均匀性具有关联性。 展开更多
关键词 金属材料 NiPt合金靶材 均匀化退火 轧制 择优取向 磁控溅射
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薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材 被引量:3
16
作者 张之圣 白天 王秀宇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第4期525-527,共3页
在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因S... 在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题。溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准。 展开更多
关键词 金属膜电阻器 溅射靶材 熔炼技术
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陶瓷靶材对铁电薄膜的成分、结构和性能的影响 被引量:2
17
作者 黄龙波 李佐宜 +1 位作者 卢德新 刘兴阶 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1995年第1期64-67,共4页
本文研究了不同烧结温度的陶瓷靶材对溅射所得到的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的成分、结构和性能的影响。结果表明,由1200℃时烧结的靶所制备的薄膜中PbO的含量偏低,而900℃时的薄膜中PbO的含量却大于1;由这两种靶... 本文研究了不同烧结温度的陶瓷靶材对溅射所得到的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的成分、结构和性能的影响。结果表明,由1200℃时烧结的靶所制备的薄膜中PbO的含量偏低,而900℃时的薄膜中PbO的含量却大于1;由这两种靶材都获得了结晶性较好的多晶钙钛矿结构,但900℃时烧结的靶所制备的铁电薄膜的结晶性能更好,具有较好的铁电性能,其典型的矫顽场和剩余极化强度分别为73.2kV/cm和25.9μC/cm ̄2。 展开更多
关键词 铁电薄膜 性能 靶材 结构 铁电陶瓷
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薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材 被引量:1
18
作者 张之圣 白天 王秀宇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第5期661-663,共3页
在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因S... 在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题。溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准。 展开更多
关键词 金属膜电阻器 溅射靶材 熔炼技术
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几种新颖的光学镀膜材料 被引量:3
19
作者 王星明 黄松涛 +5 位作者 储茂友 段华英 张碧田 张明贤 龚述荣 潘德明 《光学仪器》 2004年第2期218-221,共4页
当前光学镀膜技术和应用光学的进展迅速,新的各种形式光学镀膜材料不断涌现。介绍了"预熔化"光学镀膜材料、高阈值激光膜材料、用于树脂基片的冷镀材料和光学镀膜用靶材,并对这几种新型材料的应用情况及国内外的现状进行了简... 当前光学镀膜技术和应用光学的进展迅速,新的各种形式光学镀膜材料不断涌现。介绍了"预熔化"光学镀膜材料、高阈值激光膜材料、用于树脂基片的冷镀材料和光学镀膜用靶材,并对这几种新型材料的应用情况及国内外的现状进行了简要介绍。 展开更多
关键词 镀膜材料 预熔化 激光损伤阈值 靶材 光学镀膜
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国内外磁控溅射靶材的现状及发展趋势 被引量:23
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作者 储志强 《金属材料与冶金工程》 CAS 2011年第4期44-49,共6页
近年来,随着磁控溅射技术的应用日趋广泛,对各种高纯金属及合金靶材的需求也愈来愈大。据此,介绍了磁控溅射靶材的种类、应用及制备情况,指出了目前靶材亟待解决的几个重大问题,并对靶材的发展趋势进行了探讨和展望。
关键词 磁控溅射 靶材 现状 发展趋势
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