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涂层导体用NiW合金基带表面改性研究
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作者 王雪 李成山 +3 位作者 于泽铭 郑会玲 冀勇斌 樊占国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1463-1466,共4页
由于硫元素与氧元素化学特性的相近,在Ni基带表面形成硫的c(2×2)-S有序超结构有助于控制在金属Ni基带表面生长的氧化物膜的织构类型。目前,大多数关于在Ni基带表面形成c(2×2)-S超结构的研究报道,都集中于以硫化氢气体作为硫源... 由于硫元素与氧元素化学特性的相近,在Ni基带表面形成硫的c(2×2)-S有序超结构有助于控制在金属Ni基带表面生长的氧化物膜的织构类型。目前,大多数关于在Ni基带表面形成c(2×2)-S超结构的研究报道,都集中于以硫化氢气体作为硫源,采用先吸附后脱附的方法形成该结构。首次提出通过硫化铵水溶液硫化NiW合金基带,再通过热处理去除无序的物理吸附层,形成有序c(2×2)-S超结构的新技术路线。采用AES和RHEED分别对采用新硫化技术处理后的样品表面成分和结构进行研究,并通过XRD对硫化前后的NiW基带上采用化学溶液技术制备的缓冲层织构进行了研究。结果显示,采用新技术处理的金属基带表面有明显的硫元素存在,并且硫在NiW合金基带表面形成了c(2×2)-S超结构。新硫化处理技术改善了NiW基带表面的物理化学特性,有利于氧化物缓冲层的外延生长。 展开更多
关键词 c(2×2)-S 超结构 niw合金基带 缓冲层
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