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沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响
1
作者
刘兴辉
李玉魁
+4 位作者
陆妍
林雨佳
李宇
王绩伟
李松杰
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期535-541,共7页
碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数。本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程...
碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数。本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程以得到MOS-CNTFET电子输运特性。在此基础上系统地研究了沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET器件的漏极导通电流、关态泄漏电流、开关态电流比、阈值电压、亚阈值摆幅及双极性传导等输运性质的影响。结果表明:当沟道长度在15 nm以上时,上述各性质受沟道长度的影响均较小,而导通电流、开关态电流比及双极性传导特性与源/漏掺杂浓度的大小有关,开关态电流比与掺杂浓度正相关,导通电流及双极性导电特性与源/漏掺杂浓度负相关。当沟道长度小于15 nm时,随沟道长度减小,漏极导通电流呈增加趋势,但同时导致器件阈值电压及开关电流比减小,关态漏电流及亚阈值摆幅增大且双极性传导现象严重,短沟道效应增强,此时,通过适当降低源/漏掺杂区掺杂浓度,可一定程度地减弱MOS-CNTFET器件短沟道效应。
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关键词
非平衡格林函数
MO
s
—CNTFET
输运特性
短沟道效应
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职称材料
题名
沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响
1
作者
刘兴辉
李玉魁
陆妍
林雨佳
李宇
王绩伟
李松杰
机构
辽宁大学物理学院
中原工学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期535-541,共7页
基金
国家自然科学基金项目(批准号:10974075
21171081)
+1 种基金
辽宁省科技厅自然科学基金项目(批准号:20082050)
辽宁省教育厅高等学校科研基金(批准号:L2010152)资助的课题
文摘
碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数。本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程以得到MOS-CNTFET电子输运特性。在此基础上系统地研究了沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET器件的漏极导通电流、关态泄漏电流、开关态电流比、阈值电压、亚阈值摆幅及双极性传导等输运性质的影响。结果表明:当沟道长度在15 nm以上时,上述各性质受沟道长度的影响均较小,而导通电流、开关态电流比及双极性传导特性与源/漏掺杂浓度的大小有关,开关态电流比与掺杂浓度正相关,导通电流及双极性导电特性与源/漏掺杂浓度负相关。当沟道长度小于15 nm时,随沟道长度减小,漏极导通电流呈增加趋势,但同时导致器件阈值电压及开关电流比减小,关态漏电流及亚阈值摆幅增大且双极性传导现象严重,短沟道效应增强,此时,通过适当降低源/漏掺杂区掺杂浓度,可一定程度地减弱MOS-CNTFET器件短沟道效应。
关键词
非平衡格林函数
MO
s
—CNTFET
输运特性
短沟道效应
Keywords
non-equilibrium green' s function
,
mos-cntfet
,
transport characteristics
,
short channel effect
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
O411.3 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响
刘兴辉
李玉魁
陆妍
林雨佳
李宇
王绩伟
李松杰
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
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职称材料
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