稀土掺杂NiCrSi高阻靶材制备及镀膜性能研究

采用真空热压烧结法制备稀土掺杂NiCrSi高阻合金靶材。利用X射线衍射仪、金相显微镜、扫描电镜、EDS能谱仪等表征手段测试分析靶材物相组成、显微组织及微区元素分布。同时将所制备靶材溅射沉积金属膜电阻器,研究稀土元素掺入种类对电阻器阻值稳定性的影响。结果表明,稀土掺杂NiCrSi高阻靶材由基体相CrSi2和少量的CrSi、Ni3Si相混合而成。靶材外观平整无裂纹,组织致密无孔隙,相对密度均在96%以上;晶粒尺寸约为20μm,大小分布均匀。掺入La、Ce、Pr、Nd后,靶材组织中Zr析出相减少,Zr元素偏聚分布得到显著改善。溅射沉积的金属膜电阻器电阻温度系数小于±25×10^-6/℃;与未添加稀土元素的NiCrSi电阻器相比,加入Pr后,电阻器电阻温度系数在高低温区差值降至22×10^-6/℃左右,变化幅度小,阻值稳定性高;加入Nd后,电阻温度系数差值变化幅度大,阻值稳定性较差。

金属膜电阻器用高阻溅射靶材研究

利用真空熔炼的方法，研制出用于金属膜电阻器生产用的高阻溅射靶材。用该靶材可溅射制备得到薄膜电阻值达１～１０ｋΩ，电阻温度系数α在±１００×１０－６℃－１以内，脉冲稳定性在０．５％以下的电阻体。其阻值和其他电性能稳定可靠，分档集中，产品性能达到ＧＢ５８７３－８６标准，适用于金属膜电阻器生产。

金属膜电阻器用高阻靶材制备工艺研究

金属膜电阻器用的靶材是影响膜质量和电阻器性能的重要因素之一,晶粒细化是炼制致密性靶材的关键。晶粒细化不仅有利于Cr-Si靶材内部组织均匀化,且能降低其韧脆转变温度,从而使炼制的靶材强度和硬度高、塑性好,提高靶材的成品率。分析了晶粒细化提高靶材综合性能的原因,并介绍了研究中所采用的Ti细化剂、磁力搅拌等晶粒细化措施。实验表明,在RJ24生产线上溅射的1 MΩ金属膜电阻器具有较好的性能,且电阻温度系数均小于20×10-6/℃。

硅含量对真空熔炼电阻靶材和电阻薄膜性能的影响

采用真空熔炼方法研制新型溅射用高阻靶材,并试验靶材含硅量对溅射电阻薄膜性能的影响。