形变及热处理对825合金管材晶界特征分布的影响

采用工厂生产线上的冷拔机对镍基825合金管材进行冷拔加工后再退火，进行晶界工程（GBE）处理．利用EBSD和取向成像显微技术（OIM）研究了不同冷拔变形量和不同退火温度对825合金晶界特征分布（GBCD）的影响．结果表明。合金在冷拔变形5％，1050℃退火10min时，低刮直重合位置点阵（2CSL，coincidence site lattice，∑≤29）晶界的比例可提高到75％以上（Palumbo—Aust标准），同时形成大尺寸的“互有弱“取向关系晶粒的团簇”显微组织（n=1，2，3，…）．随着再结晶退火前冷拔变形量的增加，晶粒团簇的尺寸减小，同时低∑CSL晶界的比例也下降，并且低∑CSL晶界的比例随晶粒尺寸的增加而下降．当合金经过5％的冷拔变形后，在1050～1125℃退火处理10min时的晶界特征分布无明显变化，退火温度对合金的低∑CSL晶界比例影响较小；当经过3％，7％和10％的冷拔变形后，合金的低∑CSL晶界比例随着退火温度的升高不断下降．

抗氢合金J75中低∑CSL晶界的形成与演化

以铁镍基抗氢合金J75为研究对象,采用单步形变热处理和电子背散射衍射(EBSD)技术,研究了低∑CSL晶界的形成和演化过程。结果表明:采用5%预变形+1000℃退火的单步形变热处理方法,可将J75合金中低∑CSL晶界的比例提升至70%以上,形成具有∑3n取向关系的晶粒团簇;退火过程中,低∑CSL晶界比例的提升主要是由于∑3n界面比例的提升,其中∑3占绝大比例。发现一种∑3再生过程,其机制在于:由于∑3ic迁移能力强,在退火过程中与其他∑3相遇会形成∑9晶界,而∑9与∑3相遇,倾向于发生∑9+∑3→∑3,导致∑3的再生;不连续大角度随机晶界(R)与低∑CSL晶界相遇会形成R/∑晶界,当R/∑晶界为低∑CSL晶界时,则构成较多具有低∑CSL晶界的网络,打断了R晶界的连通性。