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镍铬硅薄膜换能元的制备及其发火性能研究
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作者 任小明 姚洪志 +3 位作者 解瑞珍 刘红娥 王燕兰 王可暄 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期42-45,共4页
为了探索镍铬硅薄膜换能元的发火性能,采用MEMS工艺制备了镍铬硅薄膜换能元。利用扫描电子显微镜(SEM)和四探针法对镍铬硅薄膜进行了性能表征;依据GJB/Z 377B-2022感度实验中兰利法进行了镍铬硅薄膜换能元感度测试;在发火电压27 V、发... 为了探索镍铬硅薄膜换能元的发火性能,采用MEMS工艺制备了镍铬硅薄膜换能元。利用扫描电子显微镜(SEM)和四探针法对镍铬硅薄膜进行了性能表征;依据GJB/Z 377B-2022感度实验中兰利法进行了镍铬硅薄膜换能元感度测试;在发火电压27 V、发火电容33μF条件下对镍铬硅薄膜换能元进行了发火性能测试。结果表明:镍铬硅薄膜表面平整、致密性较好,且具有负电阻温度系数,其换能元平均发火电压比镍铬薄膜换能元高;镍铬硅薄膜换能元作用过程中产生等离子体,瞬发度高。 展开更多
关键词 薄膜换能元 镍铬硅 MEMS 性能表征 发火性能
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稀土掺杂NiCrSi高阻靶材制备及镀膜性能研究
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作者 鲁飞 刘树峰 +3 位作者 李慧 刘小鱼 李静雅 孙良成 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期87-94,共8页
采用真空热压烧结法制备稀土掺杂NiCrSi高阻合金靶材。利用X射线衍射仪、金相显微镜、扫描电镜、EDS能谱仪等表征手段测试分析靶材物相组成、显微组织及微区元素分布。同时将所制备靶材溅射沉积金属膜电阻器,研究稀土元素掺入种类对电... 采用真空热压烧结法制备稀土掺杂NiCrSi高阻合金靶材。利用X射线衍射仪、金相显微镜、扫描电镜、EDS能谱仪等表征手段测试分析靶材物相组成、显微组织及微区元素分布。同时将所制备靶材溅射沉积金属膜电阻器,研究稀土元素掺入种类对电阻器阻值稳定性的影响。结果表明,稀土掺杂NiCrSi高阻靶材由基体相CrSi2和少量的CrSi、Ni3Si相混合而成。靶材外观平整无裂纹,组织致密无孔隙,相对密度均在96%以上;晶粒尺寸约为20μm,大小分布均匀。掺入La、Ce、Pr、Nd后,靶材组织中Zr析出相减少,Zr元素偏聚分布得到显著改善。溅射沉积的金属膜电阻器电阻温度系数小于±25×10^-6/℃;与未添加稀土元素的NiCrSi电阻器相比,加入Pr后,电阻器电阻温度系数在高低温区差值降至22×10^-6/℃左右,变化幅度小,阻值稳定性高;加入Nd后,电阻温度系数差值变化幅度大,阻值稳定性较差。 展开更多
关键词 nicrsi高阻靶材 稀土 热压烧结 金属膜电阻器
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Mo对激光增材制造NiCrSi合金组织和耐磨性的影响 被引量:1
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作者 熊锋 刘乾峰 +1 位作者 张敏 陈长军 《应用激光》 CSCD 北大核心 2022年第5期51-57,共7页
针对核工业阀门材料Deloro40镍基合金耐磨性急需改善的问题,采用激光增材制造技术通过添加不同质量分数的Mo元素,探究Mo元素对Deloro40镍基合金组织和耐磨性的影响。结果表明,Mo元素的添加促进了Mo_(2)C、Mo_(2)O和Ni_(3)Si_(2)物相的... 针对核工业阀门材料Deloro40镍基合金耐磨性急需改善的问题,采用激光增材制造技术通过添加不同质量分数的Mo元素,探究Mo元素对Deloro40镍基合金组织和耐磨性的影响。结果表明,Mo元素的添加促进了Mo_(2)C、Mo_(2)O和Ni_(3)Si_(2)物相的生成。随着Mo元素的增加,晶粒尺寸细化和组织中生成的硬质相Mo_(2)C使合金硬度得到提高;试样磨损率均呈现先增加后减小的趋势,在摩擦过程中生成的MoO_(2)起到润滑作用,降低磨损率。当添加5%Mo试样时,在25℃和400℃工况下合金均表现出优异的耐磨性。 展开更多
关键词 激光增材制造 Mo/nicrsi合金 显微组织 耐磨性
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高稳定性高可靠性耐辐照新型热电偶
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作者 江兴英 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期34-42,共9页
新研制的镍铬硅/镍硅镁热电偶合金及其铠装热电偶具有高稳定性、高可靠性及良好的耐辐照性能。它的性能远优于常规的镍铬/镍铝(K 型)热电偶,某些性能也优于 Nicrosil/Nisil(N 型)热电偶。这种新型热电偶合金及其铠装热电偶可在要求高精... 新研制的镍铬硅/镍硅镁热电偶合金及其铠装热电偶具有高稳定性、高可靠性及良好的耐辐照性能。它的性能远优于常规的镍铬/镍铝(K 型)热电偶,某些性能也优于 Nicrosil/Nisil(N 型)热电偶。这种新型热电偶合金及其铠装热电偶可在要求高精确度的科研部门及要求高可靠性的核的或非核的工业部门中应用。 展开更多
关键词 热电偶合金 铠装热电偶 高稳定性
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The TCR of Ni24.9Cr72.5Si2.6 thin films deposited by DC and RF magnetron sputtering
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作者 Bing Cheng Yijun Yin +1 位作者 Jianqiang Han Jie Zhang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2017年第5期30-34,共5页
The temperature coefficient of resistance(abbreviated as TCR) of thin film resistors on some sensor chips,such as thermal converters,should be less than several ppm/℃.However,the TCR of reported thin films is large... The temperature coefficient of resistance(abbreviated as TCR) of thin film resistors on some sensor chips,such as thermal converters,should be less than several ppm/℃.However,the TCR of reported thin films is larger than 5 ppm/℃.In this paper,Ni(24.9)Cr(72.5)Si(2.6) films are deposited on silicon dioxide film by DC and RF magnetron sputtering.Then as-deposited films are annealed at 450 ℃ under different durations in N2 atmosphere.The sheet resistance of thin films with various thickness and annealing time are measured by the four probe resistivity test system at temperature of 20,50,100,150,and 200 ℃ and then the TCR of thin films are calculated.Experimental results show that the film with the TCR of only-0.86 ppm/℃ can be achieved by RF magnetron sputtering and appropriate annealing conditions. 展开更多
关键词 magnetron sputtering nicrsi thin film sheet resistance temperature coefficient of resistance thermal converter
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