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Ti:Al_2O_3透明多晶陶瓷光谱特性分析 被引量:4
1
作者 杨秋红 曾智江 +1 位作者 徐军 苏良碧 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期856-860,共5页
采用传统无压烧结工艺制备出透明性良好的掺Ti氧化铝陶瓷;测定了该陶瓷的吸收光谱、荧光光谱和激发光谱。结果表明,掺Ti氧化铝透明陶瓷样品在Mg与Ti掺入离子的摩尔比(NMg/NTi)较小时,表现出Ti3+离子的490nm特征吸收峰,即2T2→2E跃迁产... 采用传统无压烧结工艺制备出透明性良好的掺Ti氧化铝陶瓷;测定了该陶瓷的吸收光谱、荧光光谱和激发光谱。结果表明,掺Ti氧化铝透明陶瓷样品在Mg与Ti掺入离子的摩尔比(NMg/NTi)较小时,表现出Ti3+离子的490nm特征吸收峰,即2T2→2E跃迁产生的宽带吸收;NMg/NTi较大时,陶瓷样品吸收光谱中不存在Ti3+离子吸收,其250nm处吸收为O2-→Ti4+的转移吸收。掺Ti氧化铝透明陶瓷样品Ti3+离子的发射谱线与单晶的相吻合,同时Ti3+在氧化铝陶瓷中分布很均匀,且Ti3+浓度较高时仍处于未畸变的八面体格位当中。氢气氛下烧结的陶瓷样品因MgO添加剂的存在而在410nm处产生Ti4+离子荧光发射;而280nm、420nm左右的荧光发射分别是由F+和F心造成的。 展开更多
关键词 Ti:al2o3透明陶瓷 激光陶瓷 光谱性质
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脊形掺铒Al_2O_3光波导放大器级联特性的模拟计算 被引量:1
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作者 李成仁 宋昌烈 +2 位作者 李淑凤 宋琦 李建勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期839-843,共5页
利用有限元法分析了脊形掺铒Al2O3光波导放大器内信号光和抽运光的场模式分布、速率方程求解铒离子五能级系统的粒子数分布.数值模拟了光波导净增益与信号光功率的关系和多个放大器级联的净增益特性.结果表明级联系统存在着净增益亏损.... 利用有限元法分析了脊形掺铒Al2O3光波导放大器内信号光和抽运光的场模式分布、速率方程求解铒离子五能级系统的粒子数分布.数值模拟了光波导净增益与信号光功率的关系和多个放大器级联的净增益特性.结果表明级联系统存在着净增益亏损.低掺铒浓度的光波导作前级放大器的组合方式,级联系统总净增益最大. 展开更多
关键词 脊形Er:al2o3光波导放大器 模拟计算 级联 信号功率 净增益亏损
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A:Al_2O_3(A=Cr,Fe,Ni)晶体生长及其缺陷研究
3
作者 范修军 王越 徐宏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1266-1272,共7页
报道了A:Al2O3(A=Cr,Fe,Ni)晶体光学浮区法生长工艺,研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,制备出了φ6-8 mm、长度为60-80 mm的A:Al2O3晶体.A:Al2O3晶体的生长方向为〈001〉方向,X射线双晶摇摆曲线表明A:Al2O3晶体具有良好... 报道了A:Al2O3(A=Cr,Fe,Ni)晶体光学浮区法生长工艺,研究了旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,制备出了φ6-8 mm、长度为60-80 mm的A:Al2O3晶体.A:Al2O3晶体的生长方向为〈001〉方向,X射线双晶摇摆曲线表明A:Al2O3晶体具有良好的晶体质量.通过X射线衍射、扫描电镜、偏光显微镜对晶体中的生长缺陷进行了研究,结果表明,A:Al2O3晶体的主要缺陷为小角度晶界、包裹体和溶质尾迹.研究了A:Al2O3晶体的光谱性能,并对A:Al2O3晶体的介电性能进行了测量,室温下1000 kHz时A:Al2O3晶体表现出较高的介电系数εr(12.1-15.7)和较小的介电损耗tanδ(0.0020-0.0002). 展开更多
关键词 A:al2o3 晶体生长 光学浮区法 晶体缺陷
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背电极ZnO:Al薄膜与n-a-Si:H膜接触特性的研究
4
作者 吴芳 王伟 《真空》 CAS 2015年第1期31-33,共3页
本文分别采用电子束蒸发和磁控溅射的方法在n型掺杂(n-Si:H)膜上沉积了不同掺杂量和不同厚度的掺Al的Zn O(Zn O:Al)薄膜。通过I-V测试仪测试了两种方法制备的Zn O:Al薄膜与n-Si:H膜的接触特性,结果显示对于电子束蒸发制备的Zn O:Al薄膜... 本文分别采用电子束蒸发和磁控溅射的方法在n型掺杂(n-Si:H)膜上沉积了不同掺杂量和不同厚度的掺Al的Zn O(Zn O:Al)薄膜。通过I-V测试仪测试了两种方法制备的Zn O:Al薄膜与n-Si:H膜的接触特性,结果显示对于电子束蒸发制备的Zn O:Al薄膜,当掺杂浓度为2.5%时n-a-Si:H/Zn O:Al的接触电阻最小,在厚度变化不大的情况下,n-a-Si:H/Zn O:Al的接触电阻随着Zn O:Al厚度的增加而增大。而磁控溅射制备的Zn O:Al薄膜,n-a-Si:H/Zn O:Al的接触电阻随着厚度的增加而不断减小。 展开更多
