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On Basic Parameters and Radiation Theory of Non-Uniform Channel DMOS
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作者 LIZe-hong 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2005年第1期91-92,共2页
关键词 non-uniform channel dmos basic parameter total ion dose single ion radiation transient response
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DMOS优化软件及其在化工过程优化中的应用 被引量:5
2
作者 杨善升 陆文聪 陈念贻 《化工自动化及仪表》 EI CAS 2005年第4期36-39,共4页
DMOS软件综合运用了模式识别、支持向量机、人工神经网络、遗传算法、线性和非线性回归等多种数据挖掘技术,能有效解决复杂工业过程系统优化中普遍存在的多因子、高噪声、非线性、非高斯分布和非均匀分布的难题。将DMOS工业优化软件成... DMOS软件综合运用了模式识别、支持向量机、人工神经网络、遗传算法、线性和非线性回归等多种数据挖掘技术,能有效解决复杂工业过程系统优化中普遍存在的多因子、高噪声、非线性、非高斯分布和非均匀分布的难题。将DMOS工业优化软件成功地应用于柴油加氢精制装置及丙烯腈反应装置的生产优化。根据装置DCS系统采集的生产数据,研究了装置优化操作的主要工艺参数,采用模式识别方法建立了装置生产优化操作的定性模型,并最终建立了优化目标的数学模型。 展开更多
关键词 dmos 数据挖掘 模式识别 过程控制与优化 加氢精制 丙烯腈
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短沟DMOS阈值电压模型 被引量:2
3
作者 李泽宏 张波 李肇基 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第2期322-325,共4页
该文提出了短沟DMOS阈值电压模型。基于沟道区耗尽电荷的二维分布,计算沟道区中耗尽电荷总量,由此给出短沟DMOS阈值电压模型的计算式。该模型的解析解与二维仿真器MEDICI的数值解吻合。分析表明,DMOS沟道长度小于0.80μm,就应考虑短沟... 该文提出了短沟DMOS阈值电压模型。基于沟道区耗尽电荷的二维分布,计算沟道区中耗尽电荷总量,由此给出短沟DMOS阈值电压模型的计算式。该模型的解析解与二维仿真器MEDICI的数值解吻合。分析表明,DMOS沟道长度小于0.80μm,就应考虑短沟效应。 展开更多
关键词 dmos 阈值电压 短沟效应
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横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应 被引量:1
4
作者 李泽宏 李肇基 杨舰 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期149-153,共5页
基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果... 基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果表明,横向高压DMOS的开态漏端峰值电流比关态的漏端峰值电流小,且漏端峰值电流和峰值电流出现的时间随入射粒子能量的增大而增加。 展开更多
关键词 横向高压dmos 单粒子效应 等离子体 瞬态响应
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非均匀沟道DMOS器件阈值电压模型 被引量:1
5
作者 李泽宏 张波 李肇基 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期51-55,共5页
提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型。基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方 程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压模型的解析式。该模型的解析解与实验 结果和数值解相吻合。并对DMOS的短沟效应和阈值电压与沟道表面... 提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型。基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方 程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压模型的解析式。该模型的解析解与实验 结果和数值解相吻合。并对DMOS的短沟效应和阈值电压与沟道表面扩散浓度、沟道结深和沟道 长度等参数的关系进行了深入分析,给出了短沟DMOS器件阈值电压的解析式。文中还给出了沟 道表面掺杂浓度在2.0×1016cm-3到10.0×1016cm-3范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式。该 模型解决了习用的DMOS器件阈值电压模型解析值比实验结果大100%以上的问题。 展开更多
关键词 dmos 二维阈值电压模型 准漏结 短沟效应
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DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型 被引量:1
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作者 李泽宏 张波 +1 位作者 李肇基 曹亮 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期185-188,共4页
