50nm Nor Flash中的B/S Deposition用Normal Cu替代RFxCu工艺研究

阐述如何使用NormalCu机型来沉积小线宽50nm产品的Barrier&Seed层,通过调制偏压电压及时间,改善了台阶覆盖性,避免了小线宽产品在开口处overhang的形成,提升了Normal机型工艺极限。使得制品缺陷、电性、良率和可靠性与RFx Cu机型在最终的产品性能上表现一致,在50nm Nor Flash平台上顺利量产使用。