金属间化合物Ni_3Al反相畴界能及层错能的改进分析型嵌入原子法计算

采用改进分析型嵌入原子法(modified analytical embedded atom method,MAEAM),计算了L12型金属间化合物Ni3Al的层错能及可能存在的3种反相畴界(001)(、011)和(111)的畴界能,其数值分别为16.43、61.77、78.22和132.50 mJ/m2.从能量最小化考虑,在越过居里点(Tc=1 395℃)的降温过程中,金属间化合物Ni3Al发生无序与有序相变的最可几界面依次为堆垛层错、(001)(、011)和(111)反相畴界.

Ni3Al基单晶合金IC6sx的表面再结晶

对Ni_3Al基单晶合金IC6sx的表面进行吹砂变形处理;再在800—1260℃热暴露1—10 h,采用OM,SEM和EPM研究了IC6sx合金的再结晶行为.结果表明,合金再结晶开始形核的温度约1000℃,一次再结晶完成的温度为1200—1210℃.在1200—1240℃热暴露时的再结晶层厚度约为10μm,而在1260℃热暴露时增长到约23μm.再结晶在枝晶干长大的速度明显小于枝晶间,再结晶层和基体的枝晶干之间观察到一种由粗大条状γ′相和γ+γ′相构成的胞状转变结构,这是由于枝晶干中粗大的γ′相阻碍再结晶向基体内生长形成的.

热处理对聚苯酯铝硅封严涂层硬度的影响

研究了聚苯酯铝硅封严涂层硬度随温度的变化规律及其微观机理。采用显微维氏硬度计对涂层进行硬度测试;通过扫描电镜及能谱分析,研究了Si、Al等元素在基体、Ni5Al过渡层及聚苯酯铝硅涂层内的分布变化,以此对硬度测试结果进行了分析。结果表明:Ni5Al过渡层的硬度随热处理温度的升高而增加;聚苯酯铝硅涂层的硬度随热处理温度的升高整体呈下降趋势,当温度超过200℃以后,其硬度显著降低,400℃时硬度下降为室温下硬度的13.7%。聚苯酯铝硅涂层中Si元素向过渡层方向扩散,并在过渡层内部及与基体结合处聚集,生成SiO_2。温度越高,扩散现象越明显,过渡层硬度增强。此外,随热处理温度的升高,过渡层内部区域Al元素含量增高,也使过渡层硬度增大。当温度升高时,由于聚苯酯与Al Si热膨胀系数不同且聚苯酯发生晶型转变,导致组织疏松甚至形成孔洞,使涂层硬度降低。

一种安全型独立主备切换设备及方法

本文介绍了一种通用的主备切换设备,提供安全的主备切换控制功能。是基于单片机、电路板和安全继电器组并集成NISAL编码技术的SIL4级的通用安全切换单元。能完成通信管理,切换状态采集,主备状态显示,人工切换等功能。

金属间化合物Ni_3Al微结构的AP-FIM研究

用原子探针场离子显微镜（AP-FIM）研究了添加B对Ni3Al有序度的影响以及不同Ni／Al比时Ni3Al场离子像衬度的变化无B的Ni3Al样品中晶内出现富Ni区，且随着Ni富集程度的不同而影响场离子像的衬度在.Ni3Al样品中，B的添加会影响Ni3Al晶体的择优取向随B含量的增加，Ni3Al中占据反位置的Al原子增多，有序度降低Ni3Al样品有序度的降低是改善室温延展性的原因之一.

基于VCP编码的RSSP-Ⅰ通信超时判断研究

安全编码处理器(VCP)是一种利用编码技术来检测处理器的错误,以保障硬件可靠和安全的理论与方法,最初用于法国巴黎地铁的SACEM项目。本文所描述的方案主要是基于VCP技术实现RSSP-Ⅰ应用层通信超时安全判断,并提供VCP校核字给上层NISAL冗余编码系统使用。与现有技术相比,本方案降低了产品对于硬件平台的要求。