 提出了一种DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型。基于沟道杂质的非均匀分布,借助镜像法,导出辐照正空间电荷与沟道电离杂质的二维场和二维互作用势;求解泊松方程,由此给出DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型表示式。该模型的解析解与MEDICI...  提出了一种DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型。基于沟道杂质的非均匀分布,借助镜像法,导出辐照正空间电荷与沟道电离杂质的二维场和二维互作用势;求解泊松方程,由此给出DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型表示式。该模型的解析解与MEDICI仿真的数值解吻合。 展开更多
关键词 dmos 电离辐照 正空间电荷 阈值电压 场效应晶体管
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一种计算集成VDMOS管导通电阻的3D解析模型
7
作者 洪慧 韩雁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期456-459,465,共5页
功率集成电路要在同一块芯片上集成功率器件和低压电路。由于集成VDMOS器件的漏极也要从芯片表面引出,与常规的VDMOS器件相比其导通电阻计算有很大的差别。文中针对三维立体结构中器件的源胞个数和排列以及芯片表面漏极布局的不同,给出... 功率集成电路要在同一块芯片上集成功率器件和低压电路。由于集成VDMOS器件的漏极也要从芯片表面引出,与常规的VDMOS器件相比其导通电阻计算有很大的差别。文中针对三维立体结构中器件的源胞个数和排列以及芯片表面漏极布局的不同,给出了一种新的3D解析模型,可有效地计算集成VDMOS的导通电阻值,并可预测限定面积下达到最小有效导通电阻值所需要的源胞个数和排列布局。 展开更多
关键词 纵向dmos 导通电阻 器件布局优化 模型
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基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计 被引量:3
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作者 高艳妮 苏弘 WEMBE TAFO Evariste 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期67-70,共4页
提出了一种由DMOS场效应管构成的电荷灵敏前置放大器,可用于硅,Si(Li),CdZnTe及CsI探测器。该前置放大器采用不同于传统的阻容反馈式的电路结构,完全使用MOS管搭建,该前放的设计完成为设计实现ASIC电路准备了技术基础。由Multisi m仿真... 提出了一种由DMOS场效应管构成的电荷灵敏前置放大器,可用于硅,Si(Li),CdZnTe及CsI探测器。该前置放大器采用不同于传统的阻容反馈式的电路结构,完全使用MOS管搭建,该前放的设计完成为设计实现ASIC电路准备了技术基础。由Multisi m仿真结果看出该电荷灵敏前置放大器输出信号上升时间小于15ns,并且具有很好的稳定性。 展开更多
关键词 dmos 电荷灵敏前置放大器 设计 仿真
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LMD18245 DMOS全桥电机驱动器的原理及应用 被引量:4
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作者 田玉敏 《国外电子元器件》 2001年第3期22-24,共3页
LMD18245是美国国家半导体公司采用新型电流敏感技术生产的新一代DMOS全桥电机驱动器 ,可用于有刷直流电机或单相双极性步进电机的驱动控制。本文介绍了LMD18245的性能、特点和工作原理 ,并给出了利用此芯片与单片机一起构成的一个伺服... LMD18245是美国国家半导体公司采用新型电流敏感技术生产的新一代DMOS全桥电机驱动器 ,可用于有刷直流电机或单相双极性步进电机的驱动控制。本文介绍了LMD18245的性能、特点和工作原理 ,并给出了利用此芯片与单片机一起构成的一个伺服控制系统的应用电路。 展开更多
关键词 直流电机 驱动器 LMD18245 dmos 功率放在器
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DMOS器件及工艺的研究与分析 被引量:2
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作者 张相飞 周芝梅 +1 位作者 王永刚 万勇 《科技风》 2019年第4期117-119,共3页
本文介绍了DMOS器件的基本知识,包括DMOS的基本工艺及类型,介绍了实际工艺中的DMOS结构及参数。
关键词 dmos Ldmos Vdmos
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IR8200单片式DMOSH电桥功率控制IC
11
作者 吴胜春 《国外电子元器件》 1998年第4期42-44,共3页
IR8200是DMOSH电桥单片式功率控制IC,它将方电极场效应管和控制逻辑电路集成在一起,可控制额定电压为55V、连续电流为3A的负载。本文介绍了该芯片的工作特性,并给出了在四相直流马达控制中的应用。
关键词 H电桥 功率控制 开关器件 dmos IC
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功率VDMOS(带氮化硅结构)的UIS失效改善
12
作者 冯超 王振宇 郝志杰 《电子与封装》 2018年第8期44-48,共5页
功率VDMOS器件是最为普遍的开关器件。而UIS发生过程是指功率VDMOS器件在整个系统中所能承受的最严峻电应力以及热应力的考验过程,所以抵抗UIS失效能力成为衡量其可靠性的重要指标。针对UIS的测试方法和机理做了简单的介绍,同时针对某... 功率VDMOS器件是最为普遍的开关器件。而UIS发生过程是指功率VDMOS器件在整个系统中所能承受的最严峻电应力以及热应力的考验过程,所以抵抗UIS失效能力成为衡量其可靠性的重要指标。针对UIS的测试方法和机理做了简单的介绍,同时针对某款功率VDMOS产品的UIS改善方案进行了详细的描述。 展开更多
