基片表面粗糙度对坡莫合金AMR以及磁性能的影响

利用霍尔离子源轰击Si基片获得了不同表面粗糙度的基片,然后利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(5nm)/Ni 80Fe 20(12nm)/Ta(2nm)薄膜样品,重点研究了基片表面粗糙度对薄膜结构和各向异性磁阻效应的影响。采用AFM测量基片的表面粗糙度,采用四探针法测量薄膜的各向异性磁阻效应。研究结果表明,随着基片表面粗糙度的增加,坡莫合金的AMR值显著降低,且ΔH显著增加。