关键词 Zn o:al n-Si:H膜 I-V特性 电接触特性
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幅照处理对Ti:Al_2O_3晶体光谱的改变
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作者 马健 杜懋陆 陈庆汉 《西南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第6期1227-1230,共4页
本文用提拉法生长了Ti:Al2O3晶体,并测定了γ光子幅照处理后的晶体样品的荧光谱和吸收谱.不同于未幅照的钛宝石光谱,本工作所测定的光谱中出现了多个峰值,文章分析了出现该现象的可能原因.
关键词 Ti:al2o3 晶体生长 γ光子幅照 荧光谱 吸收谱
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Yb∶Er∶Al_2O_3材料1.53μm光致发光特性数值分析
6
作者 尹洪杰 李成仁 +1 位作者 明成国 刘玉凤 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期520-524,共5页
考虑两级合作上转换、激发态吸收和交叉弛豫等非线性效应,建立了镱铒共掺氧化铝材料体系的八个能级的速率方程,唯象地构造了合作上转换、激发态吸收、交叉弛豫等系数随镱铒掺杂浓度的变化函数,数值模拟了Yb∶Er∶Al2O3材料1.53μm光致... 考虑两级合作上转换、激发态吸收和交叉弛豫等非线性效应,建立了镱铒共掺氧化铝材料体系的八个能级的速率方程,唯象地构造了合作上转换、激发态吸收、交叉弛豫等系数随镱铒掺杂浓度的变化函数,数值模拟了Yb∶Er∶Al2O3材料1.53μm光致发光强度与掺杂浓度、抽运功率的变化关系。计算结果表明:掺铒浓度、抽运功率一定时,存在一个最佳的镱掺杂浓度;掺铒浓度一定,最佳的镱铒浓度比值随抽运功率的增强而下降;抽运功率一定,优化的镱铒浓度比值随掺铒浓度的升高而下降。计算结果与实验测量结果相吻合。 展开更多
关键词 Yb:Er:al2o3 材料 光致发光特性 上转换系数函数 掺杂浓度 数值分析
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Improved Visible Transparency of SiO_2/ZnO:Al/CeO_2-TiO_2/SiO_2 Multilayer Films with High UV Absorption and Infrared Reflection Rate 被引量:1
7
作者 倪佳苗 赵修建 +1 位作者 ZHAO Qingnan ZHENG Mindong 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2015年第5期941-946,共6页
New visible transparent, UV absorption, and high infrared reflection properties have been realized by depositing multilayer Si O2/Zn O: Al/Ce O2-Ti O2/Si O2 films onto glass substrates at low temperature by radio freq... New visible transparent, UV absorption, and high infrared reflection properties have been realized by depositing multilayer Si O2/Zn O: Al/Ce O2-Ti O2/Si O2 films onto glass substrates at low temperature by radio frequency magnetron sputtering. Optimum thickness of Si O2, Zn O: Al(ZAO) and Ce O2-Ti O2(CTO) films were designed with the aid of thin film design software. The degree of antireflection can be controlled by adjusting the thickness and refractive index. The outer Si O2 film can diminish the interference coloring and increase the transparency; the inner Si O2 film improves the adhesion of the coating on the glass substrate and prevents Ca2+, Na+ in the glass substrate from entering the ZAO film. The average transmittance in the visible light range increases by nearly 18%-20%, as compared to double layer ZAO/CTO films. And the films display high infrared reflection rate of above 75% in