关键词 dmos UIS 带氮化硅结构
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DMOS Vfsd之背金工艺窗口研究
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作者 陈定平 张忠华 +1 位作者 李理 赵圣哲 《现代电子技术》 2014年第8期72-74,共3页
一些DMOS产品的Vfsd上限要求做得很低,这样背金工艺的窗口就非常窄、经常发生Vfsd超上限的事件。如何拓宽背金工艺窗口、满足特殊DMOS产品对Vfsd的苛刻要求,在此研究了背面减薄、背面硅腐蚀和背面注入的主要工艺关键参数对Vfsd的影响。... 一些DMOS产品的Vfsd上限要求做得很低,这样背金工艺的窗口就非常窄、经常发生Vfsd超上限的事件。如何拓宽背金工艺窗口、满足特殊DMOS产品对Vfsd的苛刻要求,在此研究了背面减薄、背面硅腐蚀和背面注入的主要工艺关键参数对Vfsd的影响。比较减薄机研磨轮目数后发现,研磨轮目数决定背面粗糙度,进而影响背面SI与背面金属的接触电阻和Vfsd;比较硅腐蚀有、无活性剂后发现,加了活性剂的背面硅腐蚀速率温和、均匀性好,可减缓切入式减薄机的Vfsd扇形分布、Vfsd均匀性明显改善。背注能量拉偏后发现,降低背注能量可降低Vfsd的Mean值。综合以上机理分析和实验结果,找到了背面最佳工艺条件,大大拓宽了背金工艺窗口。在最佳背面工艺条件下,这些特殊的DMOS产品Vfsd超上限几率从1.5%下降到0.1%以下、良率平均上升4%,此背金最佳工艺可以成为DMOS生产的标准工艺。 展开更多
关键词 dmos Vfsd超上限 背面减薄 背面硅腐蚀 表面活性剂 背面注入
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煤制乙二醇DMO装置生产节能减排方案优化 被引量:1
14
作者 侯波 韩濛 高翔 《化工管理》 2024年第2期40-42,共3页
DMO装置作为煤制乙二醇生产过程中的核心设备,其能源消耗一直处于较高水平。为了实现节能减排的目标,需要结合实际情况进一步探寻针对DMO装置的节能措施,包括余热的合理回收利用、设备选型的优化等手段。通过这些措施,不仅可以拓展生产... DMO装置作为煤制乙二醇生产过程中的核心设备,其能源消耗一直处于较高水平。为了实现节能减排的目标,需要结合实际情况进一步探寻针对DMO装置的节能措施,包括余热的合理回收利用、设备选型的优化等手段。通过这些措施,不仅可以拓展生产规模,还能有效降低能耗,从而实现节能降耗的目标。文章首先概述了煤制乙二醇的基本知识,其次深入探讨了其生产节能原则,最后针对DMO装置提出了具体的节能减排措施。 展开更多
关键词 煤制乙二醇 dmo装置 节能减排
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功率DMOS器件加固技术的工艺设计
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作者 郑莹 王浩 《电子技术与软件工程》 2021年第5期105-106,共2页
本文采用带有厚氧的新器件结构,并辅以后栅氧工艺,可以大大提高器件的抗辐射能力,在此基础上,利用半导体仿真软件对DMOS器件进行工艺设计和仿真,得到最终的整个工艺流程。
关键词 dmos器件 半导体仿真软件 电压 工艺设计
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8位串行输入DMOS功率驱动器
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《电子产品世界》 2000年第7期43-43,共1页
关键词 串行输入 dmos 功率驱动器
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DMOS功率放大器TDA7295及应用
17
作者 廖建兴 《电子世界》 2004年第1期47-48,共2页
关键词 dmos 功率放大器 TDA7295 应用 静噪功能
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Failure mechanisms and destruction characteristics of cemented coal gangue backfill under compression effect of non-uniform load
18
作者 FENG Guo-rui GUO Wei +5 位作者 QI Ting-ye LI Zhu CUI Jia-qing WANG Hao-chen CUI Ye-kai MA Jing-kai 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期2676-2693,共18页
Backfill mining is one of the most important technical means for controlling strata movement and reducing surface subsidence and environmental damage during exploitation of underground coal resources. Ensuring the sta... Backfill mining is one of the most important technical means for controlling strata movement and reducing surface subsidence and environmental damage during exploitation of underground coal resources. Ensuring the stability of the backfill bodies is the primary prerequisite for maintaining the safety of the backfilling working face, and the loading characteristics of backfill are closely related to the deformation and subsidence of the roof. Elastic thin plate