预镀框架铜线键合的腐蚀失效分析与可靠性

集成电路预镀框架铜线键合封装在实际应用中发现第二键合点失效,通过激光开封和横截面分析,键合失效与电化学腐蚀机理密切相关。通过2000h高温存储试验和高温高湿存储试验,研究预镀框架铜线键合界面的湿腐蚀和干腐蚀失效模式。结果表明:在不含Cl-的低湿度环境下,电化学反应速率缓慢,且金属腐蚀发生的比例低;在含有Cl-的高湿环境下,电化学反应速率则大大增加,铜线和框架的腐蚀严重程度与比例最为突出;高湿度和Cl-浓度加速金属界面的腐蚀,尤其是铜线的腐蚀。

基于NiPdAu PPF框架的QFN键合工艺研究

介绍了NiPdAuPPF框架的镀层结构以及键合机理。并针对QFN(QuadFlatNon-lead)封装类型,研究了基于PPF框架的键合工艺优化,着重探讨了为增强第二焊点焊接强度所进行的工艺参数改进。

塑封集成电路中铜丝键合的腐蚀及其评价

腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素,其与湿度、温度、Cl离子摩尔分数以及电位密切相关。针对NiPdAgAu预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象,研究其评价方法,并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以及电位对腐蚀结果的影响。将样品置于质量分数分别为0.5%、2.0%与5.0%的NaCl溶液中,对其进行高温、高湿预处理24 h,再进行96 h的高加速应力试验。结果表明,采用质量分数为5.0%的NaCl溶液进行预处理对加速腐蚀更有效,且腐蚀的键合点多数位于低电位引脚,少数位于高电位引脚。