衬底温度对NiFe2O4薄膜生长和磁学性能的影响

采用直流磁控溅射方法,保持Ar气流量不变,控制O2气在Ar气与O2气混合气体在Ar/O2=30sccm/90sccm的情况下,采用STO(100)单晶基片制备了FNO薄膜。利用XRD和VSM等测试手段,对STO(100)单晶基片生长的不同基片温度FNO薄膜的结构及磁学性能进行表征。测试结果表明,在STO(100)单晶基片上不同基片温度得到了NiFe2O4薄膜,随着基片的温度增大,样品的矫顽力Hc先增大后减小,基片温度为650摄氏度时,矫顽力最大,Hc=1244.7 Oe。

NiFe_2O_4铁氧体薄膜溅射产额的蒙特卡罗模拟

通过蒙特卡罗方法,运用SRIM程序,模拟了Ar+轰击NiFe2O4铁氧体靶材的过程,研究了不同入射能量及角度Ar+轰击NiFe2O4靶材引起的溅射产额。结果表明:离子垂直入射时NiFe2O4中各元素的溅射产额和出射原子能量都随入射离子能量的增大而增大;各元素产额的比率在低能离子入射时,变化较大,但能在较大的入射离子能量范围内保持相对稳定的值;离子斜入射时,随着入射离子角度增加,各元素的溅射产额先增大,后减小,并在77°左右达到最大值;离子入射角度变化时,并不严重影响各元素之间产额的比率,且组分比率能在较大的离子入射角度范围内保持相对稳定的值。