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等离子体处理对氧化铟锡(ITO)润湿性及性能参数的影响
被引量:
1
1
作者
张文茜
张方辉
+2 位作者
张萌
史柯旺
万春辰
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期929-934,共6页
在预处理室中对ITO薄膜进行等离子体处理,研究分别在氧气、氮气、氩气及空气四种工作气体下,等离子体处理压强和处理时间对薄膜的润湿性及性能参数的影响。接触角测试仪表征表明,等离子体处理时间越长、处理压强越大,静态H_(2)O接触角越...
在预处理室中对ITO薄膜进行等离子体处理,研究分别在氧气、氮气、氩气及空气四种工作气体下,等离子体处理压强和处理时间对薄膜的润湿性及性能参数的影响。接触角测试仪表征表明,等离子体处理时间越长、处理压强越大,静态H_(2)O接触角越小,其润湿性越高。分光光度计测试结果表明,经等离子体处理,ITO薄膜透过率较未处理均有所下降。四种工作气体下,等离子体处理压强越大对透过率的影响越小,但随着处理时间的增长影响会增大;相较其他工作气体,氧气等离子体处理整体变化最小。四点探针表征表明,处理后的ITO薄膜方块电阻无明显变化,这是由于等离子体处理只对ITO薄膜表面进行改性,没有改变内部性质。利用霍尔效应测量载流子浓度,没有发现明显变化,与方块电阻不变结论一致。
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关键词
等离子体
IT
o
薄膜
透过率
静态H
o接触角
方块电阻
载流子浓度
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职称材料
题名
等离子体处理对氧化铟锡(ITO)润湿性及性能参数的影响
被引量:
1
1
作者
张文茜
张方辉
张萌
史柯旺
万春辰
机构
陕西科技大学电气与控制工程学院
陕西科技大学电子信息与人工智能学院
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期929-934,共6页
基金
国家自然科学基金项目(批准号61904100、61605105、11604194)
陕西省教育厅服务地方专项计划项目(NO.17JF006)。
文摘
在预处理室中对ITO薄膜进行等离子体处理,研究分别在氧气、氮气、氩气及空气四种工作气体下,等离子体处理压强和处理时间对薄膜的润湿性及性能参数的影响。接触角测试仪表征表明,等离子体处理时间越长、处理压强越大,静态H_(2)O接触角越小,其润湿性越高。分光光度计测试结果表明,经等离子体处理,ITO薄膜透过率较未处理均有所下降。四种工作气体下,等离子体处理压强越大对透过率的影响越小,但随着处理时间的增长影响会增大;相较其他工作气体,氧气等离子体处理整体变化最小。四点探针表征表明,处理后的ITO薄膜方块电阻无明显变化,这是由于等离子体处理只对ITO薄膜表面进行改性,没有改变内部性质。利用霍尔效应测量载流子浓度,没有发现明显变化,与方块电阻不变结论一致。
关键词
等离子体
IT
o
薄膜
透过率
静态H
o接触角
方块电阻
载流子浓度
Keywords
Plasma
IT
o
thin film
Transmittance
Static H2
o
c
o
ntact angle
Sheet resistance
Carrier c
o
ncentrati
o
n
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
等离子体处理对氧化铟锡(ITO)润湿性及性能参数的影响
张文茜
张方辉
张萌
史柯旺
万春辰
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
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