基于NiPdAu PPF框架的QFN键合工艺研究

本文首先介绍了NiPdAu PPF (Pre-platedFrame)框架的镀层结构以及键合机理。并针对QFN(Quad Flat Non-lead)封装类型,研究了基于PPF框架的键合工艺的优化,着重探讨了为增强第二焊点焊接强度所进行的工艺参数改进。

基于NiPdAu PPF框架的QFN键合工艺研究

介绍了NiPdAuPPF框架的镀层结构以及键合机理。并针对QFN(QuadFlatNon-lead)封装类型,研究了基于PPF框架的键合工艺优化,着重探讨了为增强第二焊点焊接强度所进行的工艺参数改进。

镍钯金表面引线键合工艺的可靠性及应用

通过模拟前道工序的实际装配环境,研究了镀镍钯金基板在不同工况条件和不同钯/金层厚度情况下对表面键合强度的影响。结果表明,通过280℃高温回流后,镀层表面会出现少量Cu元素,但对键合强度影响不大。Au/Pd镀层厚度增加均有利于提高可键合性。在本文的镀层体系中,均可完成高可靠性键合。通过150±3℃,168 h的高温贮存试验表明,Pd和Au界面均可作为键合界面,高温贮存前后平均键合强度均在11 cN以上,满足标准且非常稳定。

基于新型NiPbAu基底的金丝楔形键合工艺研究

利用楔形键合设备进行金丝在镀镍钯金Ro5880基板上的键合实验。采用正交实验法分析了镀层厚度、键合功率、键合时间、键合温度等工艺参数对楔形键合的影响。同时,在镀镍金Ro5880板上进行了对比试验。研究发现:与镀镍金基板相比,镀镍钯金基板在可焊性、键合强度、成本方面均有着巨大的优势,在电子组装、封装领域有着广阔的应用前景。

田口试验设计在键合工艺参数优化中的应用

为提高微机电系统(MEMS)封装引线键合的可靠性和经济性,引入了镍钯金印刷电路板(PCB),但由于其保护皮膜中钯层的加入,键合工艺参数也需随之改变,该文运用试验设计(DOE)中的田口试验设计方法,找到了针对新型镍钯金皮膜的最优化键合工艺参数,根据优化结果,改进了键合工艺参数设置,成功地将镍钯金PCB应用到MEMS封装工艺中,不但提高了产品的可靠性,还降低了原材料成本,取得了良好的经济效益。

基于镍钯金PCB的数字传声器键合工艺匹配研究

介绍了数字传声器的关键结构,并基于其既有焊接又有键合工艺的特点,为提高PCB连接可靠性,特别是这种IC封装用PCB与芯片连接的可靠性,引入了镍钯金PCB,实现了其高可靠性的连接;并根据键合工艺的的要求,优化选择了键合温度、键合机台压力、功率和键合时间等工艺参数,进行了一系列引线键合实验,取得了键合点的相关实验数据,并对实验数据进行了分析,得出了对镍钯金PCB良好连接性能的相匹配的皮膜厚度参数。

基于镍钯金PCB的数字声传感器键合工艺研究

本文介绍了数字传声器的关键结构,并基于其焊接及键合工艺的特点引入了镍钯金PCB,实现了其高可靠性的连接;并根据键合工艺的的要求,进行了一系列引线键合实验,取得了相关数据,得出了相匹配的皮膜厚度参数。

适用半导体器件的无铅解决方案

本文先着重论述了电镀纯锡和锡合金中锡须生长的原因,然后提出了抑制锡须生长的方法。