the wavelength range of 10-25 μm and good UV absorption(> 98%) properties. These systems are easy to produce on a large scale at low cost and exhibit high mechanical and chemical durability. The triple functional films with high UV absorption, antireflective and high infrared reflection rate will adapt to application in flat panel display and architectural coating glass, automotive glass, with diminishing light pollution as well as decreasing eye fatigue and increasing comfort. 展开更多
关键词 Si o2/Zn o:al /Ce o2-Ti o2/Si o2 TRANSPARENCY high infrared reflection rate ultraviolet absorption optimization
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可调谐Ti:Al_2O_3激光器 被引量:3
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作者 方香云 周寿桓 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期43-44,52,共3页
本文以速率方程为基础对脉冲Ti:Al_2O_3激光器进行了初步的研究,并对输出激光与泵浦光之间的时间延迟以及激光器的特性进行探讨,给出了实验结果。
关键词 Ti:al2o3 激光器 可调谐激光器
全文增补中
掺钛宝石的光谱研究 被引量:2
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作者 张秀荣 柴跃 祁长鸿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期270-276,共7页
用IFUS(Induction Field Up-shift Method)方法生长了浓度高,光学质量好的Ti:Al_2O_3单晶,通过测量Ti^(3+)离子的吸收,激发,荧光光谱以及荧光寿命,分析研究了Ti:Al_2O_3单晶的发光特性和发光谱随温度的变化,(τFluo=3.1μs,300K;β=[Ti^... 用IFUS(Induction Field Up-shift Method)方法生长了浓度高,光学质量好的Ti:Al_2O_3单晶,通过测量Ti^(3+)离子的吸收,激发,荧光光谱以及荧光寿命,分析研究了Ti:Al_2O_3单晶的发光特性和发光谱随温度的变化,(τFluo=3.1μs,300K;β=[Ti^(3+)]/[Ti]=0.999,αm/αr=380,α488nm=9.5cm^(-1)。 展开更多
关键词 宝石 光谱 Ti:al2o3 激光
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Ti:Al_2O_3晶体的电子自旋共振谱研究 被引量:2
10
作者 刘建华 邓佩珍 干福熹 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期441-444,共4页
Ti:Al2O3晶体中的顺磁中心Ti3+由于强烈的晶格自旋耦合而使其电子自旋共振(ESR)吸收只有在液氦温度附近才能看到。本实验在液氮温度附近(93K)记录到由许多强的吸收峰迭加于Ti3+宽吸收线所组成的电子自旋共振... Ti:Al2O3晶体中的顺磁中心Ti3+由于强烈的晶格自旋耦合而使其电子自旋共振(ESR)吸收只有在液氦温度附近才能看到。本实验在液氮温度附近(93K)记录到由许多强的吸收峰迭加于Ti3+宽吸收线所组成的电子自旋共振谱。这些强吸收峰被认为是Al2O3基质中的Fe3+,Mn2+,Cr3+,Mo3+,Fe2+,Co2+等杂质的共振吸收及Ti2+3A2g基态的双量子跃迁造成的。 展开更多
关键词 Ti:al2o3晶体 电子自旋共振
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Cr^(4+)在Al_2O_3多晶体中的光谱性能研究
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作者 杨秋红 曾智江 +2 位作者 徐军 丁君 苏良碧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期4166-4169,共4页
采用传统无压烧结工艺制备Cr:Al2O3透明多晶陶瓷.测定了其退火前后的吸收光谱和荧光光谱,发现在Al2O3六配位的八面体结构中,Cr4+的荧光发射也处在1100—1600nm波段的红外区间,荧光发射峰位于1223nm附近,类似Cr4+在四面体中的发光行为.... 采用传统无压烧结工艺制备Cr:Al2O3透明多晶陶瓷.测定了其退火前后的吸收光谱和荧光光谱,发现在Al2O3六配位的八面体结构中,Cr4+的荧光发射也处在1100—1600nm波段的红外区间,荧光发射峰位于1223nm附近,类似Cr4+在四面体中的发光行为.同时由于氧化铝晶格常数较小,晶体场强较强,使Cr4+:Al2O3荧光发射峰相对其他Cr4+掺杂的晶体发生蓝移.由于Cr4+:Al2O3中Cr4+是位于八面体配位结构中,其荧光发射峰较窄,半高宽Δλ仅为37nm. 展开更多
