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ZrO_(2)/InP和ZrO_(2)/InAs堆栈的元素扩散研究
1
作者
刘澳
冯泽
+11 位作者
井美艺
郑旭
单一洋
刘晖
王维华
卢峰
程雅慧
罗锋
孔亚萍
李治云
黄荣
董红
《真空电子技术》
2023年第6期50-56,共7页
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体有望在5 nm以下节点替代Si作为场效应管的沟道材料,其与高k栅介质界面质量对器件性能极为关键。本文分别在InAs和InP衬底上通过H_(2)^(18)O蒸汽预处理表面,再利用原子层沉积技术原位制备了ZrO_(2)薄膜,通过角分辨X...
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体有望在5 nm以下节点替代Si作为场效应管的沟道材料,其与高k栅介质界面质量对器件性能极为关键。本文分别在InAs和InP衬底上通过H_(2)^(18)O蒸汽预处理表面,再利用原子层沉积技术原位制备了ZrO_(2)薄膜,通过角分辨X射线光电子能谱和飞行时间二次离子质谱技术系统性地研究了退火前后界面处衬底元素原子和氧原子扩散行为,并讨论了物理机制。本工作将加深Ⅲ-Ⅴ/高k栅介质界面在材料学上的理解。
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关键词
18
o同位素示踪法
INP
Zr
o
2
角分辨X射线光电子能谱
飞行时间二次离子质谱
退火
下载PDF
职称材料
题名
ZrO_(2)/InP和ZrO_(2)/InAs堆栈的元素扩散研究
1
作者
刘澳
冯泽
井美艺
郑旭
单一洋
刘晖
王维华
卢峰
程雅慧
罗锋
孔亚萍
李治云
黄荣
董红
机构
南开大学电子信息与光学工程学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所真空互联纳米技术工作站
出处
《真空电子技术》
2023年第6期50-56,共7页
基金
国家重点研发计划项目(2018YFB2200500,2018YFB2200504)
国家自然科学基金项目(22090010,22090011)。
文摘
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体有望在5 nm以下节点替代Si作为场效应管的沟道材料,其与高k栅介质界面质量对器件性能极为关键。本文分别在InAs和InP衬底上通过H_(2)^(18)O蒸汽预处理表面,再利用原子层沉积技术原位制备了ZrO_(2)薄膜,通过角分辨X射线光电子能谱和飞行时间二次离子质谱技术系统性地研究了退火前后界面处衬底元素原子和氧原子扩散行为,并讨论了物理机制。本工作将加深Ⅲ-Ⅴ/高k栅介质界面在材料学上的理解。
关键词
18
o同位素示踪法
INP
Zr
o
2
角分辨X射线光电子能谱
飞行时间二次离子质谱
退火
Keywords
18
o
is
o
t
o
pe tracer meth
o
d
InP
Zr
o
2
ARXPS
T
o
F-SIMS
Annealing
分类号
TN101 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZrO_(2)/InP和ZrO_(2)/InAs堆栈的元素扩散研究
刘澳
冯泽
井美艺
郑旭
单一洋
刘晖
王维华
卢峰
程雅慧
罗锋
孔亚萍
李治云
黄荣
董红
《真空电子技术》
2023
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