model was used to explore the non-uniform subsidence law of the roof, and then the non-uniform distribution characteristics of backfill bodies’ load were revealed. Through a self-developed non-uniform loading device combined with acoustic emission (AE) and digital image correlation (DIC) monitoring technology, the synergistic dynamic evolution law of the bearing capacity, apparent crack, and internal fracture of cemented coal gangue backfills (CCGBs) under loads with different degrees of non-uniformity was deeply explored. The results showed that: 1) The uniaxial compressive strength (UCS) of CCGB increased and then decreased with an increase in the degree of non-uniformity of load (DNL). About 40% of DNL was the inflection point of DNL-UCS curve and when DNL exceeded 40%, the strength decreased in a cliff-like manner;2) A positive correlation was observed between the AE ringing count and UCS during the loading process of the specimen, which was manifested by a higher AE ringing count of the high-strength specimen. 3) Shear cracks gradually increased and failure mode of specimens gradually changed from “X” type dominated by tension cracks to inverted “Y” type dominated by shear cracks with an increase in DNL, and the crack opening displacement at the peak stress decreased and then increased. The crack opening displacement at 40% of the DNL was the smallest. This was consistent with the judgment of crack size based on the AE b-value, i. e., it showed the typical characteristics of “small b-value-large crack and large b-value-small crack”. The research results are of significance for preventing the instability and failure of backfill. 展开更多
关键词 cemented coal gangue backfill non-uniform load degree of non-uniformity of load failure mode crack opening displacement
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Allegro A3916双路DMOS全桥马达驱动方案(英文)
19
《世界电子元器件》 2017年第4期8-10,共3页
Allegro Micro Systems公司的A3916是新型低压双极步进马达或双路马达驱动IC,集成了所有的马达控制的功能,包括固定关断时间的PWM稳压器,单电源2.7-15 V输入电压,每路输出电流高达1A,低RDS(ON)输出,低电流睡眠模式,过流保护,内部UVLO和... Allegro Micro Systems公司的A3916是新型低压双极步进马达或双路马达驱动IC,集成了所有的马达控制的功能,包括固定关断时间的PWM稳压器,单电源2.7-15 V输入电压,每路输出电流高达1A,低RDS(ON)输出,低电流睡眠模式,过流保护,内部UVLO和热关断,集成了电荷泵.主要用在工业自动化,点负载,3D打印,医疗设备,CCTV,玩具市场和其它应用.本文介绍了A3916主要特性和优势,框图和典型应用电路以及演示板电路图,材料清单和PCB设计图。 展开更多
关键词 马达驱动 全桥 dmos Allegro A3916 英文
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SUPERTEX公司DMOS选型指南
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《电子设计工程》 1995年第5期45-49,共5页
SUPERTEX公司DMOS选型指南1、低开启电压N沟道增强型MOSFET2、低开启电压P沟增强型MOSFET3、N沟道耗尽型MOSFET4、N沟进增强型MOSFET5、P沟道增强型MOSFET6、低压N沟道MOSF... SUPERTEX公司DMOS选型指南1、低开启电压N沟道增强型MOSFET2、低开启电压P沟增强型MOSFET3、N沟道耗尽型MOSFET4、N沟进增强型MOSFET5、P沟道增强型MOSFET6、低压N沟道MOSFET阵列7、低压P沟道MOSFET... 展开更多
关键词 SUPER 选型 金属壳密封 低开启电压 dmos 增强型 双列直插 阵列说明 塑料封装 电平变换器
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