关键词 CR^4+ Cr:al2o3 透明陶瓷 光谱性质 八面体
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Ti:Al_2O_3晶体荧光浓度猝灭及其能量转移机理 被引量:3
12
作者 刘建华 张强 +1 位作者 邓佩珍 干福熹 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期576-580,共5页
根据Dexter敏化发光理论建立Ti3+-Ti3+离子间能量共振转移模型,计算出Ti:Al2O3晶体发生浓度猝灭的Ti3+离子临界距离Rc及晶体掺杂的临界浓度Nc与实测光谱数据进行比较,认为浓度达到N=1.28×... 根据Dexter敏化发光理论建立Ti3+-Ti3+离子间能量共振转移模型,计算出Ti:Al2O3晶体发生浓度猝灭的Ti3+离子临界距离Rc及晶体掺杂的临界浓度Nc与实测光谱数据进行比较,认为浓度达到N=1.28×1020cm-3(或0.38wt%),相应峰值吸收系数为α490=6.0cm-1时,仍未发生明显的浓度猝灭现象。 展开更多
关键词 Ti:al2o3 晶体 浓度猝灭 能量转移
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Ti^(3+)离子掺杂浓度与Ti:Al_2O_3晶体的光谱畸变 被引量:1
13
作者 刘建华 邓佩珍 干福熹 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期369-372,共4页
通过室温下掺杂浓度为0.03~0.45Wt-%范围的Ti:Al2O3晶体的偏振激发光谱,荧光光谱和吸收光谱的测量,从实验上确信,Ti3+在Al2O3基质晶体中不易形成Ti3+离子对。并且发现,随着Ti3+离子掺杂浓度... 通过室温下掺杂浓度为0.03~0.45Wt-%范围的Ti:Al2O3晶体的偏振激发光谱,荧光光谱和吸收光谱的测量,从实验上确信,Ti3+在Al2O3基质晶体中不易形成Ti3+离子对。并且发现,随着Ti3+离子掺杂浓度的提高,偏振激发光谱发生了(l)肩/峰强度比增加和(2)长波展宽现象,而相应波段的吸收光谱却未发现这种浓度效应导致的线型畸变。 展开更多
关键词 激光光谱 钛离子 掺杂 Ti:al2o3晶体 光谱畸变
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Ti:Al_2O_3晶体中Ti^(3+)离子的电子顺磁共振研究
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作者 刘建华 邓佩珍 干福熹 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期552-557,共6页
通过对Ti:Al2O3晶体的不同取向的电子顺磁共振(EPR)研究,认为在93K温度下观测到的g=2.00的强烈各向异性的共振线是来自于Ti:Al2O3晶体中的Ti3+离子2T2g能态的中间能级1E1/2的顺磁共振吸收... 通过对Ti:Al2O3晶体的不同取向的电子顺磁共振(EPR)研究,认为在93K温度下观测到的g=2.00的强烈各向异性的共振线是来自于Ti:Al2O3晶体中的Ti3+离子2T2g能态的中间能级1E1/2的顺磁共振吸收。而室温下观察到的g≈2.00的吸收线是由Ti3+离子2T2g能态上能级2A1的共振吸收产生的。由晶体场理论进行的计算与上述结果基本符合。 展开更多
关键词 Ti:al2o3晶体 电子顺磁共振 钛离子
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(Tm,Ho)∶YLF微片激光器的实验研究 被引量:10
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作者 姚宝权 王骐 +3 位作者 王月珠 于占东 夏元钦 Bourdet G L 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1216-1218,共3页
报道了一台连续 792nmTi∶Al2 O3 激光器纵向抽运的 (Tm ,Ho)∶YLF微片激光器。在室温条件下 ,当抽运功率为 6 80mW时 ,激光器在 2 0 6 μm波长的输出功率达到 90mW。激光器阈值为 380mW ,光光转换效率为 13% ,斜率效率为 2 6 %。
关键词 实验研究 (Tm Ho):YLF晶体 微片激光器 Ti:al2o3激光
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26fs自锁模掺钛蓝宝石激光器 被引量:3
16
作者 魏志义 余振新 +2 位作者 李荣基 杨杰 李麒 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期198-202,共5页
采用4mm长的Ti:Al2O3晶体及一对熔石英色散棱镜,在腔内未加硬边光阑等元件的情况下,获得了平均功率560W、中心波长774nm、宽度26fs、谱宽28nm的锁模激光脉冲,分析了锁模的条件和工作特性。
关键词 色散补偿 TI:al2o3激光器 激光器 自锁模
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